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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
IRFI740GLCPBF	3.8900	RFQ	658	Vishay Siliconix	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	IRFI740	MOSFET (금속 (()	TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		*IRFI740GLCPBF	귀 99	8541.29.0095	50	n 채널	400 v	5.7A (TC)	10V	550mohm @ 3.4a, 10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 30V	1100 pf @ 25 v	-	40W (TC)
irfr9214trlpbf	1.5500	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR9214	MOSFET (금속 (()	D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	3,000	p 채널	250 v	2.7A (TC)	10V	3ohm @ 1.7a, 10V	4V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	220 pf @ 25 v	-	50W (TC)
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

단일 단일, MOSFETS (44971)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²