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Fets, Mosfets (55612)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
STP60N043DM9	6.8111	RFQ	1060	stmicroelectronics	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	STP60N	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	497-STP60N043DM9	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	56A (TC)	10V	43mohm @ 28a, 10V	4.5V @ 250µA	78.6 NC @ 10 v	± 30V	4675 pf @ 400 v	-	245W (TC)
IXTH160N15T	10.0150	RFQ	9842	ixys	도랑	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IXTH160	MOSFET (금속 (()		TO-247 (ixth)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30		n 채널	150 v	160A (TC)	10V	9.6mohm @ 500ma, 10V	5V @ 1MA	160 nc @ 10 v	± 30V	8800 pf @ 25 v	-	830W (TC)
IRFR3910PBF	-	RFQ	5113	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001571594	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	16A (TC)	10V	115mohm @ 10a, 10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 20V	640 pf @ 25 v	-	79W (TC)
php18nq11t, 127	0.6000	RFQ	663	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인				PHP18				다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000
IXFN24N90Q	-	RFQ	6887	ixys	Hiperfet ™, Q 클래스	튜브	활동적인	-	섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록	IXFN24	MOSFET (금속 (()		SOT-227B	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10		n 채널	900 v	24A (TC)		-	-				-	500W (TC)
DMC4050SSD-13	0.6500	RFQ	45	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMC4050	MOSFET (금속 (()	1.8W	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	n 및 p 채널		40V	5.3A		45mohm @ 3a, 10V	1.8V @ 250µA	37.56NC @ 10V		1790.8pf @ 20V	논리 논리 게이트
BUK9K30-80EX	1.5900	RFQ	8297	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-1205, 8-LFPAK56	buk9k30	MOSFET (금속 (()	53W	LFPAK56D	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500	2 n 채널 (채널)		80V	17A (TA)		26mohm @ 5a, 10V	2.1v @ 1ma	17.5NC @ 5V		2297pf @ 25v	논리 논리 게이트
ECH8607-TL-E	0.4100	RFQ	3	온세미	*	대부분	활동적인								-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0095	1
IPW95R130PFD7XKSA1	7.3400	RFQ	5512	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	TO-247-3		MOSFET (금속 (()		PG-to247-3-41	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30		n 채널	950 v	36.5A	10V	-	-	141 NC @ 10 v	± 20V		-	227W
FDP22N50N	3.8600	RFQ	4	온세미	unifet ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	FDP22	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	500 v	22A (TC)	10V	220mohm @ 11a, 10V	5V @ 250µA	65 nc @ 10 v	± 30V	3200 pf @ 25 v	-	312.5W (TC)
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BSS84AKS/ZLX	-	RFQ	3609	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BSS84	MOSFET (금속 (()	445MW	6-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934070249115	귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		50V	160MA (TA)		7.5ohm @ 100ma, 10V	2.1V @ 250µA	0.35NC @ 5V		36pf @ 25V	논리 논리 게이트
FDZ191P	-	RFQ	7635	온세미	Powertrench®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-UFBGA, WLCSP	FDZ191	MOSFET (금속 (()		6-WLCSP (1x1.5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		p 채널	20 v	3A (TA)	1.5V, 4.5V	85mohm @ 1a, 4.5v	1.5V @ 250µA	13 nc @ 10 v	± 8V	800 pf @ 10 v	-	1.9W (TA)
AON2406	0.6300	RFQ	62	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	AON24	MOSFET (금속 (()		6-DFN (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	20 v	8A (TA)	1.5V, 4.5V	12.5mohm @ 8a, 4.5v	1V @ 250µA	18 nc @ 4.5 v	± 8V	1140 pf @ 10 v	-	2.8W (TA)
um6k33ntn	0.3800	RFQ	887	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UM6K33	MOSFET (금속 (()	120MW	UMT6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		50V	200ma		2.2ohm @ 200ma, 4.5v	1V @ 1mA	-		25pf @ 10V	로직 로직 게이트, 1.2v 드라이브
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IRF7413ZTRPBFXTMA1	0.3869	RFQ	9133	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		MOSFET (금속 (()		PG-DSO-8-902	-	Rohs3 준수			448-irf7413ztrpbfxtma1tr			4,000		n 채널	30 v	13A (TA)	4.5V, 10V	10mohm @ 13a, 10V	2.25V @ 250µA	14 nc @ 4.5 v	± 20V	1210 pf @ 15 v	-	2.5W (TA)
PCP1302-TD-H	-	RFQ	7529	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	PCP1302	MOSFET (금속 (()		SOT-89/PCP-1	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		p 채널	60 v	3A (TA)	4V, 10V	266MOHM @ 1.5A, 10V	2.6v @ 1ma	6.4 NC @ 10 v	± 20V	262 pf @ 20 v	-	3.5W (TC)
ISP20EP10LMXTSA1	0.7900	RFQ	7724	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	ISP20E	MOSFET (금속 (()		PG-SOT223-4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		p 채널	100 v	650MA (TA), 990MA (TC)	4.5V, 10V	2ohm @ 600ma, 10V	2V @ 78µA	3.5 nc @ 10 v	± 20V	170 pf @ 50 v	-	1.8W (TA), 4.2W (TC)
NDS8934	0.5700	RFQ	4	페어차일드 페어차일드	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	NDS893	MOSFET (금속 (()	900MW	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.21.0095	2,500	2 p 채널 (채널)		20V	3.8a		70mohm @ 3.8a, 4.5v	1V @ 250µA	30NC @ 4.5V		1120pf @ 10V	논리 논리 게이트
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BUK764R0-75C, 118-nex	-	RFQ	2302	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		D2PAK	-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	0000.00.0000	1		n 채널	75 v	100A (TC)	10V	4mohm @ 25a, 10V	4V @ 1MA	142 NC @ 10 v	± 20V	11659 pf @ 25 v	-	333W (TC)
NTMFS4C810NAT1G	0.4094	RFQ	4481	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn, 5 리드		MOSFET (금속 (()		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	488-ntmfs4c810nat1gtr	귀 99	8541.21.0095	1,500		n 채널	30 v	8.2A (TA), 46A (TC)	4.5V, 10V	5.88mohm @ 30a, 10V	2.2V @ 250µA	18.6 NC @ 10 v	± 20V	987 pf @ 15 v	-	750MW (TA), 23.6W (TC)
AOUS66920	0.6215	RFQ	1132	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-powersmd, 평평한 리드	AOUS669	MOSFET (금속 (()		초음파 8 ™	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-aous66920tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	19.5A (TA), 69A (TC)	4.5V, 10V	8.2MOHM @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 20V	2500 pf @ 50 v	-	6.2W (TA), 86W (TC)
std105n10f7ag	2.6000	RFQ	2	stmicroelectronics	자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F7	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	STD105	MOSFET (금속 (()		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	100 v	80A (TC)	10V	8mohm @ 40a, 10V	4.5V @ 250µA	61 NC @ 10 v	± 20V	4369 pf @ 50 v	-	120W (TC)
YJB180G10B	1.5610	RFQ	100	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-	rohs 준수		영향을받지 영향을받지	4617-YJB180G10BTR	귀 99		1,000
AOD518_051	-	RFQ	1617	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				AOD51				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500					4.5V, 10V				± 20V
AON7240_101	-	RFQ	2377	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	Aon72	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	40 v	19A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	5.1MOHM @ 20A, 10V	2.4V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 20V	2200 pf @ 20 v	-	3.1W (TA), 36.7W (TC)
RQA0011DNS#G0	-	RFQ	7516	Nexperia USA Inc.	-	대부분	쓸모없는	150 ° C	표면 표면	3-dfn 노출 n		MOSFET (금속 (()		2-HWSON (5x4)	-				2156-RQA0011DNS#G0			1		n 채널	16 v	3.8A (TA)	-	-	0.75V @ 1mA		± 5V	102 pf @ 0 v	-	15W (TC)
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

Fets, Mosfets (55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²