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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BUK7275-100A, 118 | - | ![]() | 4049 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BUK72 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF13N50C | 1.2000 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF1 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 500 v | 13A (TC) | 10V | 480mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 30V | 2055 PF @ 25 v | - | 48W (TC) | ||||||||||||
![]() | BF1101,215 | - | ![]() | 4938 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 7 v | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | BF110 | 800MHz | MOSFET | SOT-143B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 게이트 게이트 듀얼 | 30ma | 12 MA | - | - | 1.7dB | 5 v | |||||||||||||||
![]() | MRF6V3090NBR5578 | - | ![]() | 3344 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCG35P04-TP | 0.4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | MCG35 | MOSFET (금속 (() | DFN3333 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 40 v | 35a | 4.5V, 10V | 25mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 26.6 NC @ 10 v | ± 20V | 1257 pf @ 20 v | - | 38W | ||||||||||||
![]() | PSMN3R0-30YL, 115 | 1.3000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | PSMN3R0 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 15A, 10V | 2.15v @ 1ma | 45.8 nc @ 10 v | ± 20V | 2822 pf @ 12 v | - | 81W (TC) | ||||||||||||
![]() | fdpf10n50ut | 0.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | unifet ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 351 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 1.05ohm @ 4a, 10V | 5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 30V | 1130 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IPB65R110CFD7ATMA1 | 6.0500 | ![]() | 5667 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB65R | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 22A (TC) | 10V | 110mohm @ 9.7a, 10V | 4.5V @ 480µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 1942 pf @ 400 v | - | 114W (TC) | ||||||||||||
![]() | FDD3510H | - | ![]() | 4068 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD | FDD3510 | MOSFET (금속 (() | 1.3W | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 공통 p 채널, 공통 배수 | 80V | 4.3a, 2.8a | 80mohm @ 4.3a, 10V | 4V @ 250µA | 18NC @ 10V | 800pf @ 40v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
![]() | bla6g1011l-200rg, 1 | 300.7900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | 65 v | 섀시 섀시 | SOT-502D | bla6g1011 | 1.03GHz ~ 1.09GHz | LDMOS | 가장 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 20 | 49a | 100 MA | 200W | 20dB | - | 28 v | ||||||||||||||||
![]() | STL85N6F3 | - | ![]() | 4947 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL85 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 85A (TC) | 10V | 5.7mohm @ 8.5a, 10V | 2V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 3400 pf @ 25 v | - | 80W (TC) | ||||||||||||
![]() | CMS10P10D-HF | - | ![]() | 3826 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | CMS10 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252) | 다운로드 | 1 (무제한) | 641-CMS10P10D-HFTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 100 v | 10A (TC) | 210mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 1419 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 54W (TC) | ||||||||||||||
![]() | FQD7P20TM | 1.2000 | ![]() | 3462 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD7P20 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 200 v | 5.7A (TC) | 10V | 690mohm @ 2.85a, 10V | 5V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 30V | 770 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 55W (TC) | ||||||||||||
![]() | CSD18537NQ5A | 0.9200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD18537 | MOSFET (금속 (() | 8-vsonp (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 6V, 10V | 13mohm @ 12a, 10V | 3.5V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 1480 pf @ 30 v | - | 3.2W (TA), 75W (TC) | ||||||||||||
![]() | IXFP26N65X2 | 9.9300 | ![]() | 5732 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra X2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXFP26 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXFP26N65X2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 26A (TC) | 10V | 130mohm @ 500ma, 10V | 5V @ 2.5MA | 45 NC @ 10 v | ± 30V | 2450 pf @ 25 v | - | 460W (TC) | |||||||||||
![]() | pmpb20enz | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | PMPB20 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 7.2A (TA) | 4.5V, 10V | 19.5mohm @ 7a, 10V | 2V @ 250µA | 10.8 nc @ 10 v | ± 20V | 435 pf @ 10 v | - | 1.7W (TA), 12.5W (TC) | ||||||||||||
![]() | 2SJ306 | 0.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 2156-2SJ306 | 577 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA50R299CPXKSA1 | - | ![]() | 6648 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA50R | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-31 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 550 v | 12A (TC) | 10V | 299mohm @ 6.6a, 10V | 3.5V @ 440µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 1190 pf @ 100 v | - | 104W (TC) | |||||||||||||
RSS080N05FU6TB | - | ![]() | 2605 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 8A (TA) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | RCX100N25 | 2.2500 | ![]() | 466 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | RCX100 | MOSFET (금속 (() | TO-220FM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 250 v | 10A (TA) | 10V | - | - | ± 30V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||
![]() | UF3C065080K3S | 8.1900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Qorvo | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | UF3C065080 | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 2312-UF3C065080K3S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 31A (TC) | 12V | 100mohm @ 20a, 12v | 6V @ 10MA | 51 NC @ 15 v | ± 25V | 1500 pf @ 100 v | - | 190W (TC) | ||||||||||||
![]() | BSC240N12NS3G | - | ![]() | 3584 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 120 v | 37A (TC) | 10V | 24mohm @ 31a, 10V | 4V @ 35µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 60 v | - | 66W (TC) | |||||||||||||
DMN32D2LFB4-7 | 0.4100 | ![]() | 197 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | DMN32 | MOSFET (금속 (() | X2-DFN1006-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 300MA (TA) | 1.8V, 4V | 1.2ohm @ 100ma, 4v | 1.2V @ 250µA | ± 10V | 39 pf @ 3 v | - | 350MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | MCB90N12-TP | 1.1562 | ![]() | 3199 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MCB90N12 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 120 v | 90A | 7.2MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 4514 pf @ 50 v | - | 260W | |||||||||||||
![]() | TP5335K1-G-VAO | - | ![]() | 5577 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TP5335 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-TP5335K1-G-VAOTR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 350 v | 85MA (TJ) | 4.5V, 10V | 30ohm @ 200ma, 10V | 2.4V @ 1mA | ± 20V | 110 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | |||||||||||||
![]() | Siz340ADT-T1-GE3 | 1.1100 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | Siz340 | MOSFET (금속 (() | 3.7W (TA), 16.7W (TC), 4.2W (TA), 31W (TC) | 8-power33 (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-Siz340ADT-T1-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 15.7A (TA), 33.4A (TC), 25.4A (TA), 69.7A (TC) | 9.4mohm @ 10a, 10v, 4.29mohm @ 20a, 10v | 2.4V @ 250µA | 12.2NC @ 10V, 27.9NC @ 10V | 580pf @ 15v, 1290pf @ 15v | - | ||||||||||||||
![]() | DMP1555UFA-7B | 0.3700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | DMP1555 | MOSFET (금속 (() | X2-DFN0806-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | p 채널 | 12 v | 200MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 800mohm @ 200ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.84 nc @ 4.5 v | ± 8V | 55.4 pf @ 10 v | - | 360MW (TA) | ||||||||||||
![]() | NVMFS5C442NLWFAFT3G | - | ![]() | 8067 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 29A (TA), 130A (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 50a, 10V | 2V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||
![]() | IPD50N10S3L16ATMA1 | 2.0500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD50 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 50a, 10V | 2.4V @ 60µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 4180 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | ||||||||||||
![]() | RM120N30T2 | 0.3300 | ![]() | 1989 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM120N30T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 120A (TA) | 10V | 3.5mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | ± 20V | 3550 pf @ 25 v | - | 120W (TA) |
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