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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce |
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![]() | IRFH5006TR2PBF | - | ![]() | 5406 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 60 v | 21A (TA), 100A (TC) | 4.1mohm @ 50a, 10V | 4V @ 150µA | 100 nc @ 10 v | 4175 pf @ 30 v | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ199 (0) -t1 -az | 0.8000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP100R12KT4PB11BPSA1 | 231.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econopim ™ 3 | 쟁반 | 활동적인 | FP100R12 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUBW75-12T8 | - | ![]() | 3386 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | E3 | mubw75 | 355 w | 3 정류기 정류기 브리지 | E3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5 | 브레이크가있는 3 인버터 단계 | 도랑 | 1200 v | 110 a | 2.15V @ 15V, 75A | 4 MA | 예 | 5.35 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N6661 | 4.9500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 상자 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | MOSFET (금속 (() | To-39 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 2383-2N6661 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | n 채널 | 90 v | 900ma (TC) | 5V, 10V | 4mohm @ 1a, 10V | 2V @ 1mA | ± 40V | 50 pf @ 25 v | 6.25W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | es6u3t2cr | - | ![]() | 4984 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | MOSFET (금속 (() | 6-wemt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n 채널 | 30 v | 1.4A (TA) | 4V, 10V | 240mohm @ 1.4a, 10V | 2.5V @ 1mA | 1.4 NC @ 5 v | ± 20V | 70 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 800MW (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | RD3P01BATTL1 | 1.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RD3P01 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 100 v | 10A (TA) | 6V, 10V | 240mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 19.4 NC @ 10 v | ± 20V | 660 pf @ 50 v | - | 25W (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | IPD06P005LSAUMA1 | - | ![]() | 4812 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD06P | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001863510 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 6.5A (TC) | 4.5V, 10V | 250mohm @ 6.5a, 10V | 2V @ 270µA | 13.8 nc @ 10 v | ± 20V | 420 pf @ 30 v | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | 94-2403 | - | ![]() | 3334 | 0.00000000 | 국제 국제 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4PH40UD2-EP | - | ![]() | 2074 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 160 W. | TO-247AD | - | 0000.00.0000 | 1 | 800V, 21A, 10ohm, 15V | 50 ns | - | 1200 v | 41 a | 82 a | 3.1V @ 15V, 21A | 1.95mj (on), 1.71mj (OFF) | 100 NC | 22ns/100ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SCTH70N120G2V-7 | 31.3814 | ![]() | 9609 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | sicfet ((카바이드) | H2PAK-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 1200 v | 90A (TC) | 18V | 30mohm @ 50a, 18V | 4.9V @ 1mA | 150 nc @ 18 v | +22V, -10V | 3540 pf @ 800 v | - | 469W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | 6MS30017E43W40372NOSA1 | - | ![]() | 2354 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Modstack ™ HD | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 55 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 6MS30017 | 29140 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8543.70.9860 | 1 | 3 단계 인버터 | - | 1700 v | 1800 a | - | 예 | |||||||||||||||||||||||
![]() | hufa75343s3st | - | ![]() | 3013 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | hufa75 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 9mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 205 NC @ 20 v | ± 20V | 3000 pf @ 25 v | - | 270W (TC) | ||||||||||||||||||||
FDW2504P | 1.1200 | ![]() | 523 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | FDW25 | MOSFET (금속 (() | 600MW | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 3.8a | 43mohm @ 3.8a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 16nc @ 4.5v | 1030pf @ 10v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfz24nstrl | - | ![]() | 9576 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | auirfz24 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 17A (TC) | 10V | 70mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 370 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | MTB9N25ET4 | 0.5300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120DUM027AG | 932.4200 | ![]() | 4698 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 2968W (TC) | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM120DUM027AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 | 1200V (1.2kv) | 733A (TC) | 3.5mohm @ 360a, 20V | 2.8V @ 9mA | 2088NC @ 20V | 27000pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | FDS8449-G | 0.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-FDS8449-G | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 7.6A (TA) | 4.5V, 10V | 29mohm @ 7.6a, 10V | 3V @ 250µA | 11 NC @ 5 v | ± 20V | 760 pf @ 20 v | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | auirls3034-7p | 2.6600 | ![]() | 8774 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 40 v | 240A (TC) | 4.5V, 10V | 1.4mohm @ 200a, 10V | 2.5V @ 250µA | 180 NC @ 4.5 v | ± 20V | 10990 pf @ 40 v | - | 380W (TC) | ||||||||||||||||||||
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![]() | IXGN80N60A2 | - | ![]() | 2976 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXGN80 | 625 w | 기준 | SOT-227B | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 하나의 | - | 600 v | 160 a | 1.35V @ 15V, 80A | 25 µA | 아니요 | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRG8P45N65UD1-EPBF | - | ![]() | 3129 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | irg8p | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | SP001532704 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6012Jnjgtl | 3.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | R6012 | MOSFET (금속 (() | lpt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 12A (TC) | 15V | 390mohm @ 6a, 15V | 7V @ 2.5MA | 28 nc @ 15 v | ± 30V | 900 pf @ 100 v | - | 160W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | NTBG025N065SC1 | 22.3500 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | NTBG025 | sicfet ((카바이드) | D2PAK-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 650 v | 106A (TC) | 15V, 18V | 28.5mohm @ 45a, 18V | 4.3V @ 15.5mA | 164 NC @ 18 v | +22V, -8V | 3480 pf @ 325 v | - | 395W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | NVTFWS012P03P8ZTAG | 0.3713 | ![]() | 3171 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-nvtfws012p03p8ztagtr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | p 채널 | 30 v | 7A (TA) | 4.5V, 10V | 11.3MOHM @ 10A, 10V | 3V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 25V | 1535 pf @ 15 v | - | 860MW (TA) | |||||||||||||||||||
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일일 평균 RFQ 볼륨
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