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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STD95NH02LT4 | 1.3700 |  | 7 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD95 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 24 v | 80A (TC) | 5V, 10V | 5MOHM @ 40A, 10V | 1V @ 250µA | 17 nc @ 5 v | ± 20V | 2070 pf @ 15 v | - | 100W (TC) | ||||||||||
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 | SFT1342-TL-E | - | | 2636 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SFT134 | MOSFET (금속 (() | DPAK/TP-FA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 12A (TA) | 4V, 10V | 6A @ 6A, 10V | 2.6v @ 1ma | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 1150 pf @ 20 v | - | 1W (TA), 15W (TC) | |||||||||||
 | BUK7660-100A, 118 | 0.5500 | | 4 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BUK7660-100A, 118-954 | 1 | n 채널 | 100 v | 26A (TC) | 10V | 60mohm @ 15a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 1377 pf @ 25 v | - | 106W (TC) | ||||||||||||||
 | TSM042N03CS RLG | 1.8300 | | 16 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TSM042 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | 24 nc @ 4.5 v | ± 20V | 2200 pf @ 25 v | - | 7W (TC) | ||||||||||
 | jantxv2n6796u | - | | 7866 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/557 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 18-CLCC | MOSFET (금속 (() | 18-ULCC (9.14x7.49) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 8A (TC) | 10V | 195mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 28.51 NC @ 10 v | ± 20V | - | 800MW (TA), 25W (TC) | ||||||||||||
 | BB504CDS-WS-E | 0.2400 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 쓸모없는 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| GTRB226002FC-V1-R2 | 148.6720 | | 8313 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 48 v | 표면 표면 | H-37248C-4 | GTRB226002 | 2.11GHz ~ 2.2GHz | 헴 | H-37248C-4 | - | 1697-GTRB226002FC-V1-R2TR | 250 | - | - | 450W | 15db | - | |||||||||||||||||||
 | SSM6N7002CFU, LF | 0.2800 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SSM6N7002 | MOSFET (금속 (() | 285MW | US6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 170ma | 3.9ohm @ 100ma, 10V | 2.1V @ 250µA | 0.35NC @ 4.5V | 17pf @ 10V | - | |||||||||||||
 | IXFR180N15P | 16.7170 | | 7166 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 상자 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFR180 | MOSFET (금속 (() | ISOPLUS247 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 150 v | 100A (TC) | 10V | 13mohm @ 90a, 10V | 5V @ 4MA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 7000 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||
| SUD25N04-25-E3 | - | | 2043 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD25 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 25a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 510 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 33W (TC) | ||||||||||
| AONE36182 | 0.7095 | | 3377 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | AONE361 | MOSFET (금속 (() | 2W (TA), 25W (TC), 2.5W (TA), 35.5W (TC) | 8-DFN-EP (3.3x3.3) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 785-Aone36182tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) 비대칭 | 25V | 17A (TA), 60A (TC), 34A (TA), 60A (TC) | 4.6mohm @ 17a, 10v, 1.4mohm @ 20a, 10v | 1.8V @ 250µA | 21NC @ 10V, 80nc @ 10V | 880pf @ 12.5v, 3215pf @ 12.5v | 기준 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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