SIC
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트랜지스터 (100539)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
RCX160N20 Rohm Semiconductor RCX160N20 1.6400
RFQ
 ECAD 4243 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RCX160 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 200 v 16A (TC) 10V 180mohm @ 8a, 10V 5.25V @ 1mA 26 NC @ 10 v ± 30V 1370 pf @ 25 v - 2.23W (TA), 40W (TC)
FQAF17P10 onsemi FQAF17P10 -
RFQ
 ECAD 4462 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 FQAF1 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 p 채널 100 v 12.4A (TC) 10V 190mohm @ 6.2a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 56W (TC)
FD500R65KE3KNOSA1 Infineon Technologies FD500R65KE3KNOSA1 2.0000
RFQ
 ECAD 9898 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -50 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FD500R65 9600 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8541.29.0095 1 단일 단일 - 6500 v 500 a 3.4V @ 15V, 500A 5 MA 아니요 135 NF @ 25 v
MMBT2484LT3G onsemi MMBT2484LT3G 0.3000
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2484 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 60 v 100 MA 10NA (ICBO) NPN 350MV @ 100µa, 1mA 250 @ 1ma, 5V -
PSMN5R4-25YLD,115 Nexperia USA Inc. PSMN5R4-25YLD, 115 0.8000
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
AON6380 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6380 0.2034
RFQ
 ECAD 1697 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. * 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 Aon63 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000
IXFX140N60X3 IXYS IXFX140N60X3 25.1893
RFQ
 ECAD 5279 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 IXFX140 - 238-IXFX140N60X3 30
2SJ652-1E onsemi 2SJ652-1E -
RFQ
 ECAD 1252 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SJ652 MOSFET (금속 (() TO-220F-3SG - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 28A (TA) 4V, 10V 38mohm @ 14a, 10V - 80 nc @ 10 v ± 20V 4360 pf @ 20 v - 2W (TA), 30W (TC)
PDTB143XTR Nexperia USA Inc. pdtb143xtr 0.4000
RFQ
 ECAD 426 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTB143 320 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 140MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
2SD12110S Panasonic Electronic Components 2SD12110 -
RFQ
 ECAD 9932 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SD121 1 W. TO-92L-A1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 200 120 v 500 MA - NPN 1V @ 30MA, 300MA 185 @ 150ma, 10V 200MHz
NTE36 NTE Electronics, Inc NTE36 5.1900
RFQ
 ECAD 296 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 100 W. to-3p 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE36 귀 99 8541.29.0095 1 140 v 12 a 100µA NPN 2.5v @ 500ma, 5a 60 @ 1a, 5V 15MHz
FDC6312P onsemi FDC6312P 0.6800
RFQ
 ECAD 8539 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FDC6312 MOSFET (금속 (() 700MW SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.3a 115mohm @ 2.3a, 4.5v 1.5V @ 250µA 7NC @ 4.5V 467pf @ 10V 논리 논리 게이트
STH290N4F6-6 STMicroelectronics STH290N4F6-6 -
RFQ
 ECAD 9144 0.00000000 stmicroelectronics * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 STH290 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000
SQ3456BEV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3456BEV-T1_GE3 0.6900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3456 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7.8A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 370 pf @ 15 v - 4W (TC)
JANTXV2N5238S Microchip Technology jantxv2n5238s 22.8893
RFQ
 ECAD 2543 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/394 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N5238 1 W. TO-39 (TO-205AD) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 170 v 10 a 10µA NPN 2.5V @ 1A, 10A 40 @ 5a, 5V -
CSD17581Q5AT Texas Instruments CSD17581Q5AT 1.0400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CSD17581 MOSFET (금속 (() 8-vsonp (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 n 채널 30 v 24A (TA), 123A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 16a, 10V 1.7V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 3640 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 83W (TC)
IXTP15N50L2 IXYS IXTP15N50L2 10.2500
RFQ
 ECAD 3989 0.00000000 ixys l2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP15 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 15A (TC) 10V 480mohm @ 7.5a, 10V 4.5V @ 250µA 123 NC @ 10 v ± 20V 4080 pf @ 25 v - 300W (TC)
SI7392ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7392ADP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3398 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7392 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 12.5a, 10V 2.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1465 pf @ 15 v - 5W (TA), 27.5W (TC)
2N7002-7-F Diodes Incorporated 2N7002-7-F 0.1900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 50ma, 5V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 370MW (TA)
IRG4BC40W-LPBF International Rectifier IRG4BC40W-LPBF 2.0300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 국제 국제 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 기준 160 W. TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 480V, 20A, 10ohm, 15V - 600 v 40 a 160 a 2.5V @ 15V, 20A 110µJ (on), 230µJ (OFF) 98 NC 27ns/100ns
STP14NM50N STMicroelectronics STP14NM50N 4.0100
RFQ
 ECAD 919 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP14 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-10650-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 12A (TC) 10V 320mohm @ 6a, 10V 4V @ 100µa 27 NC @ 10 v ± 25V 816 pf @ 50 v - 90W (TC)
FP50R12N2T7B16BPSA1 Infineon Technologies FP50R12N2T7B16BPSA1 151.0773
RFQ
 ECAD 1924 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 FP50R12 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15
A2F12M12W2-F1 STMicroelectronics A2F12M12W2-F1 225.7800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 stmicroelectronics - 쟁반 활동적인 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 A2F12M12 기준 Acepack ™ 2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 18 전체 전체 - - 예 7 NF @ 800 v
R6524KNXC7G Rohm Semiconductor R6524KNXC7G 5.5800
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 R6524 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6524KNXC7G 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 24A (TA) 10V 185mohm @ 11.3a, 10V 5V @ 750µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1850 pf @ 25 v - 74W (TC)
IPW65R150CFDFKSA2 Infineon Technologies IPW65R150CFDFKSA2 5.2300
RFQ
 ECAD 2547 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW65R150 MOSFET (금속 (() PG-to247-3-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 650 v 22.4A (TC) 10V 150mohm @ 9.3a, 10V 4.5V @ 900µA 86 NC @ 10 v ± 20V 2340 pf @ 100 v - 195.3W (TC)
IXGR50N60B IXYS IXGR50N60B -
RFQ
 ECAD 1840 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGR50 기준 250 W. ISOPLUS247 ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 50A, 2.7OHM, 15V - 600 v 75 a 200a 2.5V @ 15V, 50A 3MJ (OFF) 110 NC 50ns/110ns
APTGF50H60T3G Microchip Technology APTGF50H60T3G -
RFQ
 ECAD 5377 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP3 250 W. 기준 SP3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 인버터 NPT 600 v 65 a 2.45V @ 15V, 50A 250 µA 예 2.2 NF @ 25 v
2N6519TA onsemi 2N6519TA -
RFQ
 ECAD 2545 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N6519 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 300 v 500 MA 50NA (ICBO) PNP 1V @ 5MA, 50MA 40 @ 50MA, 10V 200MHz
BC817DPNF Nexperia USA Inc. BC817DPNF 0.4800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 BC817 370MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45V 500ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz, 80MHz
NPTB00004A MACOM Technology Solutions NPTB00004A 20.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Macom 기술 솔루션 - 튜브 활동적인 100 v 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NPTB00004 0Hz ~ 6GHz 헴 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1465-1410 귀 99 8541.29.0095 95 1.4a 50 MA 4W 14.8dB - 28 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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