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트랜지스터 (100539)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB110P06LMATMA1 | 5.4300 |  | 159 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB110 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 60 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 100a, 10V | 2V @ 5.55MA | 281 NC @ 10 v | ± 20V | 8500 pf @ 30 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | ika08n65h5xksa1 | - | | 2861 | 0.00000000 | 국제 국제 | TrenchStop ™ 5 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 기준 | 31.2 w | PG-to220-3-111 | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-IKA08N65H5XKSA1-600047 | 1 | 400V, 4A, 48ohm, 15V | 40 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 10.8 a | 24 a | 2.1V @ 15V, 8A | 70µJ (on), 30µJ (OFF) | 22 NC | 11ns/115ns | ||||||||||||||||||||||||||||
 | ADC114YUQ-7 | 0.3200 | | 3 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ADC114 | 270MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100ma | - | 2 npn--바이어스 (듀얼) | - | - | 250MHz | 10kohms, 47kohms | 10kohms, 47kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | re1l002sntl | 0.4000 | | 52 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | RE1L002 | MOSFET (금속 (() | EMT3F (SOT-416FL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 250MA (TA) | 10V | 2.4ohm @ 250ma, 10V | 2.3v @ 1ma | ± 20V | 15 pf @ 25 v | - | 150MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | fqu8n25tu | - | | 2338 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | fqu8 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 70 | n 채널 | 250 v | 6.2A (TC) | 10V | 550mohm @ 3.1a, 10V | 5V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 530 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | SQ4401EY-T1_GE3 | 2.9300 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4401 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 17.3A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 115 NC @ 10 v | ± 20V | 4250 pf @ 20 v | - | 7.14W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| jantxv2n6353 | - | | 7709 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/472 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 2N6353 | 2 w | TO-66 (TO-213AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 5 a | - | npn-달링턴 | 2.5V @ 10MA, 5A | 1000 @ 5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | sqj407ep-t1_ge3 | 1.4800 | | 6300 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ407 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 4.4mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 260 NC @ 10 v | ± 20V | 10700 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | BCR521E6327HTSA1 | 0.0838 | | 6917 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR521 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300mv @ 2.5ma, 50ma | 20 @ 50MA, 5V | 100MHz | 1 KOHMS | 1 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||
 | GP2T080A120U | 11.8700 | | 414 | 0.00000000 | 세미크 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | GP2T080A | sicfet ((카바이드) | TO-247-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 1560-GP2T080A120U | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 35A (TC) | 20V | 100mohm @ 20a, 20V | 4V @ 10MA | 58 NC @ 20 v | +25V, -10V | 1377 pf @ 1000 v | - | 188W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BC517_L34Z | - | | 2991 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC517 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 30 v | 1.2 a | 100NA (ICBO) | npn-달링턴 | 1V @ 100µa, 100ma | 30000 @ 20MA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | jantx2n5153L | 45.7653 | | 1662 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/545 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N5153 | 1 W. | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | PNP | 1.5v @ 500ma, 5a | 70 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | DDTC144EUA-7 | 0.1000 | | 22 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | * | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | DDTC144 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1034-DDTC144EUA-7DKR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IAUS300N08S5N011TATMA1 | 8.9100 | | 5880 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-Powersop op | MOSFET (금속 (() | PG-HDSOP-16-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 80 v | 300A (TJ) | 6V, 10V | 1.1MOHM @ 100A, 10V | 3.8V @ 275µA | 231 NC @ 10 v | ± 20V | 16250 pf @ 40 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | irfr4105trlpbf | - | | 5675 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR4105 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 27A (TC) | 10V | 45mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IPP80N06S407AKSA1 | - | | 7039 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP80N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 80A (TC) | 10V | 7.4mohm @ 80a, 10V | 4V @ 40µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | SUM110P04-05-E3 | 4.7600 | | 70 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SUM110 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 40 v | 110A (TC) | 10V | 5MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 280 nc @ 10 v | ± 20V | 11300 pf @ 25 v | - | 15W (TA), 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| VID50-12P1 | - | | 3555 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Eco-PAC2 | vid | 208 w | 기준 | Eco-PAC2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 하나의 | NPT | 1200 v | 49 a | 3.7V @ 15V, 50A | 1.1 MA | 예 | 1.65 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TSM070NB04CR RLG | 2.0200 | | 7 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | TSM070 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 15A (TA), 75A (TC) | 10V | 7mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 2403 PF @ 20 v | - | 3.1W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | DDTC114GCA-7 | - | | 7832 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DDTC114 | 200 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||
 | STP4N52K3 | 1.4800 | | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP4N52 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 525 v | 2.5A (TC) | 10V | 2.6ohm @ 1.25a, 10V | 4.5V @ 50µA | 11 NC @ 10 v | ± 30V | 334 pf @ 100 v | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | DMN2500UFB4-7B | - | | 7480 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | DMN2500 | MOSFET (금속 (() | X2-DFN1006-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | DMN2500UFB4-7BDI | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 810MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 400mohm @ 600ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.737 NC @ 4.5 v | ± 6V | 60.67 pf @ 16 v | - | 460MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | PHB20NQ20T, 118 | - | | 5594 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 20A (TC) | 10V | 130mohm @ 10a, 10V | 4V @ 1MA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 2470 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| irfr4104trpbf | 1.7800 | | 11 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR4104 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 42A (TC) | 10V | 5.5mohm @ 42a, 10V | 4V @ 250µA | 89 NC @ 10 v | ± 20V | 2950 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | BCP56TF | 0.4800 | | 21 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BCP56 | 1.8 w | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 63 @ 150ma, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | auirlr024z | 0.5800 | | 21 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 16A (TC) | 4.5V, 10V | 58mohm @ 9.6a, 10V | 3V @ 250µA | 9.9 NC @ 5 v | ± 16V | 380 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| SCT2280KEHRC11 | 15.1500 | | 450 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SCT2280 | sicfet ((카바이드) | TO-247N | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-SCT280KEHRC11 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 14A (TC) | 18V | 364mohm @ 4a, 18V | 4V @ 1.4ma | 36 NC @ 400 v | +22V, -6V | 667 pf @ 800 v | - | 108W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | BC56-10PAS115 | 0.0600 | | 54 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICD22V05X1SA1 | - | | 6470 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000986946 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | fqi6n60ctu | - | | 7708 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | fqi6 | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 5.5A (TC) | 10V | 2ohm @ 2.75a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 810 pf @ 25 v | - | 125W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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