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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
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| STF5NK65Z | - | | 1151 | 0.00000000 | stmicroelectronics | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | STF5N | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | STB42N60M2-EP | 6.4400 | | 49 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M2-EP | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB42 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 34A (TC) | 10V | 87mohm @ 17a, 10V | 4.75V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 25V | 2370 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||
 | MHT1001HR5 | - | | 5861 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 68 v | 섀시 섀시 | SOT-979A | MHT1001 | 2.39GHz | LDMOS | NI-1230-4H | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 935325901178 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | 이중 | - | 1.9 a | 40W | 14db | - | 28 v | ||||||||||||||
 | BUK6610-75C, 118 | 0.4100 | | 7 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BUK6610-75C, 118-954 | 1 | n 채널 | 75 v | 78A (TC) | 10V | 10mohm @ 25a, 10V | 2.8V @ 1MA | 81 NC @ 10 v | ± 16V | 5251 pf @ 25 v | - | 158W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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