SIC
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트랜지스터 (100539)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
JANSH2N2221AUB/TR Microchip Technology JANSH2N2221AUB/TR 165.5408
RFQ
 ECAD 6209 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/255 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW ub - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jansh2n2221aub/tr 귀 99 8541.21.0095 1 50 v 800 MA 50NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
AOTF160A60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF160A60L 3.2400
RFQ
 ECAD 615 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF160 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-AOTF160A60L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 24A (TJ) 10V 160mohm @ 12a, 10V 3.6V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 2340 pf @ 100 v - 34.7W (TC)
IPTC020N13NM6ATMA1 Infineon Technologies IPTC020N13NM6ATMA1 4.5336
RFQ
 ECAD 4576 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-IPTC020N13NM6ATMA1TR 1,800
BC858AE6327 Infineon Technologies BC858AE6327 1.0000
RFQ
 ECAD 6606 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 250MHz
IXTA300N04T2-7 IXYS IXTA300N04T2-7 5.2412
RFQ
 ECAD 2233 0.00000000 ixys Trencht2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IXTA300 MOSFET (금속 (() TO-263-7 (IXTA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 300A (TC) 10V 2.5mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 10700 pf @ 25 v - 480W (TC)
SQA401EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix SQA401EJ-T1_GE3 0.6300
RFQ
 ECAD 2854 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SQA401 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.75A (TC) 2.5V, 4.5V 125mohm @ 2.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 v ± 12V 330 pf @ 10 v - 13.6W (TC)
BLC2425M8LS300PZ Ampleon USA Inc. BLC2425M8LS300PZ 123.8550
RFQ
 ECAD 2186 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 65 v 표면 표면 SOT1250-1 BLC2425 2.45GHz LDMOS SOT1250-1 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 20 이중, 소스 일반적인 - 20 MA 300W 17.5dB - 32 v
SBC807-40LT3G onsemi SBC807-40LT3G 0.2800
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SBC807 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
FDMS5361L-F085 Fairchild Semiconductor FDMS5361L-F085 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 56 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-FDMS5361L-F085-600039 1 n 채널 60 v 35A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 16.5a, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1980 pf @ 25 v - 75W (TC)
STP11NM80 STMicroelectronics STP11NM80 6.3500
RFQ
 ECAD 7267 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP11 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-4369-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 11A (TC) 10V 400mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 43.6 NC @ 10 v ± 30V 1630 pf @ 25 v - 150W (TC)
UPA2379T1P-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA2379T1P-E1-A -
RFQ
 ECAD 3673 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-XFLGA UPA2379 MOSFET (금속 (() 1.8W 6-Eflip-LGA (2.17x1.47) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 - - - - 20nc @ 4v - 로직 로직 게이트, 2.5V 드라이브
NTTFS5C670NLTWG onsemi NTTFS5C670NLTWG 0.8737
RFQ
 ECAD 8022 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS5 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 16A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 35a, 10V 2V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 3.2W (TA), 63W (TC)
ALD1110EPAL Advanced Linear Devices Inc. ald1110epal 6.8234
RFQ
 ECAD 6708 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD1110 MOSFET (금속 (() 600MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10V - 500ohm @ 5V 1.01V @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
IXGA8N100 IXYS IXGA8N100 -
RFQ
 ECAD 8391 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXGA8 기준 54 w TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 800V, 8A, 120ohm, 15V Pt 1000 v 16 a 32 a 2.7V @ 15V, 8A 2.3mj (OFF) 26.5 NC 15ns/600ns
UPA2454TL-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA2454TL-E1-A 0.8000
RFQ
 ECAD 152 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
ATF-521P8-TR1 Broadcom Limited ATF-521P8-TR1 -
RFQ
 ECAD 6994 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 7 v 8-Wfdfn d 패드 패드 2GHz Phemt Fet 8-LPCC (2x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 500ma 200 MA 26.5dBM 17dB 1.5dB 4.5 v
SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56ACT, L3F 0.3900
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SC-101, SOT-883 SSM3J56 MOSFET (금속 (() CST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 1.4A (TA) 1.2V, 4.5V 390mohm @ 800ma, 4.5v 1V @ 1mA 1.6 NC @ 4.5 v ± 8V 100 pf @ 10 v - 500MW (TA)
BCR 119T E6327 Infineon Technologies BCR 119T E6327 -
RFQ
 ECAD 9386 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 BCR 119 250 MW PG-SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 150MHz 4.7 Kohms
AON6448L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6448L -
RFQ
 ECAD 9911 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. SDMOS ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AON644 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 11A (TA), 65A (TC) 7V, 10V 9.6MOHM @ 10A, 10V 3.7V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 25V 3100 pf @ 40 v - 2.5W (TA), 83W (TC)
AOD409_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD409_001 -
RFQ
 ECAD 7144 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD40 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 26A (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 20a, 10V 2.4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 60W (TC)
BC858BW-7-F Diodes Incorporated BC858BW-7-F 0.0349
RFQ
 ECAD 8407 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC858 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 200MHz
IRG7CH20K10EF Infineon Technologies IRG7CH20K10EF -
RFQ
 ECAD 3425 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 irg7ch 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
IXFP36N55X2 IXYS ixfp36n55x2 8.8776
RFQ
 ECAD 1281 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X2 튜브 활동적인 - - - IXFP36 - - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXFP36N55X2 귀 99 8541.29.0095 50 - - - - - - - -
DDTA113ZCA-7 Diodes Incorporated DDTA113ZCA-7 -
RFQ
 ECAD 8525 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA113 200 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
MMDT3906-7 Diodes Incorporated MMDT3906-7 -
RFQ
 ECAD 9321 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT3906 200MW SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma - 2 PNP (() 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
DTC363EUT106 Rohm Semiconductor DTC363EUT106 -
RFQ
 ECAD 5816 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC363 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 600 MA 500NA npn-사전- 80MV @ 2.5MA, 50MA 70 @ 50MA, 5V 200MHz 6.8 Kohms 6.8 Kohms
JANSP2N2906AUB Microchip Technology JANSP2N2906AUB 148.2202
RFQ
 ECAD 9783 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/291 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 3-smd,, 없음 500MW ub - 영향을받지 영향을받지 150-JANSP2N2906AUB 1 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 40 @ 150ma, 10V -
STD3N80K5 STMicroelectronics STD3N80K5 1.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh5 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD3N80 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 2.5A (TC) 10V 3.5ohm @ 1a, 10V 5V @ 100µa 9.5 nc @ 10 v ± 30V 130 pf @ 100 v - 60W (TC)
2N5407 Microchip Technology 2N5407 23.7671
RFQ
 ECAD 6618 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 7.5 w To-5 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 5 a - PNP - - -
ADC144EUQ-13 Diodes Incorporated ADC144EUQ-13 0.3700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 ADC144 270MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 - 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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