전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | JAN2N6790U | - | ![]() | 4404 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/555 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 18-CLCC | MOSFET (금속 (() | 18-ULCC (9.14x7.49) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 2.8A (TC) | 10V | 850mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 14.3 NC @ 10 v | ± 20V | - | 800MW (TC) | |||||||||||||||||||||||
ixta62n15p-trl | 3.2181 | ![]() | 6164 | 0.00000000 | ixys | 극선 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA62 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTA62N15P-TRLTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | 62A (TC) | 10V | 40mohm @ 31a, 10V | 5.5V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 2250 pf @ 25 v | - | 350W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | US6K1TR | 0.6000 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | US6K1 | MOSFET (금속 (() | 1W | Tumt6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 1.5A | 240mohm @ 1.5a, 4.5v | 1.5V @ 1mA | 2.2NC @ 4.5V | 80pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||
![]() | H5N3007FL-M0-E#T2 | 3.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220FL | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 300 v | 15A (TA) | 160mohm @ 7.5a, 10V | 4V @ 1MA | 80 nc @ 10 v | ± 30V | 2180 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH4008LFDFW-13 | 0.2226 | ![]() | 4680 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | DMTH4008 | MOSFET (금속 (() | U-DFN2020-6 (SWP) (F 형) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 40 v | 11.6A (TA) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 10a, 10V | 3V @ 250µA | 14.2 NC @ 10 v | ± 20V | 1030 pf @ 20 v | - | 990MW (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | CM100DY-34T | - | ![]() | 6164 | 0.00000000 | Powerex Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | CM100DY | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KFJ4B01100L | 0.3712 | ![]() | 2152 | 0.00000000 | Nuvoton Technology Corporation | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | 4-XFLGA, CSP | KFJ4 | MOSFET (금속 (() | 4CSP (0.8x0.8) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 816-KFJ4B01100LTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 20,000 | p 채널 | 12 v | 2.2A (TA) | 1.5V, 4.5V | 74mohm @ 1.5a, 4.5v | 1V @ 1.2MA | 7 NC @ 4.5 v | ± 8V | 459 pf @ 10 v | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | BUK9Y59-60E/GFX | - | ![]() | 9584 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | buk9 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCH2408-TL-E | - | ![]() | 3762 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | MOSFET (금속 (() | 600MW (TA) | 6-sch | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-SCH2408-TL-E-488 | 1 | 2 n 채널 | 30V | 350MA (TA) | 1ohm @ 200ma, 4v | 1.3V @ 100µa | 0.87NC @ 4V | 28pf @ 10V | 논리 논리 게이트, 1.5V 드라이브 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP60R280C6XKSA1 | 2.8600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP60R280 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 13.8A (TC) | 10V | 280mohm @ 6.5a, 10V | 3.5V @ 430µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 950 pf @ 100 v | - | 104W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | PJD5NA50_L2_00001 | - | ![]() | 2985 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | PJD5NA50 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJD5NA50_L2_00001CT | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 500 v | 5A (TA) | 10V | 1.55ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 30V | 491 pf @ 25 v | - | 76W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | STD95N4LF3 | 1.8700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ iii | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD95 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 5V, 10V | 6ohm @ 40a, 10V | 2.5V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 16V | 2500 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | PJA3431_R1_00001 | 0.3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PJA3431 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJA3431_R1_00001TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 1.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 325mohm @ 1.5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 1.7 NC @ 4.5 v | ± 8V | 165 pf @ 10 v | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | TLC530TU | - | ![]() | 9396 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | TLC530 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 330 v | 7A (TA) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3618-E | 0.6200 | ![]() | 700 | 0.00000000 | Sanyo | * | 대부분 | 활동적인 | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirf1324strl | - | ![]() | 4401 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AUIRF1324 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001518546 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 24 v | 195a (TC) | 10V | 1.65mohm @ 195a, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 7590 pf @ 24 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | DDB6U180N16RRB11BPSA1 | - | ![]() | 2085 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EconoPack ™ 2 | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | DDB6U180 | 515 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 독립 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 140 a | 2.2V @ 15V, 100A | 1 MA | 아니요 | 6.3 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||
DMN3060LW-13 | 0.0602 | ![]() | 1240 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DMN3060 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMN3060LW-13TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 30 v | 2.6A (TA) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 3.1a, 10V | 1.8V @ 250µA | 5.6 NC @ 4.5 v | ± 12V | 395 pf @ 15 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RJK0656DPB-00#J5 | 1.3608 | ![]() | 6610 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | RJK0656 | MOSFET (금속 (() | LFPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 40A (TA) | 10V | 5.6MOHM @ 20A, 10V | - | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 3000 pf @ 10 v | - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | hufa75321s3st | 0.7700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 35A (TC) | 10V | 34mohm @ 35a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 20 v | ± 20V | 680 pf @ 25 v | - | 93W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NGD8201ANT4G | - | ![]() | 5199 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NGD8201A | 논리 | 125 w | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 300V, 9A, 1KOHM, 5V | - | 440 v | 20 a | 50 a | 1.9V @ 4.5V, 20A | - | -/5µs | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF9622156 | 0.4400 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | * | 대부분 | 활동적인 | IRF9622 | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 800 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC 807-40W H6433 | - | ![]() | 6642 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC 807 | 250 MW | PG-SOT323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 250 @ 100MA, 1V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MIC94051BM4 TR | - | ![]() | 2495 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Symfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | MOSFET (금속 (() | SOT-143 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 6 v | 1.8A (TA) | 1.8V, 4.5V | 160mohm @ 100ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 6V | 600 pf @ 5.5 v | - | 568MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRF530 | 0.4700 | ![]() | 6322 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 14A (TC) | 180mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 800 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOB15S65L | 1.7604 | ![]() | 1796 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AOB15 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 650 v | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 7.5a, 10V | 4V @ 250µA | 17.2 NC @ 10 v | ± 30V | 841 pf @ 100 v | - | 208W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | BFN24E6327 | 0.0800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 360 MW | PG-SOT23-3-1 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 5,470 | 250 v | 200 MA | 100NA (ICBO) | 400mv @ 2ma, 20ma | 40 @ 30MA, 10V | 70MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR024ZPBF | - | ![]() | 6318 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 55 v | 16A (TC) | 4.5V, 10V | 58mohm @ 9.6a, 10V | 3V @ 250µA | 9.9 NC @ 5 v | ± 16V | 380 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76419S3S | - | ![]() | 5299 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | hufa76 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 60 v | 29A (TC) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 29a, 10V | 3V @ 250µA | 28 nc @ 10 v | ± 16V | 900 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | TIPL765-S | - | ![]() | 5141 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-218-3 | tipl765 | 125 w | SOT-93 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,980 | 400 v | 10 a | 50µA | NPN | 2.5V @ 2A, 10A | 15 @ 500ma, 5V | 8MHz |
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