SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SQJ858AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ858AEP-T1_BE3 1.3700
RFQ
ECAD 7783 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ858 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj858aep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 58A (TC) 6.3mohm @ 14a, 10V 2.5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 2450 pf @ 20 v - 48W (TC)
TSM4ND60CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4ND60CI C0G -
RFQ
ECAD 5832 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSM4ND60 MOSFET (금속 (() ITO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4A (TC) 10V 2.2ohm @ 1.4a, 10V 3.8V @ 250µA 17.2 NC @ 10 v ± 30V 582 pf @ 50 v - 41.6W (TC)
FD6M045N06 Fairchild Semiconductor FD6M045N06 6.1600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Power-SPM ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 EPM15 FD6M045 MOSFET (금속 (() - EPM15 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 19 2 n 채널 (채널) 60V 60a 40a, 40a, 10V 4.5mohm 4V @ 250µA 87NC @ 10V 3890pf @ 25v -
IRG4PC40UPBF Infineon Technologies irg4pc40upbf -
RFQ
ECAD 7898 0.00000000 인피온 인피온 - 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 160 W. TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 480V, 20A, 10ohm, 15V - 600 v 40 a 160 a 2.1V @ 15V, 20A 320µJ (on), 350µJ (OFF) 100 NC 34ns/110ns
STL26N60DM6 STMicroelectronics STL26N60DM6 3.8900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL26 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (8x8) HV 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 215mohm @ 7.5a, 10V 4.75V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 25V 940 pf @ 100 v - 110W (TC)
NSBA144EDXV6T1G Fairchild Semiconductor NSBA144EDXV6T1G 0.0900
RFQ
ECAD 36 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 NSBA144 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-NSBA144EDXV6T1G-600039 귀 99 8541.21.0095 3,761
PHM30NQ10T,518 NXP USA Inc. PHM30NQ10T, 518 -
RFQ
ECAD 3144 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 PHM30 MOSFET (금속 (() 8-HVSON (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 37.6A (TC) 10V 20mohm @ 18a, 10V 4V @ 1MA 53.7 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 25 v - 62.5W (TC)
SGH30N60RUFDTU onsemi sgh30n60rufdtu -
RFQ
ECAD 7989 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 SGH30N60 기준 235 W. to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 300V, 30A, 7ohm, 15V 95 ns - 600 v 48 a 90 a 2.8V @ 15V, 30A 919µJ (on), 814µJ (OFF) 85 NC 30ns/54ns
AOSD26313C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSD26313C 0.1725
RFQ
ECAD 5688 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AOSD213 MOSFET (금속 (() 1.7W (TA) 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-AOSD26313CTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 30V 7A (TA), 5.7A (TA) 20mohm @ 7a, 10v, 32mohm @ 5.7a, 10v 2.3V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 20nc @ 10v, 33nc @ 10v 600pf @ 15V, 1100pf @ 15V -
AUIRL7736M2TR International Rectifier auirl7736m2tr 1.0000
RFQ
ECAD 6393 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 M4 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 M4 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 179a (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 67A, 10V 2.5V @ 150µA 78 NC @ 4.5 v ± 16V 5055 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 63W (TC)
IRFB61N15DPBF International Rectifier IRFB61N15DPBF -
RFQ
ECAD 4102 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 150 v 60A (TC) 32mohm @ 36a, 10V 5.5V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 30V 3470 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 330W (TC)
AUIRLU3114Z-701TRL International Rectifier auirlu3114z-701trl 1.0800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 42A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 42a, 10V 2.5V @ 100µa 56 NC @ 4.5 v ± 16V 3810 pf @ 25 v - 140W (TC)
MCG40N10Y-TP Micro Commercial Co MCG40N10Y-TP 0.3514
RFQ
ECAD 5609 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 8-vdfn d 패드 MCG40 MOSFET (금속 (() DFN3333 다운로드 353-MCG40N10Y-TP 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 40a 4.5V, 10V 18.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 1051 pf @ 50 v - 43W
IRFS4115-7PPBF International Rectifier IRFS4115-7PPBF 2.5600
RFQ
ECAD 9405 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 14 n 채널 150 v 105A (TC) 10V 11.8mohm @ 63a, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 5320 pf @ 50 v - 380W (TC)
SFS9Z24 Fairchild Semiconductor SFS9Z24 0.3900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 60 v 7.5A (TC) 10V 280mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 29W (TC)
KSB1015OTU onsemi KSB1015OTU -
RFQ
ECAD 9779 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 KSB10 25 W. TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 60 v 3 a 100µA (ICBO) PNP 1V @ 300MA, 3A 60 @ 500ma, 5V 9MHz
ATP201-TL-H onsemi ATP201-TL-H -
RFQ
ECAD 7242 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 atpak (2 2+탭) ATP201 MOSFET (금속 (() atpak - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TA) 4.5V, 10V 17mohm @ 18a, 10V - 17 nc @ 10 v ± 20V 985 pf @ 10 v - 30W (TC)
3LP01C-TB-H onsemi 3LP01C-TB-H -
RFQ
ECAD 6489 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 3LP01 MOSFET (금속 (() SC-59-3/CP3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 100MA (TA) 1.5V, 4V 10.4ohm @ 50ma, 4v - 1.43 NC @ 10 v ± 10V 7.5 pf @ 10 v - 250MW (TA)
IXFA72N30X3 IXYS IXFA72N30X3 10.3300
RFQ
ECAD 227 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA72 MOSFET (금속 (() TO-263AA (IXFA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 300 v 72A (TC) 10V 19mohm @ 36a, 10V 4.5V @ 1.5MA 82 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 390W (TC)
TIP131 onsemi 팁 131 -
RFQ
ECAD 9609 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 팁 131 2 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 8 a 500µA npn-달링턴 3V @ 30MA, 6A 1000 @ 4a, 4v -
PSMN2R9-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN2R9-25YLC, 115 -
RFQ
ECAD 7671 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 psmn2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,500
JANSR2N3499 Microchip Technology JANSR2N3499 41.5800
RFQ
ECAD 5511 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/366 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 150-JANSR2N3499 1 100 v 500 MA 10µA (ICBO) NPN 600mv @ 30ma, 300ma 100 @ 150ma, 10V -
S8550-C-BP Micro Commercial Co S8550-C-BP -
RFQ
ECAD 2703 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) S8050 625 MW To-92 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 353-S8550-C-BP 귀 99 8541.21.0075 1,000 25 v 500 MA 200na PNP 600mv @ 50ma, 500ma 120 @ 50MA, 1V 150MHz
SH8M24GZETB Rohm Semiconductor SH8M24GZETB 1.3200
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) Sh8m24 MOSFET (금속 (() 1.4W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 45V 6A (TA) 46MOHM @ 4.5A, 10V, 63MOHM @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 9.6nc @ 5v, 18.2nc @ 5v 550pf @ 10V, 1700pf @ 10V -
CXDM6053N TR PBFREE Central Semiconductor Corp CXDM6053N TR PBFREE 0.9700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA CXDM6053 MOSFET (금속 (() SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 41mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 8.8 NC @ 5 v 20V 920 pf @ 30 v - 1.2W (TA)
RJK03B7DPA-WS#J53 Renesas Electronics America Inc RJK03B7DPA-WS#J53 0.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 541
STL30P3LLH6 STMicroelectronics stl30p3llh6 1.1000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL30 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 4.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 12 nc @ 4.5 v ± 20V 1450 pf @ 25 v - 75W (TC)
MCU60P06-TP Micro Commercial Co MCU60P06-TP 2.4800
RFQ
ECAD 7285 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MCU60 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-MCU60P06-TPTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 60A (TC) 10V 18mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 5814 pf @ 25 v - 130W (TC)
ART150PEXY Ampleon USA Inc. ART150PEXY 56.6200
RFQ
ECAD 85 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 200 v 표면 표면 TO-270AA ART150 1MHz ~ 650MHz LDMOS TO-270-2F-1 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 1.4µA 500 MA 150W 31.2db - 65 v
MPSW01G Sanyo MPSW01G 0.1700
RFQ
ECAD 55 0.00000000 Sanyo - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) 1 W. TO-92 (TO-226) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0075 5,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 60 @ 100MA, 1V 50MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고