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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | IPA50R950CEXKSA2 | 0.9300 | ![]() | 3299 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA50R950 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 3.7A (TC) | 13V | 950mohm @ 1.2a, 13v | 3.5V @ 100µA | 10.5 nc @ 10 v | ± 20V | 231 pf @ 100 v | - | 25.7W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | AO6N7S65 | - | ![]() | 1406 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | - | 영향을받지 영향을받지 | 785-AO6N7S65 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPP80N06S209 | 0.7500 | ![]() | 894 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 10V | 9.1mohm @ 50a, 10V | 4V @ 125µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 3140 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | KGF20N05D | - | ![]() | 5698 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 20-UFLGA, CSP | KGF20 | MOSFET (금속 (() | 2.5W (TA) | 20-WLCSP (2.48x1.17) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 559-KGF20N05DTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 | 5.5V | 20A (TJ) | 1.6mohm @ 10a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 6.7nc @ 4.5v | 865pf @ 5v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | SSM3J144TU, LXHF | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | 3-smd,, 리드 | MOSFET (금속 (() | UFM | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.2A (TA) | 1.5V, 4.5V | 93mohm @ 1.5a, 4.5v | 1V @ 1mA | 4.7 NC @ 4.5 v | +6V, -8V | 290 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM80N1R2CP | 2.6213 | ![]() | 5239 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | TSM80 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM80N1R2CPTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 800 v | 5.5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.75a, 10V | 4V @ 250µA | 19.4 NC @ 10 v | ± 30V | 685 pf @ 100 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||
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![]() | FDS8962C | 1.0000 | ![]() | 8273 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS89 | MOSFET (금속 (() | 900MW | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 30V | 7a, 5a | 30mohm @ 7a, 10V | 3V @ 250µA | 26NC @ 10V | 575pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | fci7n60 | - | ![]() | 5391 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Superfet ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 30V | 920 pf @ 25 v | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | IRFR5505PBF | - | ![]() | 7002 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | p 채널 | 55 v | 18A (TC) | 10V | 110mohm @ 9.6a, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 650 pf @ 25 v | - | 57W (TC) | ||||||||||||||||||||||
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jantxv2n3506 | 17.7023 | ![]() | 2721 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/349 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N3506 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 3 a | - | NPN | 1.5V @ 250MA, 2.5A | 40 @ 1.5a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||||
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EKI10198 | - | ![]() | 6809 | 0.00000000 | 산켄 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | EKI10198 DK | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 47A (TC) | 4.5V, 10V | 17.8mohm @ 23.4a, 10V | 2.5V @ 1mA | 55.8 nc @ 10 v | ± 20V | 3990 pf @ 25 v | - | 116W (TC) |
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