SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
SIHD6N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHD6N65E-GE3 1.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIHD6 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 650 v 7A (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 820 pf @ 100 v - 78W (TC)
SAC2504 SuperApex, LLC SAC2504 10.2100
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Superapex, LLC - 테이프 & t (TB) 활동적인 표면 표면 주사위 40GHz 주사위 - 4775-SAC2504TB 3 85MA 20 MA - 6db 1.4dB 2 v
AFT05MS031GNR1 NXP USA Inc. AFT05MS031GNR1 14.5100
RFQ
ECAD 3996 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 40 v 표면 표면 TO-270BA AFT05 520MHz LDMOS TO-270-2 -2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 - 10 MA 31W 17.7dB - 13.6 v
SIR610DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir610dp-t1-RE3 1.8800
RFQ
ECAD 4446 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir610 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 35.4A (TC) 7.5V, 10V 31.9mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 100 v - 104W (TC)
HUF75333S3ST onsemi HUF75333S3ST -
RFQ
ECAD 3547 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HUF75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 66A (TC) 10V 16mohm @ 66a, 10V 4V @ 250µA 85 NC @ 20 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 150W (TC)
FQAF65N06 onsemi FQAF65N06 -
RFQ
ECAD 2795 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 FQAF6 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 60 v 49A (TC) 10V 16mohm @ 24.5a, 10V 4V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 25V 2410 pf @ 25 v - 86W (TC)
IPU10N03LA G Infineon Technologies ipu10n03la g -
RFQ
ECAD 9888 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU10N MOSFET (금속 (() P-to251-3-1 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 30A (TC) 4.5V, 10V 10.4mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 11 NC @ 5 v ± 20V 1358 pf @ 15 v - 52W (TC)
IRF8113 Infineon Technologies IRF8113 -
RFQ
ECAD 5383 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF8113 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 17.2A (TA) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 17.2a, 10V 2.2V @ 250µA 36 NC @ 4.5 v ± 20V 2910 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
FDS7082N3 onsemi FDS7082N3 -
RFQ
ECAD 1190 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 FDS70 MOSFET (금속 (() 8- flmp 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 17.5A (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 17.5a, 10V 3V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 20V 2271 pf @ 15 v - 3W (TA)
FDU6688 onsemi FDU6688 -
RFQ
ECAD 7308 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA fdu66 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 84A (TA) 4.5V, 10V 5mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 56 NC @ 5 v ± 20V 3845 pf @ 15 v - 83W (TA)
DI7A5N65D2K Diotec Semiconductor di7a5n65d2k -
RFQ
ECAD 1542 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 적용 적용 수 할 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di7a5n65d2ktr 귀 99 8541.29.0000 1 n 채널 650 v 7.5A (TC) 10V 430mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 18.4 NC @ 10 v ± 30V 722 pf @ 325 v - 62.5W (TC)
IXTH98N20T IXYS IXTH98N20T -
RFQ
ECAD 1874 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH98 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 98A (TC) - - - -
FSS145-TL-E onsemi FSS145-TL-E 1.0400
RFQ
ECAD 23 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,000
IPB45N06S409ATMA2 Infineon Technologies IPB45N06S409ATMA2 -
RFQ
ECAD 4662 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB45N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 45A (TC) 10V 9.4mohm @ 45a, 10V 4V @ 34µA 47 NC @ 10 v ± 20V 3785 pf @ 25 v - 71W (TC)
SI3424DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3424DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8248 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3424 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5A (TA) 4.5V, 10V 28mohm @ 6.7a, 10V 800mv @ 250µa (최소) 18 nc @ 10 v ± 20V - 1.14W (TA)
IRFS4115TRL7PP Infineon Technologies IRFS4115trl7pp 4.0300
RFQ
ECAD 21 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB IRFS4115 MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 105A (TC) 10V 11.8mohm @ 63a, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 5320 pf @ 50 v - 380W (TC)
CSD17313Q2T Texas Instruments CSD17313Q2T 1.1900
RFQ
ECAD 26 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 CSD17313 MOSFET (금속 (() 6- 웨슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 n 채널 30 v 5A (TA) 3V, 8V 30mohm @ 4a, 8v 1.8V @ 250µA 2.7 NC @ 4.5 v +10V, -8V 340 pf @ 15 v - 2.4W (TA), 17W (TC)
IRLMS6802TRPBF Infineon Technologies irlms6802trpbf 0.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 IRLMS6802 MOSFET (금속 (() Micro6 ™ (TSOP-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5.6A (TA) 2.5V, 4.5V 50mohm @ 5.1a, 4.5v 1.2V @ 250µA 16 nc @ 5 v ± 12V 1079 pf @ 10 v - 2W (TA)
PJD16P06A-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. pjd16p06a-au_l2_000a1 0.7100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD16 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 5A (TA), 16A (TC) 4.5V, 10V 48mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1256 pf @ 30 v - 2W (TA), 25W (TC)
IRF7828PBF Infineon Technologies IRF7828PBF -
RFQ
ECAD 9069 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7828 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 13.6A (TA) 4.5V 12.5mohm @ 10a, 4.5v 1V @ 250µA 14 nc @ 5 v ± 20V 1010 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
FQPF6N40CT onsemi fqpf6n40ct -
RFQ
ECAD 2217 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF6 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 6A (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 625 pf @ 25 v - 38W (TC)
BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies BTS244ZE3062AATMA2 5.5700
RFQ
ECAD 3572 0.00000000 인피온 인피온 Tempfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB BTS244 MOSFET (금속 (() PG-to263-5-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 35A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 19a, 10V 2V @ 130µA 130 NC @ 10 v ± 20V 2660 pf @ 25 v 온도 온도 다이오드 170W (TC)
NTTFS4C25NTAG onsemi nttfs4c25ntag -
RFQ
ECAD 5668 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS4 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 5A (TA), 27A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 10.3 NC @ 10 v ± 20V 500 pf @ 15 v - 690MW (TA), 20.2W (TC)
BLS7G3135LS-200U Ampleon USA Inc. Bls7g3135LS-200U 570.2250
RFQ
ECAD 4469 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 65 v 섀시 섀시 SOT-502B bls7 3.5GHz LDMOS SOT502B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934067465112 귀 99 8541.29.0095 20 - 100 MA 200W 12db - 32 v
IRF6648TR1 Infineon Technologies IRF6648TR1 -
RFQ
ECAD 9492 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mn MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mn 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 86A (TC) 10V 7mohm @ 17a, 10V 4.9V @ 150µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2120 pf @ 25 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRF7805ATRPBF Infineon Technologies IRF7805ATRPBF -
RFQ
ECAD 7503 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 13A (TA) 4.5V 11mohm @ 7a, 4.5v 3V @ 250µA 31 NC @ 5 v ± 12V - 2.5W (TA)
PMN30ENEAX Nexperia USA Inc. PMN30ENEAX 0.4500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN30 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 5.4A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 5.4a, 10V 2.5V @ 250µA 11.7 NC @ 10 v ± 20V 440 pf @ 20 v - 667MW (TA), 7.5W (TC)
BLF248,112 Ampleon USA Inc. BLF248,112 -
RFQ
ECAD 7689 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 쟁반 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-262A1 225MHz MOSFET CDFM4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 20 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 25A 300W 11.5dB - 28 v
PHKD13N03LT,118 Nexperia USA Inc. phkd13n03lt, 118 -
RFQ
ECAD 7022 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) phkd13 MOSFET (금속 (() 3.57W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934057755118 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 10.4a 20mohm @ 8a, 10V 2V @ 250µA 10.7nc @ 5v 752pf @ 15V 논리 논리 게이트
AON7466 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7466 0.1431
RFQ
ECAD 9520 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn AON746 MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 15A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 25V 1150 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고