전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | jantx2n5793a | 120.3406 | ![]() | 5846 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/495 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N5793 | 600MW | To-78-6 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (() | 900mv @ 30ma, 300ma | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | IPG15N06S3L-45 | - | ![]() | 5377 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | IPG15N | MOSFET (금속 (() | 21W | PG-TDSON-8-4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) | 55V | 15a | 45mohm @ 10a, 10V | 2.2V @ 10µA | 20NC @ 10V | 1420pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | SI2327DS-T1-GE3 | - | ![]() | 6148 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2327 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 200 v | 380MA (TA) | 6V, 10V | 2.35ohm @ 500ma, 10V | 4.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 510 pf @ 25 v | - | 750MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fdg330p | 0.3400 | ![]() | 219 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (금속 (() | SC-88 (SC-70-6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 2A (TA) | 110mohm @ 2a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 7 NC @ 4.5 v | ± 8V | 477 pf @ 6 v | - | 480MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1909, LF (Ct | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN1909 | 200MW | US6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 250µA, 5MA | 70 @ 10ma, 5V | 250MHz | 47kohms | 22kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM900N06CP ROG | 1.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | TSM900 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 11A (TC) | 4.5V, 10V | 90mohm @ 6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 9.3 NC @ 10 v | ± 20V | 500 pf @ 15 v | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | FQAF90N08 | 2.3700 | ![]() | 340 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 360 | n 채널 | 80 v | 56A (TC) | 10V | 16mohm @ 28a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 25V | 3250 pf @ 25 v | - | 100W (TC) |
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