SIC
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트랜지스터 (100539)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
DTA143XCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTA143XCAHZGT116 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA143 200 MW SST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
CBCP69 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CBCP69 TR PBFREE 0.4286
RFQ
 ECAD 5397 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA CBCP69 2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 20 v 1 a 10µA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 85 @ 500ma, 1V 65MHz
BC858CWQ Yangjie Technology BC858CWQ 0.0270
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BC858CWQTR 귀 99 3,000
CSD19531Q5AT Texas Instruments CSD19531Q5AT 2.1400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CSD19531 MOSFET (금속 (() 8-vsonp (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 250 n 채널 100 v 100A (TA) 6V, 10V 6.4mohm @ 16a, 10V 3.3V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 3870 pf @ 50 v - 3.3W (TA), 125W (TC)
NVLJWD023N04CLTAG onsemi NVLJWD023N04CLTAG 0.3338
RFQ
 ECAD 8663 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 6-wdfn n 패드 NVLJWD023 MOSFET (금속 (() 2W (TA), 24W (TC) 6-WDFNW (2.2x2.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-nvljwd023n04cltagtr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 7A (TA), 25A (TC) 23mohm @ 5a, 10V 2V @ 13µA 9NC @ 10V 440pf @ 25V -
NVHL080N120SC1 onsemi NVHL080N120SC1 18.1100
RFQ
 ECAD 2360 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NVHL080 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 NVHL080N120SC1OS 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 1200 v 44A (TC) 20V 110mohm @ 20a, 20V 4.3V @ 5mA 56 NC @ 20 v +25V, -15V 1670 pf @ 800 v - 348W (TC)
SPB100N04S2L-03 Infineon Technologies SPB100N04S2L-03 -
RFQ
 ECAD 6802 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB100N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 80A, 10V 2V @ 250µA 230 nc @ 10 v ± 20V 8000 pf @ 25 v - 300W (TC)
RSJ550N10TL Rohm Semiconductor RSJ550N10TL 4.3200
RFQ
 ECAD 958 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RSJ550 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 55A (TA) 4V, 10V 16.8mohm @ 27.5a, 10V 2.5V @ 1mA 143 NC @ 10 v ± 20V 6150 pf @ 25 v - 100W (TC)
BC806-16HVL Nexperia USA Inc. BC806-16HVL 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC806 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 80MHz
SQJ740EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ740EP-T1_GE3 1.9200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 MOSFET (금속 (() 93W (TC) PowerPak® SO-8L 듀얼 BWL - Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 2 n 채널 40V 123A (TC) 3.4mohm @ 7a, 10V 3.5V @ 250µA 56NC @ 10V 3143pf @ 25v 기준
PDTA143XT,215 NXP Semiconductors PDTA143XT, 215 0.0200
RFQ
 ECAD 547 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-PDTA143XT, 215-954 1
BCW 61D E6327 Infineon Technologies BCW 61d E6327 0.0400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 6,869 32 v 100 MA 20NA (ICBO) PNP 550MV @ 1.25ma, 50ma 380 @ 2MA, 5V 250MHz
MPS5179RLRP onsemi MPS5179RLRP -
RFQ
 ECAD 6035 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 350MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.21.0075 4,000 15db 12V 50ma NPN 25 @ 3MA, 1V 2GHz 5dB @ 200MHz
NTE2342 NTE Electronics, Inc NTE2342 3.7400
RFQ
 ECAD 128 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W. To-92 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE2342 귀 99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 500NA pnp- 달링턴 1.8v @ 1ma, 1a 2000 @ 500ma, 10V 200MHz
PMG45UN,115 NXP USA Inc. PMG45UN, 115 -
RFQ
 ECAD 4179 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMG45 MOSFET (금속 (() 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 3A (TA) 55mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 250µA 3.3 NC @ 4.5 v 184 pf @ 10 v - 375MW (TA), 4.35W (TC)
2SA1566JIETR-E Renesas Electronics America Inc 2SA1566Jietr-e -
RFQ
 ECAD 1234 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.21.0095 1,000
AOSD62666E Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSD62666E 1.1600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AOSD62666 MOSFET (금속 (() 2.5W (TA) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 9.5A (TA) 14.5mohm @ 9.5a, 10V 2.2V @ 250µA 10NC @ 4.5V 755pf @ 30V 논리 논리 게이트
NTD5C688NLT4G onsemi NTD5C688NLT4G 2.8300
RFQ
 ECAD 6119 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD5C688 DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 7.5A (TA), 17A (TC) 27.4mohm @ 10a, 10V 2.1V @ 250µA -
BC807-40HZ Nexperia USA Inc. BC807-40Hz 0.2800
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 320 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 80MHz
NGTB25N120IHLWG onsemi ngtb25n120ihlwg -
RFQ
 ECAD 2248 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NGTB25 기준 192 w TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V - 1200 v 50 a 200a 2.3V @ 15V, 25A 800µJ (OFF) 200 NC -/235ns
RF1K4915696 Fairchild Semiconductor RF1K4915696 0.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 365 n 채널 30 v 6.3A (TA) 5V 30mohm @ 6.3a, 5V 2V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 10V 2030 pf @ 25 v - 2W (TA)
PDTC123JQC-QZ Nexperia USA Inc. PDTC123JQC-QZ 0.2900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTC123 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA npn-사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 230MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
NDS8858H Fairchild Semiconductor NDS8858H 0.5300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NDS885 MOSFET (금속 (() 1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 6.3a, 4.8a 35mohm @ 4.8a, 10V 2.8V @ 250µA 30NC @ 10V 720pf @ 15V 논리 논리 게이트
HUFA76413DK8 Fairchild Semiconductor HUFA76413DK8 0.3100
RFQ
 ECAD 5694 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HUFA76413 MOSFET (금속 (() 2.5W (TA) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 291 2 n 채널 (채널) 60V 5.1A (TC) 49mohm @ 5.1a, 10V 3V @ 250µA 23NC @ 10V 620pf @ 25v 논리 논리 게이트
RF1K4909096 Fairchild Semiconductor RF1K4909096 0.6200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RF1K4 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 12V 3.5A (TA) 50mohm @ 3.5a, 5V 2V @ 250µA 25NC @ 10V 750pf @ 10V 논리 논리 게이트
FF11MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies FF11MR12W1M1PB11BPSA1 -
RFQ
 ECAD 2479 0.00000000 인피온 인피온 EasyDual ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF11MR12 실리콘 실리콘 (sic) 20MW Ag-Easy1b-2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 30 2 n 채널 (채널) 1200V (1.2kv) 100A (TJ) 11.3MOHM @ 100A, 15V 5.55V @ 40MA 248NC @ 15V 7360pf @ 800V -
IPG20N04S4-08 Infineon Technologies IPG20N04S4-08 -
RFQ
 ECAD 6522 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ T2 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IPG20N MOSFET (금속 (() 65W (TC) PG-TDSON-8-4 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 2 n 채널 (채널) 40V 20A (TC) 7.6mohm @ 17a, 10V 4V @ 30µA 36NC @ 10V 2940pf @ 25v -
SI9926DY Fairchild Semiconductor Si9926Dy 0.2200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9926 MOSFET (금속 (() 900MW (TA) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 20V 6.5A (TA) 30mohm @ 6.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 10NC @ 4.5V 700pf @ 10V -
SQJ844AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ844AEP-T1_BE3 1.2100
RFQ
 ECAD 7886 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ844 MOSFET (금속 (() 48W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqj844aep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 8A (TC) 16.6MOHM @ 7.6A, 10V 2.5V @ 250µA 26NC @ 10V 1161pf @ 15V -
BSZ0908NDXTMA1 Infineon Technologies BSZ0908NDXTMA1 -
RFQ
 ECAD 8235 0.00000000 인피온 인피온 Optimos® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn BSZ0908 MOSFET (금속 (() 700MW (TA), 860MW (TA) PG-Wison-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 30V 4.8A (TA), 7.6A (TA) 18mohm @ 9a, 10v, 9mohm @ 9a, 10v 2V @ 250µA 3NC @ 4.5V, 6.4NC @ 4.5V 340pf @ 15v, 730pf @ 15v 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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