SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
EFC8822R-X-TF onsemi EFC8822R-X-TF -
RFQ
ECAD 2791 0.00000000 온세미 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 EFC8822 - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 5,000 -
DMN2024UVT-13 Diodes Incorporated DMN2024UVT-13 0.1395
RFQ
ECAD 1563 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMN2024 MOSFET (금속 (() 1W TSOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN2024UVT-13DI 귀 99 8541.29.0095 10,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 7A (TA) 24mohm @ 6.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 7.1NC @ 4.5V 647pf @ 10V -
IPZ40N04S55R4ATMA1 Infineon Technologies IPZ40N04S55R4ATMA1 1.0400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC -Q101, Optimos ™ -5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IPZ40N04 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 40A (TC) 7V, 10V 5.4mohm @ 20a, 10V 3.4V @ 17µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 48W (TC)
IXKR47N60C5 IXYS IXKR47N60C5 25.5900
RFQ
ECAD 26 0.00000000 ixys Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXKR47 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 47A (TC) 10V 45mohm @ 44a, 10V 3.5v @ 3ma 190 NC @ 10 v ± 20V 6800 pf @ 100 v - -
SI3433CDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3433CDV-T1-E3 0.5100
RFQ
ECAD 7915 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3433 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TC) 1.8V, 4.5V 38mohm @ 5.2a, 4.5v 1V @ 250µA 45 NC @ 8 v ± 8V 1300 pf @ 10 v - 3.3W (TC)
CSD17575Q3T Texas Instruments CSD17575Q3T 1.3500
RFQ
ECAD 20 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CSD17575 MOSFET (금속 (() 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 n 채널 30 v 60A (TA) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 25a, 10V 1.8V @ 250µA 30 nc @ 4.5 v ± 20V 4420 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 108W (TC)
PTVA120252MT-V1-R1K Wolfspeed, Inc. PTVA120252MT-V1-R1K 16.9246
RFQ
ECAD 4162 0.00000000 Wolfspeed, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 105 v 16-tdfn n 패드 PTVA120252 500MHz ~ 1.4GHz LDMOS PG-SON-16 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.29.0075 1,000 이중 10µA 30.2W 20.2db -
NTR4501NT1 onsemi ntr4501nt1 -
RFQ
ECAD 7048 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NTR450 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 3.2A (TA) 80mohm @ 3.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v 200 pf @ 10 v -
BLF6G20-75,112 Ampleon USA Inc. BLF6G20-75,112 -
RFQ
ECAD 6363 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 쟁반 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-502A BLF6G20 1.93GHz ~ 1.99GHz LDMOS SOT502A 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 20 18a 550 MA 29.5W 19db - 28 v
FQD2N30TM onsemi fqd2n30tm -
RFQ
ECAD 8625 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD2 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 300 v 1.7A (TC) 10V 3.7ohm @ 850ma, 10V 5V @ 250µA 5 nc @ 10 v ± 30V 130 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IPB45N06S3-16 Infineon Technologies IPB45N06S3-16 -
RFQ
ECAD 5970 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB45N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 45A (TC) 10V 15.4mohm @ 23a, 10V 4V @ 30µA 57 NC @ 10 v ± 20V 2980 pf @ 25 v - 65W (TC)
AOD418 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD418 -
RFQ
ECAD 2353 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD41 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 13.5A (TA), 36A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
FDMS9410L-F085 onsemi FDMS9410L-F085 -
RFQ
ECAD 4655 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn FDMS94 MOSFET (금속 (() 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 50A (TC) 10V 4.1mohm @ 50a, 10V 3V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1960 pf @ 20 v - 75W (TJ)
2SJ632-TD-E onsemi 2SJ632-TD-E 0.3800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-2SJ632-TD-E-488 1
SIJH800E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJH800E-T1-GE3 4.8400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 8 x 8 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 29A (TA), 299A (TC) 7.5V, 10V 1.55mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 210 nc @ 10 v ± 20V 10230 pf @ 40 v - 3.3W (TA), 333W (TC)
BLC9G21LS-60AVZ Ampleon USA Inc. BLC9G21LS-60AVZ 52.8400
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 65 v 섀시 섀시 SOT-1275-1 blc9 1.805GHz ~ 2.2GHz LDMOS DFM6 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 20 이중, 소스 일반적인 1.4µA 100 MA 60W 17.5dB - 28 v
B10G3741N55DZ Ampleon USA Inc. B10G3741N55DZ 32.9100
RFQ
ECAD 802 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 65 v 표면 표면 20-qfn n 패드 3.7GHz ~ 4.1GHz LDMOS 20-PQFN (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 - 1.4µA 47.6dBM 34.8dB -
SQJ409EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ409EP-T1_BE3 1.4900
RFQ
ECAD 1565 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj409ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 25 v - 68W (TC)
BSS159N E6327 Infineon Technologies BSS159N E6327 -
RFQ
ECAD 9615 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 230MA (TA) 0V, 10V 3.5ohm @ 160ma, 10V 2.4V @ 26µA 2.9 NC @ 5 v ± 20V 44 pf @ 25 v 고갈 고갈 360MW (TA)
R6511ENJTL Rohm Semiconductor r6511enjtl 4.0600
RFQ
ECAD 90 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6511 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 400mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 320µA 32 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 124W (TC)
IXTT30N50L2 IXYS IXTT30N50L2 18.2200
RFQ
ECAD 3405 0.00000000 ixys l2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT30 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -IXTT30N50L2 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 30A (TC) 10V 200mohm @ 15a, 10V 4.5V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 8100 pf @ 25 v - 400W (TC)
RMD1N25ES9 Rectron USA RMD1N25ES9 0.0600
RFQ
ECAD 7475 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() SOT-363-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rmd1n25es9tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 25 v 1.1A (TA) 2.5V, 4.5V 600mohm @ 500ma, 4.5v 1.1V @ 250µA ± 12V 30 pf @ 10 v - 800MW (TA)
SI3473DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3473DV-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1770 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3473 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 5.9A (TA) 1.8V, 4.5V 23mohm @ 7.9a, 4.5v 1V @ 250µA 33 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.1W (TA)
FQU2N50BTU onsemi fqu2n50btu -
RFQ
ECAD 2171 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA fqu2 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 500 v 1.6A (TC) 10V 5.3ohm @ 800ma, 10V 3.7V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
PJZ18NA50_T0_10001 Panjit International Inc. PJZ18NA50_T0_10001 -
RFQ
ECAD 8513 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 PJZ18NA50 MOSFET (금속 (() to-3pl - 3757-PJZ18NA50_T0_10001 쓸모없는 1 n 채널 500 v 18A (TA) 10V 350mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 2407 pf @ 25 v - 240W (TC)
STS4DNF60 STMicroelectronics STS4DNF60 -
RFQ
ECAD 1776 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STS4D MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 4a 90mohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 10nc @ 10v 315pf @ 25V 논리 논리 게이트
FQU1N60TU onsemi fqu1n60tu -
RFQ
ECAD 3915 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA fqu1 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 600 v 1A (TC) 10V 11.5ohm @ 500ma, 10V 5V @ 250µA 6 nc @ 10 v ± 30V 150 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
C3M0280090J-TR Wolfspeed, Inc. C3M0280090J-TR 6.5900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Wolfspeed, Inc. C3M ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA C3M0280090 sicfet ((카바이드) TO-263-7 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 900 v 11A (TC) 15V 360mohm @ 7.5a, 15V 3.5v @ 1.2ma 9.5 nc @ 15 v +18V, -8V 150 pf @ 600 v - 50W (TC)
TSM80N1R2CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CH C5G 2.5940
RFQ
ECAD 7637 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA TSM80 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 800 v 5.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.75a, 10V 4V @ 250µA 19.4 NC @ 10 v ± 30V 685 pf @ 100 v - 110W (TC)
SQ3410EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3410ev-t1_ge3 0.7600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3410 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 17.5mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1005 pf @ 15 v - 5W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고