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트랜지스터 (100539)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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 | 2SK3367-AZ | 1.2800 | | 753 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | Nths5441t1g | 1.2000 | | 2 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | nths5441 | MOSFET (금속 (() | Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.9A (TA) | 2.5V, 4.5V | 46mohm @ 3.9a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 22 nc @ 4.5 v | ± 12V | 710 pf @ 5 v | - | 1.3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS50R06W1E3B11BOMA1 | 44.7500 | | 24 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPack ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS50R06 | 205 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 24 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 70 a | 1.9V @ 15V, 50A | 1 MA | 예 | 3.1 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | std36p4llf6 | 1.5200 | | 1787 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ F6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD36 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 20.5mohm @ 18a, 10V | 2.5V @ 250µA | 22 nc @ 4.5 v | ± 20V | 2850 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FD200R65KF2-K | 2.0000 | | 22 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 380000 w | 기준 | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 단일 단일 | - | 3600 v | 200a | 4.9V @ 15V, 200a | 200 µA | 아니요 | 28 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DMN2710UW-7 | 0.0481 | | 9740 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DMN2710 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMN2710UW-7TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 900MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 450mohm @ 600ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.6 nc @ 4.5 v | ± 6V | 42 pf @ 16 v | - | 470MW (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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