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트랜지스터 (100539)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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| stw68n65dm6 | 7.7157 | | 5334 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW68 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 497-STW68N65DM6 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | n 채널 | 650 v | 55A (TC) | 10V | 59mohm @ 24a, 10V | 4.75V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 25V | 3528 pf @ 100 v | - | 431W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | BLF884PS, 112 | 155.9800 | | 326 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 104 v | 표면 표면 | SOT-1121B | BLF884 | 860MHz | LDMOS | 가장 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 20 | 이중, 소스 일반적인 | - | 650 MA | 150W | 21db | - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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