SIC
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트랜지스터 (100539)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
NTMFS4985NFT1G onsemi NTMFS4985NFT1G 1.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4985 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 17.5A (TA), 65A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 30a, 10V 2.3v @ 1ma 30.5 nc @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 15 v - 1.63W (TA), 22.73W (TC)
2SCR554PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SCR554PHZGT100 0.6900
RFQ
 ECAD 175 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 80 v 1.5 a 1µA (ICBO) NPN 300mv @ 25ma, 500ma 120 @ 100MA, 3V 300MHz
BUZ331 Infineon Technologies buz331 2.2800
RFQ
 ECAD 215 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
NTJD4401NT4G onsemi NTJD4401NT4G -
RFQ
 ECAD 1895 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NTJD4401 MOSFET (금속 (() 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 20V 630ma 375mohm @ 630ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 46pf @ 20V 논리 논리 게이트
BC847DS,115 Nexperia USA Inc. BC847DS, 115 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 BC847 380MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
STW40N65M2 STMicroelectronics STW40N65M2 6.2500
RFQ
 ECAD 4759 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW40 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-15576-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 32A (TC) 10V 99mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 56.5 nc @ 10 v ± 25V 2355 pf @ 100 v - 250W (TC)
APTM50HM75STG Microchip Technology APTM50HM75STG 164.9400
RFQ
 ECAD 2832 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTM50 MOSFET (금속 (() 357W SP4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 (채널 교량) 500V 46A 90mohm @ 23a, 10V 5V @ 2.5MA 123NC @ 10V 5600pf @ 25V -
DMT3006LPB-13 Diodes Incorporated DMT3006LPB-13 0.2533
RFQ
 ECAD 4085 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT3006 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 (유형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMT3006LPB-13DI 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 11a (TA), 35A (TC), 14A (TA), 50A (TC) 11.1MOHM @ 11.5A, 10V, 6MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA -
UMB9N Yangjie Technology umb9n 0.0300
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-umb9ntr 귀 99 3,000
2SCR375P5T100R Rohm Semiconductor 2SCR375P5T100R 0.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SCR375 500MW MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 120 v 1.5 a 1µA (ICBO) NPN 300mv @ 80ma, 800ma 180 @ 200ma, 5V 200MHz
UPA2719GR-E2-A Renesas Electronics America Inc UPA2719GR-E2-A 0.9400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 319
JAN2N6782 Microsemi Corporation JAN2N6782 -
RFQ
 ECAD 7371 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/556 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 3.5A (TC) 10V 610mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 8.1 NC @ 10 v ± 20V - 800MW (TA), 15W (TC)
AON6405L_102 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6405L_102 -
RFQ
 ECAD 4094 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AON640 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 15A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10V 1.6V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 83W (TC)
IXGH20N60BD1 IXYS IXGH20N60BD1 -
RFQ
 ECAD 7116 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH20 기준 150 W. TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 20A, 10ohm, 15V 25 ns - 600 v 40 a 80 a 2V @ 15V, 20A 700µJ (OFF) 55 NC 15ns/110ns
SSM3J108TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J108TU (TE85L) -
RFQ
 ECAD 2405 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3J108 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.8A (TA) 1.8V, 4V 158mohm @ 800ma, 4v 1V @ 1mA ± 8V 250 pf @ 10 v - 500MW (TA)
MPSA13RLRM onsemi MPSA13RLRM -
RFQ
 ECAD 6500 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) MPSA13 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 125MHz
FF300R17KE3HOSA1 Infineon Technologies FF300R17KE3HOSA1 236.9400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF300R17 1450 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1700 v 2.45V @ 15V, 300A 3 MA 아니요 27 NF @ 25 v
FS800R07A2E3IB31BPSA1 Infineon Technologies FS800R07A2E3IB31BPSA1 -
RFQ
 ECAD 7645 0.00000000 인피온 인피온 Hybridpack ™ 2 쟁반 쓸모없는 FS800R07 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 3
AOTF11C60PL Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF11C60PL -
RFQ
 ECAD 3850 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF11 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-1715-5 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 400mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 2333 PF @ 100 v - 37W (TC)
IRF3708SPBF Infineon Technologies IRF3708SPBF -
RFQ
 ECAD 4913 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 62A (TC) 2.8V, 10V 12MOHM @ 15A, 10V 2V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 12V 2417 pf @ 15 v - 87W (TC)
2SA1519-TB-E onsemi 2SA1519-TB-E 0.0900
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
FQA9N90-F109 onsemi FQA9N90-F109 -
RFQ
 ECAD 8806 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA9 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 900 v 8.6A (TC) 10V 1.3ohm @ 4.3a, 10V 5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 30V 2700 pf @ 25 v - 240W (TC)
IRFR5305PBF Infineon Technologies IRFR5305PBF -
RFQ
 ECAD 5269 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 55 v 31A (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 110W (TC)
IRFR3710ZTRL Infineon Technologies irfr3710ztrl -
RFQ
 ECAD 4916 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 42A (TC) 10V 18mohm @ 33a, 10V 4V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 2930 pf @ 25 v - 140W (TC)
DDB6U180N16RRB37BPSA1 Infineon Technologies DDB6U180N16RRB37BPSA1 167.7600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 DDB6U180 20 MW 기준 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 1200 v 100 a 2.1V @ 15V, 100A 1 MA 예 6.2 NF @ 25 v
BSP88E6327 Infineon Technologies BSP88E6327 -
RFQ
 ECAD 7910 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 240 v 350MA (TA) 2.8V, 4.5V 6ohm @ 350ma, 10V 1.4V @ 108µA 6.8 NC @ 10 v ± 20V 95 pf @ 25 v - 1.7W (TA)
IRFR120NTRPBF Infineon Technologies irfr120ntrpbf 1.0500
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 9.4A (TC) 10V 210mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 48W (TC)
KSA1298YMTF onsemi KSA1298YMTF 0.2800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KSA1298 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 25 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 20ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 120MHz
IXFP36N20X3M IXYS ixfp36n20x3m 4.7600
RFQ
 ECAD 218 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IXFP36 MOSFET (금속 (() TO-220 된 분리 탭 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ixfp36n20x3m 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 36A (TC) 10V 45mohm @ 18a, 10V 4.5V @ 500µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1425 pf @ 25 v - 36W (TC)
SI1539CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1539CDL-T1-GE3 0.4300
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1539 MOSFET (금속 (() 340MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 700ma, 500ma 388mohm @ 600ma, 10V 2.5V @ 250µA 1.5NC @ 10V 28pf @ 15V 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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