SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIR846ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir846ADP-T1-GE3 2.2600
RFQ
 ECAD 6980 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir846 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 60A (TC) 6V, 10V 7.8mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 2350 pf @ 50 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
FDZ661PZ Fairchild Semiconductor FDZ661PZ 0.3200
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, WLCSP MOSFET (금속 (() 4-WLCSP (0.8x0.8) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 952 p 채널 20 v 2.6A (TA) 1.5V, 4.5V 140mohm @ 2a, 4.5v 1.2V @ 250µA 8.8 NC @ 4.5 v ± 8V 555 pf @ 10 v - 1.3W (TA)
NTK3043NT1H onsemi NTK3043NT1H 0.0700
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 4,000
RM45N600T7 Rectron USA RM45N600T7 2.9000
RFQ
 ECAD 7621 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM45N600T7 8541.10.0080 1,800 n 채널 600 v 44.5A (TJ) 10V 90mohm @ 15.6a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 2808 pf @ 100 v - 431W
AOTF15S65L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF15S65L 3.0400
RFQ
 ECAD 872 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF15 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 17.2 NC @ 10 v ± 30V 841 pf @ 100 v - 34W (TC)
NVTYS005N04CTWG onsemi NVTYS005N04CTWG 0.7036
RFQ
 ECAD 8093 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 MOSFET (금속 (() 8-LFPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVTYS005N04CTWGTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 18A (TA), 71A (TC) 10V 5.6mohm @ 35a, 10V 3.5V @ 40µA 16 nc @ 10 v ± 20V 1000 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
STB34N65M5 STMicroelectronics STB34N65M5 6.5400
RFQ
 ECAD 5674 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB34 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 28A (TC) 10V 110mohm @ 14a, 10V 5V @ 250µA 62.5 nc @ 10 v ± 25V 2700 pf @ 100 v - 190W (TC)
MCAC50P03B-TP Micro Commercial Co MCAC50P03B-TP 0.9500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MCAC50 MOSFET (금속 (() DFN5060 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 50a 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2.8V @ 250µA 111.7 NC @ 10 v ± 25V 6464 pf @ 15 v - 83W
BSZ105N04NSGATMA1 Infineon Technologies BSZ105N04NSGATMA1 -
RFQ
 ECAD 8822 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 11A (TA), 40A (TC) 10V 10.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 14µA 17 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 20 v - 2.1W (TA), 35W (TC)
NVTYS010N04CTWG onsemi NVTYS010N04CTWG 0.5844
RFQ
 ECAD 4208 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 MOSFET (금속 (() 8-LFPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVTYS010N04CTWGTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 12A (TA), 38A (TC) 10V 12MOHM @ 10A, 10V 3.5V @ 20µA 7 nc @ 10 v ± 20V 492 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 32W (TC)
BUK7Y25-40B,115 Nexperia USA Inc. BUK7Y25-40B, 115 -
RFQ
 ECAD 3044 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 35.3a (TC) 10V 25mohm @ 20a, 10V 4V @ 1MA 12.1 NC @ 10 v ± 20V 693 pf @ 25 v - 59.4W (TC)
IXFN80N50Q2 IXYS IXFN80N50Q2 -
RFQ
 ECAD 2749 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q2 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN80 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 500 v 72A (TC) 10V 60mohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 8mA 250 nc @ 10 v ± 30V 12800 pf @ 25 v - 890W (TC)
FQD30N06TF_F080 onsemi FQD30N06TF_F080 -
RFQ
 ECAD 4707 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD3 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 22.7A (TC) 10V 45mohm @ 11.4a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 25V 945 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 44W (TC)
BUK9840-55115 NXP USA Inc. BUK9840-55115 1.0000
RFQ
 ECAD 8988 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,000
IXTQ28N15P IXYS IXTQ28N15P -
RFQ
 ECAD 6432 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ28 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 - - - - -
IPP60R600E6 Infineon Technologies IPP60R600E6 -
RFQ
 ECAD 9675 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos E6 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 63W (TC)
IRL2203NSTRR Infineon Technologies irl2203nstrr -
RFQ
 ECAD 8315 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 116A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 60a, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 4.5 v ± 16V 3290 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 180W (TC)
YJD65G10B Yangjie Technology YJD65G10B 0.4820
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJD65G10BTR 귀 99 2,500
IPA65R099C6XKSA1 Infineon Technologies IPA65R099C6XKSA1 -
RFQ
 ECAD 7366 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA65R MOSFET (금속 (() PG-to220-3-111 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 38A (TC) 10V 99mohm @ 12.8a, 10V 3.5v @ 1.2ma 127 NC @ 10 v ± 20V 2780 pf @ 100 v - 35W (TC)
IRFS240B Fairchild Semiconductor IRFS240B 0.7200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 12.8A (TC) 10V 180mohm @ 6.4a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 30V 1700 pf @ 25 v - 73W (TC)
SIR642DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir642DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4415 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir642 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 20V 4155 pf @ 20 v - 4.8W (TA), 41.7W (TC)
IPA029N06NM5SXKSA1 Infineon Technologies IPA029N06NM5SXKSA1 2.7700
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA029 MOSFET (금속 (() PG-to220 20 팩 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 87A (TC) 6V, 10V 2.9mohm @ 87a, 10V 3.3V @ 36µA 74 NC @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 30 v - 38W (TC)
QS5U23TR Rohm Semiconductor qs5u23tr 0.2451
RFQ
 ECAD 2702 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 QS5U23 MOSFET (금속 (() TSMT5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 1.5A (TA) 2.5V, 4.5V 200mohm @ 1.5a, 4.5v 2V @ 1mA 4.2 NC @ 4.5 v ± 12V 325 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.25W (TA)
AUIRFP2907 Infineon Technologies AUIRFP2907 -
RFQ
 ECAD 2978 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001516710 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 75 v 90A (TC) 10V 4.5mohm @ 125a, 10V 4V @ 250µA 620 NC @ 10 v ± 20V 13000 pf @ 25 v - 470W (TC)
IPD50N04S308ATMA1 Infineon Technologies IPD50N04S308ATMA1 0.6684
RFQ
 ECAD 1845 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 50A (TC) 10V 7.5mohm @ 50a, 10V 4V @ 40µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2350 pf @ 25 v - 68W (TC)
2SJ646-E onsemi 2SJ646-E 0.2100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
AUIRFN8401TR International Rectifier auirfn8401tr -
RFQ
 ECAD 9001 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PQFN (5x6) 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 4,000 n 채널 40 v 84A (TC) 10V 4.6mohm @ 50a, 10V 3.9V @ 50µA 66 NC @ 10 v ± 20V 2170 pf @ 25 v - 4.2W (TA), 63W (TC)
2SK3482-Z-E2-AZ Renesas 2SK3482-Z-E2-AZ -
RFQ
 ECAD 7930 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (MP-3Z) - 2156-2SK3482-Z-E2-AZ 1 n 채널 100 v 36a 4.5V, 10V 33mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 1mA 72 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 10 v - 1W
FDD6670S Fairchild Semiconductor FDD6670S 0.9800
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 64A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 13.8a, 10V 3V @ 1mA 24 nc @ 10 v ± 20V 2010 pf @ 15 v - 1.3W (TA)
FQI34P10TU onsemi FQI34P10TU -
RFQ
 ECAD 1353 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FQI3 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 33.5A (TC) 10V 60mohm @ 16.75a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 25V 2910 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 155W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다