SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
BUK7M22-80EX Nexperia USA Inc. BUK7M22-80EX 0.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK7M22 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 37A (TC) 10V 22mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 23.9 NC @ 10 v ± 20V 1643 pf @ 25 v - 75W (TC)
IPB45N06S409ATMA2 Infineon Technologies IPB45N06S409ATMA2 -
RFQ
ECAD 4662 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB45N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 45A (TC) 10V 9.4mohm @ 45a, 10V 4V @ 34µA 47 NC @ 10 v ± 20V 3785 pf @ 25 v - 71W (TC)
IPU50R3K0CE Infineon Technologies ipu50r3k0ce 0.1200
RFQ
ECAD 252 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 ipu50r 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,500
YJQ35N04A Yangjie Technology YJQ35N04A 0.1840
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJQ35N04AT 귀 99 5,000
G10N06 Goford Semiconductor G10N06 0.2305
RFQ
ECAD 6785 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 3141-g10n06tr 귀 99 8541.29.0000 4,000 n 채널 60 v 10A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 9a, 10V 2.2V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 20V 2180 pf @ 30 v - 2.6W (TC)
DMP2007UFG-13 Diodes Incorporated DMP2007UFG-13 0.8400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP2007 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 18A (TA), 40A (TC) 2.5V, 10V 5.5mohm @ 15a, 10V 1.3V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 12V 4621 pf @ 10 v - 2.3W (TA)
ZVN2110GTC Diodes Incorporated ZVN2110GTC -
RFQ
ECAD 9059 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 500MA (TA) 10V 4ohm @ 1a, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 75 pf @ 25 v - 2W (TA)
STD95NH02LT4 STMicroelectronics STD95NH02LT4 1.3700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD95 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 24 v 80A (TC) 5V, 10V 5MOHM @ 40A, 10V 1V @ 250µA 17 nc @ 5 v ± 20V 2070 pf @ 15 v - 100W (TC)
PJD11N06A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD11N06A_L2_00001 0.1611
RFQ
ECAD 5139 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD11 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD11N06A_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 3.7A (TA), 11A (TC) 4.5V, 10V 75mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 9.3 NC @ 10 v ± 20V 509 pf @ 15 v - 2W (TA), 25W (TC)
MSJAC11N50B-TP Micro Commercial Co MSJAC11N50B-TP 0.7294
RFQ
ECAD 9992 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MSJAC11 MOSFET (금속 (() DFN5060 다운로드 353-MSJAC11N50B-TP 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 11a 10V 380mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 250µA 21.8 nc @ 10 v ± 30V 702 pf @ 25 v - 83W
DMN3010LFG-13 Diodes Incorporated DMN3010LFG-13 0.2083
RFQ
ECAD 3566 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN3010 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN3010LFG-13DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 2075 pf @ 15 v - 900MW (TA)
IRLR7833TRPBF Infineon Technologies IRLR7833TRPBF 1.2500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR7833 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 140A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 4010 pf @ 15 v - 140W (TC)
SUD19N20-90-T4-E3 Vishay Siliconix SUD19N20-90-T4-E3 1.4033
RFQ
ECAD 4908 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD19 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 19A (TC) 6V, 10V 90mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 25 v - 3W (TA), 136W (TC)
FQPF22P10 onsemi FQPF22P10 -
RFQ
ECAD 2281 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF22 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 13.2A (TC) 10V 125mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 1500 pf @ 25 v - 45W (TC)
FQB2N50TM Fairchild Semiconductor FQB2N50TM 1.0000
RFQ
ECAD 3880 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 2.1A (TC) 10V 5.3ohm @ 1.05a, 10V 5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 55W (TC)
BSS127H6327XTSA2 Infineon Technologies BSS127H6327XTSA2 0.3800
RFQ
ECAD 6010 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS127 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 600 v 21MA (TA) 4.5V, 10V 500ohm @ 16ma, 10V 2.6V @ 8µA 1 nc @ 10 v ± 20V 28 pf @ 25 v - 500MW (TA)
AO3406L_106 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3406L_106 -
RFQ
ECAD 6188 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-SMD, SOT-23-3 변형 AO34 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.6A (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 3.6a, 10V 3V @ 250µA 8.5 NC @ 10 v ± 20V 375 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
RM12N650LD Rectron USA RM12N650LD 0.5400
RFQ
ECAD 1516 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM12N650LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 650 v 11.5A (TC) 10V 360mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 870 pf @ 50 v - 101W (TC)
DMC3061SVTQ-7-52 Diodes Incorporated DMC3061SVTQ-7-52 0.1059
RFQ
ECAD 8800 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMC3061 MOSFET (금속 (() 880MW TSOT-26 다운로드 31-DMC3061SVTQ-7-52 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 30V 3.4A (TA), 2.7A (TA) 60mohm @ 3.1a, 10v, 95mohm @ 2.7a, 10v 1.8V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 6.6NC @ 10V, 6.8NC @ 10V 27.6pf @ 15V, 28.7pf @ 15V 기준
MMBF2202PT1G onsemi MMBF2202PT1G -
RFQ
ECAD 6868 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBF22 MOSFET (금속 (() SC-70-3 (SOT323) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 2.2ohm @ 200ma, 10V 2.4V @ 250µA 2.7 NC @ 10 v ± 20V 50 pf @ 5 v - 150MW (TA)
SI5447DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5447DC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4374 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5447 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.5A (TA) 1.8V, 4.5V 76mohm @ 3.5a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 10 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.3W (TA)
BUK961R4-30E,118 NXP USA Inc. BUK961R4-30E, 118 -
RFQ
ECAD 6794 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB buk96 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 120A (TC) 5V, 10V 1.4mohm @ 25a, 5V 2.1v @ 1ma 113 NC @ 5 v ± 10V 16150 pf @ 25 v - 357W (TC)
IPD05N03LA G Infineon Technologies IPD05N03LA g -
RFQ
ECAD 6405 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD05N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 5.1MOHM @ 30A, 10V 2V @ 50µA 25 nc @ 5 v ± 20V 3110 pf @ 15 v - 94W (TC)
BSC026N04LSATMA1 Infineon Technologies BSC026N04LSATMA1 1.7500
RFQ
ECAD 9091 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC026 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 23A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 2.6mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 63W (TC)
AUIRFP1405 Infineon Technologies AUIRFP1405 -
RFQ
ECAD 2905 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001515966 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 55 v 95A (TC) 10V 5.3MOHM @ 95A, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 5600 pf @ 25 v - 310W (TC)
PMPB20UN,115 NXP USA Inc. PMPB20UN, 115 -
RFQ
ECAD 2967 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB2 MOSFET (금속 (() 6-DFN2020MD (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.6A (TA) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 6.6a, 4.5v 1V @ 250µA 7.1 NC @ 4.5 v ± 8V 460 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
DMTH12H007SPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH12H007SPSWQ-13 0.8698
RFQ
ECAD 3971 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn DMTH12 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) 다운로드 31-DMTH12H007SPSWQ-13 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 120 v 84A (TC) 6V, 10V 8.9mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 3142 pf @ 60 v - 3.5W
SFT1342-TL-E onsemi SFT1342-TL-E -
RFQ
ECAD 2636 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SFT134 MOSFET (금속 (() DPAK/TP-FA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 12A (TA) 4V, 10V 6A @ 6A, 10V 2.6v @ 1ma 26 NC @ 10 v ± 20V 1150 pf @ 20 v - 1W (TA), 15W (TC)
BUK7660-100A,118 NXP Semiconductors BUK7660-100A, 118 0.5500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 nxp 반도체 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BUK7660-100A, 118-954 1 n 채널 100 v 26A (TC) 10V 60mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1377 pf @ 25 v - 106W (TC)
TSM042N03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS RLG 1.8300
RFQ
ECAD 16 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TSM042 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 7W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고