SIC
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트랜지스터 (100539)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
FZ1600R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies FZ1600R17KE3B2NOSA1 -
RFQ
 ECAD 3038 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 10500 w 기준 A-IHV130-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 단일 단일 - 1700 v 2400 a 2.45V @ 15V, 1.6KA 5 MA 아니요 145 NF @ 25 v
FCPF16N60 onsemi FCPF16N60 4.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 Superfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF16 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2832-FCPF16N60 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 16A (TC) 10V 260mohm @ 8a, 10V 5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 30V 2250 pf @ 25 v - 37.9W (TC)
BLF6G15LS-250PBRN, Ampleon USA Inc. blf6g15ls-250pbrn, -
RFQ
 ECAD 7799 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 쟁반 쓸모없는 65 v 표면 표면 SOT-1110B BLF6G15 1.47GHz ~ 1.51GHz - 가장 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934064302112 귀 99 8541.29.0075 20 - 64A 1.41 a 60W 18.5dB - 28 v
BC850BWH6327XTSA1 Infineon Technologies BC850BWH6327XTSA1 0.0521
RFQ
 ECAD 6676 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC850 250 MW PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
2N3499L Microchip Technology 2N3499L 13.5394
RFQ
 ECAD 7909 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 2N3499 1 W. To-5 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 500 MA 10µA (ICBO) NPN 1.4V @ 30MA, 300MA 100 @ 150ma, 10V -
MCH6421-TL-E onsemi MCH6421-TL-E 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH6421 MOSFET (금속 (() 6mcph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5.5A (TA) 1.8V, 4.5V 38mohm @ 2a, 4.5v 1.3v @ 1ma 5.1 NC @ 4.5 v ± 12V 410 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
KSC1507YTU onsemi KSC1507YTU -
RFQ
 ECAD 2104 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 KSC1507 15 w TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 300 v 200 µA 100µA (ICBO) NPN 2V @ 5MA, 50MA 120 @ 10ma, 10V 80MHz
2N2919A Solid State Inc. 2N2919A 9.0000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Solid State Inc. - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 2N2919 500MW To-78 - Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2383-2N2919A 귀 99 8541.10.0080 10 60V 30ma 2NA 2 NPN (() 350MV @ 100µa, 1mA 150 @ 1ma, 5V -
ADC143TUQ-7 Diodes Incorporated ADC143TUQ-7 0.0651
RFQ
 ECAD 7016 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 ADC143 270MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300mv @ 250µa, 2.5ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
2SK4077-ZK-E1-AY Renesas Electronics America Inc 2SK4077-zk-e1-ay 0.6800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500
BC856CW Diotec Semiconductor BC856CW 0.0317
RFQ
 ECAD 2216 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC856 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-BC856CWTR 8541.21.0000 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
IXTJ36N20 IXYS IXTJ36N20 -
RFQ
 ECAD 2421 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTJ36 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 36A (TC) 10V 70mohm @ 18a, 10V 4V @ 4MA 140 NC @ 10 v ± 20V 2970 pf @ 25 v - 300W (TC)
APT33N90JCCU3 Microsemi Corporation APT33N90JCCU3 -
RFQ
 ECAD 9937 0.00000000 Microsemi Corporation Coolmos ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MOSFET (금속 (() SOT-227 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 900 v 33A (TC) 10V 120mohm @ 26a, 10V 3.5v @ 3ma 270 nc @ 10 v ± 20V 6800 pf @ 100 v - 290W (TC)
BCX79_J35Z onsemi BCX79_J35Z -
RFQ
 ECAD 3089 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BCX79 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 45 v 500 MA 10NA PNP 600mv @ 2.5ma, 100ma 80 @ 10ma, 1v -
GSFN3904 Good-Ark Semiconductor GSFN3904 0.6300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 24a, 10V 2.5V @ 250µA 34 NC @ 4.5 v ± 20V 3190 pf @ 25 v - 66W (TC)
SIHP22N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP22N60E-GE3 4.0300
RFQ
 ECAD 7870 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP22 MOSFET (금속 (() 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1920 pf @ 100 v - 227W (TC)
NSVMUN5214DW1T3G onsemi NSVMUN5214DW1T3G 0.4200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NSVMUN5214 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V - 10kohms 47kohms
MC1416BDR2 onsemi MC1416BDR2 0.2900
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500
MPS6514_D27Z onsemi MPS6514_D27Z -
RFQ
 ECAD 9660 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MPS651 625 MW To-92-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 25 v 200 MA 50NA (ICBO) NPN 500mv @ 5ma, 50ma 150 @ 2MA, 10V -
KSP8098TA Fairchild Semiconductor KSP8098TA 0.0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,000 60 v 500 MA 100NA NPN 300mv @ 10ma, 100ma 100 @ 1ma, 5V 150MHz
BC550C A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC550C A1 -
RFQ
 ECAD 9975 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 500MW To-92 다운로드 영향을받지 영향을받지 1801-BC550CA1TB 쓸모없는 1 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN - 420 @ 2MA, 5V -
SQ2325ES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2325ES-T1_GE3 0.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2325 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 840MA (TC) 10V 1.77ohm @ 500ma, 10V 3.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 50 v - 3W (TC)
ZVN4206ASTZ Diodes Incorporated ZVN4206ASTZ 0.2893
RFQ
 ECAD 7039 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZVN4206 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 60 v 600MA (TA) 5V, 10V 1ohm @ 1.5a, 10V 3V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 700MW (TA)
IRFZ44S Vishay Siliconix IRFZ44S -
RFQ
 ECAD 9097 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ44 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ44S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 28mohm @ 31a, 10V 4V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
AUIRF1405ZS-7P International Rectifier AUIRF1405ZS-7P 1.0000
RFQ
 ECAD 2820 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-AUIRF1405ZS-7P-600047 1 n 채널 55 v 120A (TC) 10V 4.9mohm @ 88a, 10V 4V @ 150µA 230 nc @ 10 v ± 20V 5360 pf @ 25 v - 230W (TC)
NSTB1005DXV5T1G onsemi NSTB1005DXV5T1G 0.0975
RFQ
 ECAD 8408 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 50V - 표면 표면 SOT-553 NSTB1005 SOT-553 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 100ma 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중)
NTHL040N65S3F onsemi NTHL040N65S3F 16.7100
RFQ
 ECAD 8407 0.00000000 온세미 Superfet® III 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NTHL040 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 65A (TC) 10V 40mohm @ 32.5a, 10V 5V @ 6.5MA 158 NC @ 10 v ± 30V 5940 pf @ 400 v - 446W (TC)
FDBL9401-F085T6AW onsemi FDBL9401-F085T6AW -
RFQ
 ECAD 8019 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn FDBL9401 MOSFET (금속 (() 8-HPSOF - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-FDBL9401-F085T6awtr 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 58.4A (TA), 240A (TC) 10V 0.67mohm @ 50a, 10V 4V @ 290µA 148 NC @ 10 v +20V, -16V 10000 pf @ 25 v - 4.3W (TA), 180.7W (TC)
IPP60R750E6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R750E6XKSA1 -
RFQ
 ECAD 7654 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 5.7A (TC) 10V 750mohm @ 2a, 10V 3.5V @ 170µA 17.2 NC @ 10 v ± 20V 373 PF @ 100 v - 48W (TC)
SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies SPD04N80C3ATMA1 1.9600
RFQ
 ECAD 811 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SPD04N80 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 4A (TC) 10V 1.3ohm @ 2.5a, 10V 3.9V @ 240µA 31 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 100 v - 63W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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