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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
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![]() | BSM35GD120DN2 | - | ![]() | 2930 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모 쓸모 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | BSM35G | 280 W. | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 단계 인버터 | NPT | 1200 v | 50 a | 3.2V @ 15V, 35A | 아니요 | 2 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC5402DTTU-FS | 1.0000 | ![]() | 4033 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 50 W. | TO-220-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 450 v | 2 a | 100µA | NPN | 750mv @ 200ma, 1a | 6 @ 1a, 1v | 11MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP32C | - | ![]() | 4328 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | TIP32C | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 2 w | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 476 | 100 v | 3 a | 300µA | PNP | 1.2v @ 375ma, 3a | 25 @ 1a, 4v | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4861JTXV02 | - | ![]() | 1214 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | - | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 2N4861 | TO-206AA (TO-18) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC2314E | 0.1500 | ![]() | 170 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC858AT | 0.0250 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-BC858ATTR | 귀 99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTP10N40E1D | 1.4600 | ![]() | 3090 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 기준 | 75 w | TO-220 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 162 | - | - | 400 v | 17.5 a | 3.2V @ 20V, 17.5A | - | 19 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSP8599CTA | 0.0200 | ![]() | 9617 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모 쓸모 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 80 v | 500 MA | 100NA | PNP | 400mv @ 5ma, 100ma | 100 @ 1ma, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO051N03ms g | 0.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | PG-DSO-8 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 18a, 10V | 2V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 4300 pf @ 15 v | - | 1.56W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP6030BL | - | ![]() | 7174 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FDP60 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 17 nc @ 5 v | ± 20V | 1160 pf @ 15 v | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK536-TB-E | 0.2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Sanyo | - | 대부분 | 활동적인 | 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | 3-cp | 다운로드 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,411 | n 채널 | 50 v | 100MA (TA) | 10V | 20ohm @ 10ma, 10V | - | ± 12V | 15 pf @ 10 v | - | 200MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTN5N250 | 51.3450 | ![]() | 4002 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXTN5 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 2500 v | 5A (TC) | 10V | 8.8ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 1MA | 200 nc @ 10 v | ± 30V | 8560 pf @ 25 v | - | 700W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847BQAZ | - | ![]() | 9543 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xdfn d 패드 | 280 MW | DFN1010D-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B11G2327N70DX | - | ![]() | 5346 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 65 v | 표면 표면 | 36-Qfn n 패드 | B11G2327 | 2.3GHz ~ 2.7GHz | ldmos (() | 36-PQFN (12x7) | - | 쓸모없는 | 1 | - | - | - | 30.3db | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPL60R095CFD7AUMA1 | 6.1800 | ![]() | 6190 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-powertsfn | IPL60R095 | MOSFET (금속 (() | PG-VSON-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2A (4 주) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 25A (TC) | 10V | 95mohm @ 1.4a, 10V | 4.5V @ 570µA | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 2103 PF @ 400 v | - | 147W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4159E | - | ![]() | 2612 | 0.00000000 | Sanyo | * | 대부분 | 쓸모 쓸모 | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-2SC4159E-600057 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4641T-AA-SY | 0.0200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Sanyo | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI5456DU-T1-GE3 | - | ![]() | 8269 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | SI5456 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® ChipFet ™ 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 9.3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 10 v | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH3209-TL-E | 0.1200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Sanyo | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 900 MW | 3-cph | 다운로드 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 v | 3 a | 100NA (ICBO) | NPN | 155MV @ 75MA, 1.5A | 200 @ 500ma, 2v | 450MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NESG2046M33-T3-A | - | ![]() | 8514 | 0.00000000 | 셀 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 리드 | NESG2046 | 130MW | 3-Superminimold (M33) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 9.5dB ~ 11.5dB | 5V | 40ma | NPN | 140 @ 2MA, 1V | 18GHz | 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF200R12W1H3B27BOMA1 | 72.2225 | ![]() | 7929 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | DF200R12 | 375 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 24 | 2 독립 | - | 1200 v | 30 a | 1.3V @ 15V, 30A | 1 MA | 예 | 2 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT8014JLL | - | ![]() | 1794 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 800 v | 42A (TC) | 10V | 140mohm @ 21a, 10V | 5V @ 5MA | 285 NC @ 10 v | ± 30V | 7238 pf @ 25 v | - | 595W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI120N06S403AKSA1 | - | ![]() | 4754 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI120N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 3.2mohm @ 100a, 10V | 4V @ 120µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 13150 pf @ 25 v | - | 167W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT35M4LFVW-13 | 0.1983 | ![]() | 2115 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | DMT35M4LF | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT35M4LFVW-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 16A (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 16.1 NC @ 10 v | ± 20V | 982 pf @ 15 v | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI3447BDV-T1-E3 | - | ![]() | 9859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3447 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 4.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 40mohm @ 6a, 4.5v | 1V @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SQA405EJ-T1_GE3 | 0.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SQA405 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 10A (TC) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 1815 pf @ 25 v | - | 13.6W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3715 | - | ![]() | 9062 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL3715 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 54A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 26a, 10V | 3V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1060 pf @ 10 v | - | 3.8W (TA), 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
STP12N120K5 | 11.3400 | ![]() | 7545 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP12 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 1200 v | 12A (TC) | 10V | 6A, 6A, 10V | 5V @ 100µa | 44.2 NC @ 10 v | ± 30V | 1370 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATP114-TL-H | - | ![]() | 5926 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | atpak (2 2+탭) | ATP114 | MOSFET (금속 (() | atpak | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 55A (TA) | 4V, 10V | 16mohm @ 28a, 10V | - | 92 NC @ 10 v | ± 20V | 4000 pf @ 20 v | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT10H032LSSSS-13 | 0.2198 | ![]() | 4307 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DMT10 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT10H032LSS-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 11.9 NC @ 10 v | ± 20V | 683 pf @ 50 v | - | 1.3W (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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