SIC
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FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
BSZ0907NDXTMA2 Infineon Technologies BSZ0907NDXTMA2 -
RFQ
 ECAD 4456 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn BSZ0907 MOSFET (금속 (() 700MW (TA), 860MW (TA) PG-Wison-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-BSZ0907NDXTMA2TR 귀 99 8541.21.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 30V 6.7A (TA), 8.5A (TA) 9.5mohm @ 9a, 10v, 7.2mohm @ 9a, 10v 2V @ 250µA 6.4nc @ 4.5v, 7.9nc @ 4.5v 730pf @ 15V, 900pf @ 15V 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브
AUIRF7343Q Infineon Technologies AUIRF7343Q -
RFQ
 ECAD 2519 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AUIRF7343 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001517318 귀 99 8541.29.0095 95 n 및 p 채널 55V 4.7a, 3.4a 50mohm @ 4.7a, 10V 1V @ 250µA 36NC @ 10V 740pf @ 25V 논리 논리 게이트
FCA150AC120 SanRex Corporation FCA150AC120 885.0000
RFQ
 ECAD 4333 0.00000000 Sanrex Corporation - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FCA150 실리콘 실리콘 (sic) 1135W (TC) - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 4076-FCA150AC120 귀 99 8541.10.0080 1 2 n 채널 (채널) 1200V (1.2kv) 150A (TC) 9.3mohm @ 150a, 20V 5V @ 4.5MA - 25300pf @ 20V -
SI4933DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4933DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1767 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4933 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 12V 7.4A 14mohm @ 9.8a, 4.5v 1V @ 500µA 70NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
TPCL4203(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCL4203 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFLGA TPCL4203 MOSFET (금속 (() 500MW 4 5 LGA (1.59x1.59) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 n 채널 (채널 교량) - - - 1.2V @ 200µA - 685pf @ 10V -
UPA2754GR-E2-A Renesas Electronics America Inc UPA2754GR-E2-A 1.1100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모 쓸모 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) UPA2754 MOSFET (금속 (() 2W 8-PSOP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 11a 14.5mohm @ 5.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 25NC @ 4.5V 1940pf @ 10V 논리 논리 게이트
SQJB02ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJB02ELP-T1_GE3 1.0900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB02 MOSFET (금속 (() 27W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 30A (TC) 7.5mohm @ 6a, 10V 2.2V @ 250µA 32NC @ 10V 1700pf @ 20V -
IPG20N06S4L14ATMA2 Infineon Technologies IPG20N06S4L14ATMA2 1.5400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IPG20N MOSFET (금속 (() 50W PG-TDSON-8-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 60V 20A 13.7mohm @ 17a, 10V 2.2V @ 20µA 39NC @ 10V 2890pf @ 25V 논리 논리 게이트
FMP36-015P IXYS FMP36-015P -
RFQ
 ECAD 1142 0.00000000 ixys Polar ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 i4 -pac ™ -5 FMP36 MOSFET (금속 (() 125W Isoplus i4-Pac ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 및 p 채널 150V 36a, 22a 40mohm @ 31a, 10V 5.5V @ 250µA 70NC @ 10V 2250pf @ 25V -
DMNH6022SSDQ-13 Diodes Incorporated DMNH6022SSDQ-13 1.0400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMNH6022 MOSFET (금속 (() 1.5W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 7.1a, 22.6a 27mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 32NC @ 30V 2127pf @ 25v -
CBB032M12FM3 Wolfspeed, Inc. CBB032M12FM3 143.5000
RFQ
 ECAD 4515 0.00000000 Wolfspeed, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 CBB032 실리콘 실리콘 (sic) 10MW - 다운로드 3 (168 시간) 1697-CBB032M12FM3 귀 99 8541.29.0095 18 4 n 채널 (채널 브리지) 1200V 40A (TJ) 42.6mohm @ 30a, 15V 3.6v @ 11.5ma 118NC @ 15V 3400pf @ 800V -
MSCSM120AM08T3AG Microchip Technology MSCSM120AM08T3AG 395.6500
RFQ
 ECAD 6291 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM120 실리콘 실리콘 (sic) 1.409kW (TC) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120AM08T3AG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 1200V (1.2kv) 337A (TC) 7.8mohm @ 160a, 20V 2.8V @ 12mA 928NC @ 20V 12100pf @ 1000V -
MCH6626-TL-E onsemi MCH6626-TL-E 0.1000
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH6626 MOSFET (금속 (() 800MW 6mcph - 적용 적용 수 할 귀 99 0000.00.0000 3,000 n 및 p 채널 20V 1.6a, 1a 230mohm @ 800ma, 4v - 1.4nc @ 4v 105pf @ 10v 논리 논리 게이트
SI9936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9936BDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1375 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9936 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 4.5A 35mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 13NC @ 10V - 논리 논리 게이트
CSD88537ND Texas Instruments CSD88537nd 1.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) CSD88537 MOSFET (금속 (() 2.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 15a 15mohm @ 8a, 10V 3.6V @ 250µA 18NC @ 10V 1400pf @ 30V -
IXTL2X200N085T IXYS IXTL2X200N085T -
RFQ
 ECAD 7330 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 isoplusi5-pak ™ IXTL2X200 MOSFET (금속 (() 150W isoplusi5-pak ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 2 n 채널 (채널) 85V 112A 6ohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 152NC @ 10V 7600pf @ 25V -
FQS4900TF Fairchild Semiconductor FQS4900TF 0.5800
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FQS4900 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 및 p 채널 60V, 300V 1.3a, 300ma 550mohm @ 650ma, 10V 1.95V @ 20MA 2.1NC @ 5V - -
SI4539ADY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4539ADY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8006 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4539 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 4.4a, 3.7a 36mohm @ 5.9a, 10V 1V @ 250µA (Min) 20NC @ 10V - 논리 논리 게이트
KGF16N05D-400W Renesas Electronics America Inc KGF16N05D-400W -
RFQ
 ECAD 7885 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 20-UFLGA, CSP KGF16 MOSFET (금속 (() 2.5W (TA) 20-WLCSP (2.48x1.17) - Rohs3 준수 1 (무제한) 559-KGF16N05D-400WTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 5.5V 16A (TJ) 1.9mohm @ 8a, 4.5v 900MV @ 250µA 5.5NC @ 4.5V 600pf @ 5V -
PJQ2815_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2815_R1_00001 0.6700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 PJQ2815 MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) DFN2020-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.2A (TA) 52mohm @ 4.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 24NC @ 4.5V 907pf @ 10V -
NP29N06QDK-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP29N06QDK-E1-ay 1.8600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powerldfn NP29 MOSFET (금속 (() 1W (TA), 44W (TC) 8-HSON (5x5.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 30A (TA) 20mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 24NC @ 10V 1500pf @ 25v -
NTMFD5875NLT1G onsemi NTMFD5875NLT1G -
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NTMFD5875 MOSFET (금속 (() 3.2W (TA), 32W (TC) 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-ntmfd5875nlt1gtr 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 7A (TA), 22A (TC) 33mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 5.9NC @ 4.5V 540pf @ 25V 논리 논리 게이트
2N7002DW-7-G Diodes Incorporated 2N7002DW-7-G -
RFQ
 ECAD 1101 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 2N7002 - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2N7002DW-7-GDI 귀 99 8541.21.0095 3,000 -
IRFI4019H-117PXKMA1 Infineon Technologies IRFI4019H-117PXKMA1 2.9900
RFQ
 ECAD 1269 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 5 팩, 형성 된 리드 IRFI4019 MOSFET (금속 (() 18W (TC) TO-220-5 Full-Pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 2 n 채널 (채널) 150V 8.7A (TC) 95mohm @ 5.2a, 10V 4.9V @ 50µA 20NC @ 10V 810pf @ 25v -
SI4569DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4569DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5611 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4569 MOSFET (금속 (() 3.1W, 3.2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 7.6a, 7.9a 27mohm @ 6a, 10V 2V @ 250µA 32NC @ 10V 855pf @ 20V -
MSCSM120AM042CT6AG Microchip Technology MSCSM120AM042CT6AG 848.0250
RFQ
 ECAD 5595 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM120 실리콘 실리콘 (sic) 2.031kW (TC) SP6C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120AM042CT6AG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 1200V (1.2kv) 495A (TC) 5.2MOHM @ 240A, 20V 2.8V @ 6MA 1392NC @ 20V 18.1pf @ 1000V -
DMC3060LVT-7 Diodes Incorporated DMC3060LVT-7 0.4700
RFQ
 ECAD 6089 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMC3060 MOSFET (금속 (() 830MW TSOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 30V 3.6A (TA), 2.8A (TA) 60mohm @ 3.1a, 10v, 95mohm @ 2.7a, 10v 1.8V @ 250µA, 2.1V @ 250µA 11.3NC @ 10V 395pf @ 15v, 324pf @ 15v -
DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated DMN3016LDN-7 0.5500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn DMN3016 MOSFET (금속 (() 1.1W V-DFN3030-8 (J) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 7.3A 20mohm @ 11a, 10V 2V @ 250µA 25.1NC @ 10V 1415pf @ 15V 논리 논리 게이트
SQJ570EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ570EP-T1_BE3 1.1000
RFQ
 ECAD 7498 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ570 MOSFET (금속 (() 27W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 1 (무제한) 742-sqj570ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 100V 15A (TC), 9.5A (TC) 45mohm @ 6a, 10v, 146mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250µA 15nc @ 10v, 20nc @ 10v 600pf @ 25v, 650pf @ 25v -
IRF7101PBF International Rectifier IRF7101PBF -
RFQ
 ECAD 9113 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF71 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 2 n 채널 (채널) 20V 3.5a 100mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250µA 15NC @ 10V 320pf @ 15V 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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