SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
AO6704 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6704 -
RFQ
ECAD 7906 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 AO670 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.6A (TA) 2.5V, 10V 65mohm @ 3.6a, 10V 1.8V @ 250µA 3.6 NC @ 4.5 v ± 12V 270 pf @ 15 v Schottky 분리 (다이오드) 1.39W (TA)
TK56E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK56E12N1, S1X 1.6800
RFQ
ECAD 7085 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK56E12 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 120 v 56A (TA) 10V 7mohm @ 28a, 10V 4V @ 1MA 69 NC @ 10 v ± 20V 4200 pf @ 60 v - 168W (TC)
IRLML0040TRPBF Infineon Technologies irlml0040trpbf 0.4200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 IRLML0040 MOSFET (금속 (() Micro3 ™/SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 3.6A (TA) 4.5V, 10V 56mohm @ 3.6a, 10V 2.5V @ 25µA 3.9 NC @ 4.5 v ± 16V 266 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
APT18M80S Microsemi Corporation APT18M80S -
RFQ
ECAD 1610 0.00000000 Microsemi Corporation MOS 8 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB APT18M80 MOSFET (금속 (() d3pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 19A (TC) 10V 530mohm @ 9a, 10V 5V @ 1MA 120 nc @ 10 v ± 30V 3760 pf @ 25 v - 500W (TC)
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Infineon Technologies IPP037N08N3GE8181XKSA1 -
RFQ
ECAD 6143 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP037N MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 80 v 100A (TC) 6V, 10V 3.75mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 155µA 117 NC @ 10 v ± 20V 8110 pf @ 40 v - 214W (TC)
2N7236 Microsemi Corporation 2N7236 -
RFQ
ECAD 8269 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) MOSFET (금속 (() TO-254AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 100 v 18A (TC) 10V 200mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 125W (TC)
FDP15N65 onsemi FDP15N65 -
RFQ
ECAD 2820 0.00000000 온세미 unifet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP15 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 440mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 3095 pf @ 25 v - 250W (TC)
SIHB120N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB120N60E-GE3 5.2400
RFQ
ECAD 984 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB120 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 120mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 30V 1562 pf @ 100 v - 179W (TC)
DMP2070UQ-13 Diodes Incorporated DMP2070UQ-13 0.0911
RFQ
ECAD 7641 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2070 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP2070UQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 20 v 4.6A (TC) 1.8V, 4.5V 44mohm @ 2a, 4.5v 950MV @ 250µA 8.2 NC @ 8 v ± 8V 118 pf @ 10 v - 830MW
DMTH4014LFVW-7 Diodes Incorporated DMTH4014LFVW-7 0.1942
RFQ
ECAD 8783 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH4014LFVW-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 11.5A (TA), 49.8A (TC) 4.5V, 10V 13.7mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 11.2 NC @ 10 v ± 20V 750 pf @ 20 v 기준 3.1W (TA), 57.7W (TC)
FDD18N20LZ onsemi FDD18N20LZ 1.8800
RFQ
ECAD 4986 0.00000000 온세미 unifet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD18N20 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 16A (TC) 5V, 10V 125mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1575 pf @ 25 v - 89W (TC)
SUD50N10-18P-E3 Vishay Siliconix SUD50N10-18P-E3 -
RFQ
ECAD 5887 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 8.2A (TA), 50A (TC) 10V 18.5mohm @ 15a, 10V 5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 50 v - 3W (TA), 136.4W (TC)
IRF6616 Infineon Technologies IRF6616 -
RFQ
ECAD 1238 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP001530696 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 19A (TA), 106A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 19a, 10V 2.25V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 3765 pf @ 20 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
PMV213SN,215 Nexperia USA Inc. PMV213SN, 215 0.6000
RFQ
ECAD 331 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV213 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 1.9A (TC) 10V 250mohm @ 500ma, 10V 4V @ 1MA 7 nc @ 10 v ± 30V 330 pf @ 20 v - 280MW (TJ)
IRFB3307 Infineon Technologies IRFB3307 -
RFQ
ECAD 8632 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB3307 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 130A (TC) 10V 6.3mohm @ 75a, 10V 4V @ 150µA 180 NC @ 10 v ± 20V 5150 pf @ 50 v - 250W (TC)
FQB4P40TM onsemi FQB4P40TM -
RFQ
ECAD 1344 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB4 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 400 v 3.5A (TC) 10V 3.1ohm @ 1.75a, 10V 5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 680 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 85W (TC)
2SJ599(0)-ZK-E1-AY Renesas Electronics America Inc 2SJ599 (0) -zk-e1-ay -
RFQ
ECAD 6442 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000 -
IRF7805ZGTRPBF Infineon Technologies IRF7805ZGTRPBF -
RFQ
ECAD 8336 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 16A (TA) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 16a, 10V 2.25V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 20V 2080 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
FQPF28N15T onsemi FQPF28N15T -
RFQ
ECAD 9245 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF2 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 16.7A (TC) 10V 90mohm @ 8.35a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 25V 1600 pf @ 25 v - 60W (TC)
NVTJD4401NT1G onsemi nvtjd4401nt1g -
RFQ
ECAD 7724 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - NVTJD44 - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 - 630MA (TA) - - - -
AO4486 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4486 0.8800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO44 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 4.2A (TA) 4.5V, 10V 79mohm @ 3a, 10V 2.7V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 942 pf @ 50 v - 3.1W (TA)
DMP2021UFDE-13 Diodes Incorporated DMP2021UFDE-13 0.1685
RFQ
ECAD 7862 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn DMP2021 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (e 형 e) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 20 v 11.1A (TA) 1.5V, 4.5V 16mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 59 NC @ 8 v ± 10V 2760 pf @ 15 v - 1.9W (TA)
SI7388DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7388DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 2658 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7388 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 19a, 10V 1.6V @ 250µA 24 nc @ 5 v ± 20V - 1.9W (TA)
IRFL4315 Infineon Technologies IRFL4315 -
RFQ
ECAD 3052 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFL4315 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 150 v 2.6A (TA) 10V 185mohm @ 1.6a, 10V 5V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 420 pf @ 25 v - 2.8W (TA)
ZXMN2A01FTC Diodes Incorporated zxmn2a01ftc -
RFQ
ECAD 5702 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 1.9A (TA) 2.5V, 4.5V 120mohm @ 4a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 3 NC @ 4.5 v ± 12V 303 pf @ 15 v - 625MW (TA)
STY130NF20D STMicroelectronics STY130NF20D -
RFQ
ECAD 2471 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STY130 MOSFET (금속 (() Max247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 130A (TC) 10V 12MOHM @ 65A, 10V 4V @ 250µA 338 NC @ 10 v ± 20V 11100 pf @ 25 v - 450W (TC)
AOB290L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB290L 3.8100
RFQ
ECAD 4652 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AOB290 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 18A (TA), 140A (TC) 10V 3.2MOHM @ 20A, 10V 4.1V @ 250µA 126 NC @ 10 v ± 20V 9550 pf @ 50 v - 2.1W (TA), 500W (TC)
NTDV5805NT4G onsemi NTDV5805NT4G -
RFQ
ECAD 8395 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTDV58 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 51A (TC) 5V, 10V 9.5mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 1725 pf @ 25 v - -
IRFU9010PBF Vishay Siliconix IRFU9010PBF 1.5200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU9010 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irfu9010pbf 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 50 v 5.3A (TC) 10V 500mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 9.1 NC @ 10 v ± 20V 240 pf @ 25 v - 25W (TC)
IRFR13N20DTRL Infineon Technologies irfr13n20dtrl -
RFQ
ECAD 2469 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 13A (TC) 10V 235mohm @ 8a, 10V 5.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 830 pf @ 25 v - 110W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고