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트랜지스터 (100539)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CPH3456-TL-H | - |  | 1475 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CPH345 | MOSFET (금속 (() | 3-cph | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 3.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 71mohm @ 1.5a, 4.5v | - | 2.8 NC @ 4.5 v | ± 12V | 260 pf @ 10 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SIHB065N60E-GE3 | 6.8400 | | 6078 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB065 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 40A (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10V | 5V @ 250µA | 74 NC @ 10 v | ± 30V | 2700 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF6218STRLPBF | - | | 7475 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 150 v | 27A (TC) | 10V | 150mohm @ 16a, 10V | 5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2210 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
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 | Siss10ADN-T1-GE3 | 0.9600 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8S | SISS10 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 31.7A (TA), 109A (TC) | 4.5V, 10V | 2.65mohm @ 15a, 10V | 2.4V @ 250µA | 61 NC @ 10 v | +20V, -16V | 3030 pf @ 20 v | - | 4.8W (TA), 56.8W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
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 | IPD031N03LGBTMA1 | 0.5302 | | 2998 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD031 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000236957 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 5300 pf @ 15 v | - | 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | AOTF15B60D2 | - | | 4303 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF15 | 기준 | 42 W. | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 10A, 30ohm, 15V | 105 ns | - | 600 v | 23 a | 40 a | 1.8V @ 15V, 10A | 260µJ (on), 70µJ (OFF) | 17.4 NC | 10ns/72ns | ||||||||||||||||||||||||||||
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 | IPP80N06S4L05AKSA1 | - | | 3124 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP80N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 80a, 10V | 2.2v @ 60µa | 110 NC @ 10 v | ± 16V | 8180 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
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 | AONR21321 | 0.4600 | | 332 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | AONR213 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 30 v | 24A (TC) | 4.5V, 10V | 16.5mohm @ 12a, 10V | 2.3V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 25V | 1180 pf @ 15 v | - | 4.1W (TA), 24W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PUMX1,115 | - | | 5735 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | pumx1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SSM6N7002BFU (T5L, f | - | | 3812 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SSM6N7002 | MOSFET (금속 (() | 300MW | US6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 200ma | 2.1ohm @ 500ma, 10V | 3.1V @ 250µA | - | 17pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC869,135 | 0.1506 | | 5817 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BC869 | 1.2 w | SOT-89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 20 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100ma, 1a | 85 @ 500ma, 1V | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | TK16N60W, S1VF | 4.1900 | | 7281 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | dtmosiv | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | Tk16n60 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 15.8A (TA) | 10V | 190mohm @ 7.9a, 10V | 3.7V @ 790µA | 38 NC @ 10 v | ± 30V | 1350 pf @ 300 v | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FGD3040G2-F085 | 1.9200 | | 1144 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101, ECOSPARK® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FGD3040 | 논리 | 150 W. | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 300V, 6.5A, 1KOHM, 5V | - | 400 v | 41 a | 1.25V @ 4V, 6A | - | 21 NC | -/4.8µs | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANSH2N2221AUB/TR | 165.5408 | | 6209 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 500MW | ub | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jansh2n2221aub/tr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DMP4050SSD-13 | 0.9200 | | 213 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DMP4050 | MOSFET (금속 (() | 1.8W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 40V | 4a | 50mohm @ 6a, 10V | 3V @ 250µA | 13.9NC @ 10V | 674pf @ 20V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TK20P04M1, RQ (s | - | | 3613 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | u-mosvi-h | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | TK20P04 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 20A (TA) | 4.5V, 10V | 29mohm @ 10a, 10V | 2.3v @ 100µa | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 985 pf @ 10 v | - | 27W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | NDT03N40ZT3G | - | | 4863 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | NDT03 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 (TO-261) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 400 v | 500MA (TC) | 10V | 3.4ohm @ 600ma, 10V | 4.5V @ 50µA | 6.6 NC @ 10 v | ± 30V | 140 pf @ 50 v | - | 2W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | HUF75637S3S | - | | 8119 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | HUF75 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 100 v | 44A (TC) | 10V | 30mohm @ 44a, 10V | 4V @ 250µA | 108 NC @ 20 v | ± 20V | 1700 pf @ 25 v | - | 155W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BCP56-10T-QF | 0.0726 | | 8939 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, BCP56T-Q | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BCP56 | 600MW | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 63 @ 150ma, 2V | 155MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6VP3091NBR1 | - | | 2613 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 115 v | 섀시 섀시 | TO-272BB | MRF6 | 860MHz | LDMOS | TO-272 WB-4 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 935319809528 | 5A991G | 8541.29.0075 | 500 | 이중 | - | 350 MA | 18W | 22db | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SQM120N03-1M5L_GE3 | 3.8200 | | 9647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SQM120 | MOSFET (금속 (() | TO-263 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 1.5mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 270 nc @ 10 v | ± 20V | 15605 pf @ 15 v | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | STP100N8F6 | 1.6100 | | 41 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ F6 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP100 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-15553-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 80 v | 100A (TC) | 10V | 9mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 5955 pf @ 25 v | - | 176W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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