- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS2570 | - |  | 6447 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 4A (TA) | 6V, 10V | 72mohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 20V | 1907 pf @ 75 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||
 | STI30N65M5 | 6.4400 | | 993 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | sti30n | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 22A (TC) | 10V | 139mohm @ 11a, 10V | 5V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 25V | 2880 pf @ 100 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||
 | AFT26H250W03SR6 | - | | 6379 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | NI-1230-4S | AFT26 | 2.5GHz | LDMOS | NI-1230-4S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 935323483128 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 150 | - | 700 MA | 50W | 14.1db | - | 28 v | |||||||||||||||
 | IPA65R190C7XKSA1 | 3.4900 | | 8562 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA65R | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 8A (TC) | 10V | 190mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 290µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1150 pf @ 400 v | - | 30W (TC) | ||||||||||||
 | sir106dp-t1-re3 | 1.7800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir106 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 16.1A (TA), 65.8A (TC) | 7.5V, 10V | 8mohm @ 15a, 10V | 3.4V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 3610 pf @ 50 v | - | 3.2W (TA), 83.3W (TC) | |||||||||||||
 | SIB900EDK-T1-GE3 | - | | 2706 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-75-6L 듀얼 | SIB900 | MOSFET (금속 (() | 3.1W | PowerPak® SC-75-6L 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 1.5A | 225mohm @ 1.6a, 4.5v | 1V @ 250µA | 1.7nc @ 4.5v | - | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||
 | irfr9110trpbf | 1.2300 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9110 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 100 v | 3.1A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||||||||||
 | IRF820APBF | 1.7300 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF820 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF820APBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 340 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||||||||||||
 | SIHH21N65EF-T1-GE3 | 6.4800 | | 675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | SIHH21 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 8 x 8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 19.8A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 102 NC @ 10 v | ± 30V | 2396 pf @ 100 v | - | 156W (TC) | |||||||||||||
| SI7457DP-T1-GE3 | - | | 5811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7457 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 100 v | 28A (TC) | 6V, 10V | 42mohm @ 7.9a, 10V | 4V @ 250µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 5230 pf @ 50 v | - | 5.2W (TA), 83.3W (TC) | ||||||||||||
 | 2N7002VA | 0.8300 | | 808 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | 250MW | SOT-563F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 280ma | 7.5ohm @ 50ma, 5V | 2.5V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
 | IRF9530L | - | | 7169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF9530 | MOSFET (금속 (() | i2pak | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF9530L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 100 v | 12A (TC) | 10V | 300mohm @ 7.2a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 860 pf @ 25 v | - | - | ||||||||||||
 | MRF6VP3450HR6 | - | | 3489 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 110 v | 섀시 섀시 | NI-1230 | MRF6 | 860MHz | LDMOS | NI-1230 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 150 | 이중 | - | 1.4 a | 90W | 22.5dB | - | 50 v | |||||||||||||||
 | IPS65R1K0CEAKMA2 | 0.4175 | | 4673 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | IPS65R1 | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3-342 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 650 v | 7.2A (TC) | 10V | 1ohm @ 1.5a, 10V | 3.5V @ 200µA | 15.3 NC @ 10 v | ± 20V | 328 pf @ 100 v | - | 68W (TC) | ||||||||||||
 | SQJ952EP-T1_BE3 | 1.1400 | | 9816 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ952 | MOSFET (금속 (() | 25W (TC) | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-sqj952ep-t1_be3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 23A (TC) | 20mohm @ 10.3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 30NC @ 10V | 1800pf @ 30V | - | |||||||||||||||
 | FDD86252 | 1.5700 | | 86 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD862 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 5A (TA), 27A (TC) | 6V, 10V | 52mohm @ 5a, 10V | 4V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 985 pf @ 75 v | - | 3.1W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||
 | IRF7726 | - | | 1764 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | MOSFET (금속 (() | Micro8 ™ | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7726 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 80 | p 채널 | 30 v | 7A (TA) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 69 NC @ 10 v | ± 20V | 2204 pf @ 25 v | - | 1.79W (TA) | ||||||||||||
| Sir870ADP-T1-GE3 | 2.0900 | | 5138 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir870 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 6.6MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 2866 pf @ 50 v | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||||||||||
 | STD40NF10 | 1.7300 | | 9017 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD40 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 50A (TC) | 10V | 28mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 20V | 2180 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||
 | PSMN4R1-30YLC, 115 | 0.6000 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | psmn4r1 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 92A (TC) | 4.5V, 10V | 4.35mohm @ 20a, 10V | 1.95v @ 1ma | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1502 pf @ 15 v | - | 67W (TC) | ||||||||||||
 | FKP252 | - | | 3931 | 0.00000000 | 산켄 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | FKP252 DK | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,750 | n 채널 | 250 v | 25A (TA) | 10V | 75mohm @ 12a, 10V | 4.5V @ 1mA | ± 30V | 2000 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||||
 | irfu1010zpbf | - | | 2678 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 10V | 7.5mohm @ 42a, 10V | 4V @ 100µa | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 2840 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||
 | DMP6110SFDF-13 | 0.1418 | | 2182 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | DMP6110 | MOSFET (금속 (() | u-dfn2020-6 (f 형) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | p 채널 | 60 v | 4.2A (TA) | 4.5V, 10V | 110mohm @ 4.5a, 10V | 3V @ 250µA | 17.2 NC @ 10 v | ± 20V | 969 pf @ 30 v | - | 1.97W (TA) | ||||||||||||
 | ntr4101pt1h | 0.5500 | | 46 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | NTR4101 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 1.8A (TA) | 1.8V, 4.5V | 85mohm @ 1.6a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 8.5 NC @ 4.5 v | ± 8V | 675 pf @ 10 v | - | 420MW (TA) | ||||||||||||
 | IRF730ARSTRLPBF | 1.3579 | | 1159 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF730 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 400 v | 5.5A (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4.5V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 30V | 600 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | |||||||||||||
 | irfh5301trpbf | 1.2500 | | 15 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | IRFH5301 | MOSFET (금속 (() | pqfn (5x6) 단일 다이 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 35A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.85mohm @ 50a, 10V | 2.35V @ 100µa | 77 NC @ 10 v | ± 20V | 5114 pf @ 15 v | - | 3.6W (TA), 110W (TC) | ||||||||||||
 | spp08n80c3xk | - | | 8017 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | spp08n | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | SP000013704 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 8A (TC) | 10V | 650mohm @ 5.1a, 10V | 3.9V @ 470µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 100 v | - | 104W (TC) | ||||||||||||
 | NVMFD5C674NLWFT1G | 2.0600 | | 7244 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | NVMFD5 | MOSFET (금속 (() | 3W (TA), 37W (TC) | 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 11A (TA), 42A (TC) | 14.4mohm @ 10a, 10V | 25µa @ 2.2v | 4.7nc @ 4.5v | 640pf @ 25V | - | ||||||||||||||
 | AOD4158p | - | | 1592 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD41 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 13A (TA), 46A (TC) | 4.5V, 10V | 9MOHM @ 20A, 10V | 2.4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 1500 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 32W (TC) | |||||||||||||
 | IRFC3306EB | - | | 5606 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)