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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFP7530PBF | 1.0000 |  | 7704 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 60 v | 195a (TC) | 6V, 10V | 2MOHM @ 100A, 10V | 3.7V @ 250µA | 411 NC @ 10 v | ± 20V | 13703 pf @ 25 v | - | 341W (TC) | ||||||||||||||||
 | STB70NFS03LT4 | - | | 6147 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB70N | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1026-STB70NFS03LT4 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 70A (TC) | 5V, 10V | 9.5mohm @ 35a, 10V | 1V @ 250µA | 30 nc @ 5 v | ± 18V | 1440 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | |||||||||||
 | IXTC220N075T | - | | 6117 | 0.00000000 | ixys | Trenchmv ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | ISOPLUS220 ™ | IXTC220 | MOSFET (금속 (() | ISOPLUS220 ™ | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 115A (TC) | 10V | 5MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 165 NC @ 10 v | ± 20V | 7700 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||
 | AUIRFR2405 | 1.0500 | | 13 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 30A (TC) | 10V | 16mohm @ 34a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2430 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||
 | AUIRF3808 | 2.0000 | | 1 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 151 | n 채널 | 75 v | 140A (TC) | 7mohm @ 82a, 10V | 4V @ 250µA | 220 NC @ 10 v | 5310 pf @ 25 v | - | 330W (TC) | |||||||||||||||
 | FDMS2504SDC | 2.1900 | | 7 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Dual Cool ™, Powertrench®, SyncFet ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 42A (TA), 49A (TC) | 4.5V, 10V | 1.25mohm @ 32a, 10V | 3V @ 1mA | 119 NC @ 10 v | ± 20V | 7770 pf @ 13 v | - | 3.3W (TA), 104W (TC) | |||||||||||||||
 | IXTC13N50 | - | | 4250 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | ISOPLUS220 ™ | IXTC13 | MOSFET (금속 (() | ISOPLUS220 ™ | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 12A (TC) | 10V | 400mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 2.5MA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 2800 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||
 | HUF75639S3S | - | | 5656 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | HUF75 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 100 v | 56A (TC) | 10V | 25mohm @ 56a, 10V | 4V @ 250µA | 130 nc @ 20 v | ± 20V | 2000 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||
 | stl4p3llh6 | 0.6200 | | 4 | 0.00000000 | stmicroelectronics | DeepGate ™, Stripfet ™ H6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerwdfn | STL4P3 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-15510-2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 4A (TA) | 4.5V, 10V | 56mohm @ 2a, 10V | 2.5V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 v | ± 20V | 639 pf @ 25 v | - | 2.4W (TA) | |||||||||||
 | MTM982400BBF | - | | 6590 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | MOSFET (금속 (() | SO8-F1-B | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 7A (TA) | 5V, 10V | 23mohm @ 7a, 10V | 2.5V @ 1mA | ± 20V | 1750 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | |||||||||||||||
 | PMV120ENEAR | 0.4200 | | 382 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMV120 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 2.1A (TA) | 4.5V, 10V | 123mohm @ 2.1a, 10v | 2.7V @ 250µA | 7.4 NC @ 10 v | ± 20V | 275 pf @ 30 v | - | 513MW (TA), 6.4W (TC) | ||||||||||||
 | AOD4T60p | - | | 5483 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD4 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 4A (TC) | 10V | 2.1ohm @ 2a, 10V | 5V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 522 pf @ 100 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||
 | NTBL050N65S3H | 10.2600 | | 1 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | MOSFET (금속 (() | 8-HPSOF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NTBL050N65S3HTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 650 v | 49A (TC) | 10V | 50mohm @ 24.5a, 10V | 4V @ 4.8mA | 98 NC @ 10 v | ± 30V | 4880 pf @ 400 v | - | 305W (TC) | ||||||||||||
 | TPC8208 (TE12L, Q, M) | - | | 2448 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) | TPC8208 | MOSFET (금속 (() | 450MW | 8-SOP (5.5x6.0) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 5a | 50mohm @ 2.5a, 4v | 1.2V @ 200µA | 9.5NC @ 5V | 780pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||
 | STL19N65M5 | 2.5800 | | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL19 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (8x8) HV | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 2.3A (TA), 12.5A (TC) | 10V | 240mohm @ 7.5a, 10V | 5V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 25V | 1240 pf @ 100 v | - | 2.8W (TA), 90W (TC) | ||||||||||||
 | NVD6416ANT4G | - | | 2774 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NVD641 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 17A (TC) | 10V | 81mohm @ 17a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 620 pf @ 25 v | - | 71W (TC) | ||||||||||||
 | PTFA080551E-V4-R0 | 54.9642 | | 5872 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | 조각 | 새로운 새로운 아닙니다 | 65 v | 섀시 섀시 | H-36265-2 | PTFA080551 | 869MHz ~ 960MHz | LDMOS | H-36265-2 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 10µA | 450 MA | 55W | 18.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||||
| FDB110N15A | 5.4300 | | 2 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FDB110 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | 92A (TC) | 10V | 11mohm @ 92a, 10V | 4V @ 250µA | 61 NC @ 10 v | ± 20V | 4510 pf @ 75 v | - | 234W (TC) | ||||||||||||
 | fqd4n20ltf | - | | 9653 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD4 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 3.2A (TC) | 5V, 10V | 1.35ohm @ 1.6a, 10V | 2V @ 250µA | 5.2 NC @ 5 v | ± 20V | 310 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||
 | BUK9640-100A, 118 | 1.1900 | | 8258 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK9640 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 39A (TC) | 4.5V, 10V | 39mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 48 NC @ 5 v | ± 15V | 3072 pf @ 25 v | - | 158W (TC) | ||||||||||||
 | MRF6S23100HSR5 | - | | 7920 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 68 v | 섀시 섀시 | NI-780S | MRF6 | 2.4GHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 1 a | 20W | 15.4dB | - | 28 v | ||||||||||||||||
 | AFT20S015GNR1 | 26.1700 | | 777 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 65 v | 표면 표면 | TO-270BA | AFT20 | 2.17GHz | LDMOS | TO-270-2 -2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 5A991G | 8541.29.0040 | 500 | - | 132 MA | 1.5W | 17.6dB | - | 28 v | ||||||||||||||||
 | std7nm60n | 2.1700 | | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD7NM60 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 5A (TC) | 10V | 900mohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 25V | 363 pf @ 50 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||
 | NTNS2K1P021ZTCG | 0.6000 | | 13 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | NTNS2 | MOSFET (금속 (() | 3-XDFN (0.42x0.62) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | p 채널 | 20 v | 127MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 5ohm @ 100ma, 4.5v | 1V @ 250µA | ± 8V | 12800 pf @ 15 v | - | 125MW (TA) | |||||||||||||
 | sqj476ep-t1_ge3 | 0.9400 | | 2630 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ476 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 23A (TC) | 4.5V, 10V | 38mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | |||||||||||||
 | fdpf4d5n10c | 6.3600 | | 948 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FDPF4 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-FDPF4D5N10C-488 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 128A (TC) | 10V | 4.5mohm @ 100a, 10V | 4V @ 310µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 5065 pf @ 50 v | - | 2.4W (TA), 37.5W (TC) | |||||||||||
| AOTF14N50L | - | | 4661 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF14 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | - | 영향을받지 영향을받지 | 785-AoTF14N50L | 1 | n 채널 | 500 v | 14A (TJ) | 10V | 380mohm @ 7a, 10V | 4.5V @ 250µA | 51 NC @ 10 v | ± 30V | 2297 pf @ 25 v | - | 50W | |||||||||||||||
 | IXFX30N100Q2 | - | | 3635 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Q2 클래스 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | IXFX30 | MOSFET (금속 (() | Plus247 ™ -3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1000 v | 30A (TC) | 10V | 400mohm @ 15a, 10V | 5V @ 8MA | 186 NC @ 10 v | ± 30V | 8200 pf @ 25 v | - | 735W (TC) | ||||||||||||
 | CPH5616-TL-E | 0.4400 | | 2 | 0.00000000 | Sanyo | * | 대부분 | 활동적인 | CPH5616 | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | AUIRF7736M2TR | 3.6500 | | 3327 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 M4 | AUIRF7736 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ ™ 메트릭 M4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 40 v | 22A (TA), 108A (TC) | 10V | 3MOHM @ 65A, 10V | 4V @ 150µA | 108 NC @ 10 v | ± 20V | 4267 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 63W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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