SIC
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FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
CMS02P02T6-HF Comchip Technology CMS02P02T6-HF -
RFQ
 ECAD 3502 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 CMS02 MOSFET (금속 (() 1.25W (TC) SOT-26 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CMS02P02T6-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.5A (TC) 90mohm @ 2.5a, 4.5v 1V @ 250µA 4.8nc @ 4.5v 350pf @ 15V -
AO6810 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6810 -
RFQ
 ECAD 4473 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 AO681 MOSFET (금속 (() 1.15W 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 3.5a 50mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 250µA 5NC @ 10V 210pf @ 15V 논리 논리 게이트
SIZ328DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz328DT-T1-GE3 0.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz328 MOSFET (금속 (() 2.9W (TA), 15W (TC), 3.6W (TA), 16.2W (TC) 8-power33 (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 25V 11.1A (TA), 25.3A (TC), 15A (TA), 30A (TC) 15mohm @ 5a, 10v, 10mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250µA 6.9nc @ 10v, 11.3nc @ 10v 325pf @ 10V, 600pf @ 10V -
SIA922EDJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA922EDJ-T4-GE3 -
RFQ
 ECAD 4377 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA922 MOSFET (금속 (() 1.9W (TA), 7.8W (TC) PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 4.4A (TA), 4.5A (TC) 64mohm @ 3a, 4.5v 1.4V @ 250µA 12NC @ 10V - -
AOC3870A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC3870A 0.3687
RFQ
 ECAD 6592 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-smd,, 없음 AOC387 MOSFET (금속 (() 2.3W (TA) 10- 알파드프 (alphadfn) (3.01x1.52) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 8,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 12V 22A (TA) 3.7mohm @ 5a, 4.5v 1.1V @ 250µA 32NC @ 4.5V - -
SSM6N68NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N68NU, LF 0.4600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-wdfn n 패드 SSM6N68 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 6-µdfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 4A (TA) 84mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 1mA 1.8NC @ 4.5V 129pf @ 15V 로직 로직 게이트 게이트, 1.8V 드라이브
DMT47M2LDV-13 Diodes Incorporated DMT47M2LDV-13 0.3704
RFQ
 ECAD 3271 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT47 MOSFET (금속 (() 2.34W (TA), 14.8W (TC) PowerDI3333-8 (유형 UXC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMT47M2LDV-13DI 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 11.9A (TA), 30.2A (TC) 10.8mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 14NC @ 10V 891pf @ 20V -
DMT47M2LDVQ-13 Diodes Incorporated DMT47M2LDVQ-13 0.4631
RFQ
 ECAD 6883 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT47 MOSFET (금속 (() 2.34W (TA), 14.8W (TC) PowerDI3333-8 (유형 UXC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMT47M2LDVQ-13DI 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 11.9A (TA), 30.2A (TC) 10.8mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 14NC @ 10V 891pf @ 20V -
DMC2710UVT-7 Diodes Incorporated dmc2710uvt-7 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMC2710 MOSFET (금속 (() 500MW (TA) TSOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 20V 1.2A (TA), 900MA (TA) 400mohm @ 600ma, 4.5v, 700mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.6nc @ 4.5v, 0.7nc @ 4.5v 42pf @ 16v, 49pf @ 16v -
SQUN702E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQUN702E-T1_GE3 3.6300
RFQ
 ECAD 1826 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 주사위 SQUN702 MOSFET (금속 (() 48W (TC), 60W (TC) 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 공통 p 채널, 공통 배수 40V, 200V 30A (TC), 20A (TC) 9.2mohm @ 9.8a, 10v, 60mohm @ 5a, 10v, 30mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA 23nc @ 20v, 14nc @ 20v, 30.2nc @ 100v 1474pf @ 20v, 1450pf @ 20v, 1302pf @ 100v -
FDMS001N025DSD onsemi FDMS001N025DSD -
RFQ
 ECAD 1501 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMS001 MOSFET (금속 (() 2.1W (TA), 26W (TC), 2.3W (TA), 42W (TC) 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 25V 19a (TA), 69A (TC), 38A (TA), 165A (TC) 3.25mohm @ 19a, 10v, 920µohm @ 38a, 10v 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA 30NC @ 10V, 104NC @ 10V 1370pf @ 13v, 5105pf @ 13v -
NSTJD4001NT1G onsemi nstjd4001nt1g -
RFQ
 ECAD 2913 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - NSTJD4 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 - - - - - - - -
2N7002DWS-7 Diodes Incorporated 2N7002DWS-7 0.0854
RFQ
 ECAD 5793 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 MOSFET (금속 (() 290MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2N7002DWS-7DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 247MA (TA) 4ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.4NC @ 4.5V 41pf @ 25v -
SSM6N40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N40TU, LF 0.4800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6N40 MOSFET (금속 (() 500MW (TA) UF6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 1.6A (TA) 122mohm @ 1a, 10V 2.6v @ 1ma 5.1NC @ 10V 180pf @ 15V 논리 논리 게이트, 4v 드라이브
NX1029XH Nexperia USA Inc. NX1029XH 0.0945
RFQ
 ECAD 4867 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 NX1029 MOSFET (금속 (() 330MW (TA), 1.09W (TC) SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065643125 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 보완 p 채널 및 50V 330ma (TA), 170ma (TA) 1.6ohm @ 500ma, 10v, 7.5ohm @ 100ma, 10v 2.1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V, 0.35NC @ 5V 50pf @ 10V, 36pf @ 25V 논리 논리 게이트
PMDT290UCEH Nexperia USA Inc. PMDT290UCEH 0.1178
RFQ
 ECAD 5567 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PMDT290 MOSFET (금속 (() 330MW (TA), 1.09W (TC) SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065733125 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 보완 p 채널 및 20V 800MA (TA), 550MA (TA) 380mohm @ 500ma, 4.5v, 850mohm @ 400ma, 4.5v 950MV @ 250µA, 1.3V @ 250µA 0.68NC @ 4.5V, 1.14NC @ 4.5V 83pf @ 10v, 87pf @ 10v -
DMT3009LEV-13 Diodes Incorporated DMT3009LEV-13 0.1846
RFQ
 ECAD 8470 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - DMT3009 - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DMT3009LEV-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 - - - - - - - -
NVMFD6H840NLT1G onsemi NVMFD6H840NLT1G 2.7700
RFQ
 ECAD 7678 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMFD6 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 80V 14A (TA), 74A (TC) 6.9mohm @ 20a, 10V 2V @ 96µA 32NC @ 10V 2002pf @ 40v -
SIZF914DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF914DT-T1-GE3 0.7095
RFQ
 ECAD 9526 0.00000000 Vishay Siliconix PowerPair®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn SIZF914 MOSFET (금속 (() 3.4W (TA), 26.6W (TC), 4W (TA), 60W (TC) 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIZF914DT-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 25V 23.5A (TA), 40A (TC), 52A (TA), 60A (TC) 3.8mohm @ 10a, 10v, 0.9mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 21NC @ 10V, 98NC @ 10V 1050pf @ 10v, 4670pf @ 10v -
MCB60P1200TLB-TRR IXYS MCB60P1200TLB-TRR -
RFQ
 ECAD 6082 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 9-powersmd MCB60P1200 실리콘 실리콘 (sic) - 9-SMPD-B - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MCB60P1200TLB-TRRTR 귀 99 8541.29.0095 200 4 n 채널 (채널 교량) 1200V (1.2kv) - - - - - -
MCB40P1200LB-TRR IXYS MCB40P1200LB-TRR -
RFQ
 ECAD 9128 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 9-powersmd MCB40P1200 실리콘 실리콘 (sic) - 9-SMPD-B 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MCB40P1200LB-TRRTR 귀 99 8541.29.0095 200 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 1200V (1.2kv) 58a - - - - -
UPA610TA-T1-A Renesas Electronics America Inc UPA610TA-T1-A 0.2000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 UPA610 MOSFET (금속 (() 300MW SC-74-6, (미니 곰팡이) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 100ma 13ohm @ 10ma, 10v - - 5pf @ 3v 논리 논리 게이트
FDR8508P Fairchild Semiconductor fdr8508p 1.3800
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSP (0.130 ", 3.30mm 너비) FDR85 MOSFET (금속 (() 800MW SUPERSOT ™ -8 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 3A 52mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 12NC @ 5V 750pf @ 15V 논리 논리 게이트
SIZ980BDT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ980BDT-T1-GE3 1.6600
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz980 MOSFET (금속 (() 3.8W (TA), 20W (TC), 5W (TA), 66W (TC) 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIZ980BDT-T1-GE3CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 23.7A (TA), 54.8A (TC), 54.3A (TA), 197A (TC) 4.39mohm @ 15a, 10v, 1.06mohm @ 19a, 10v 2.2V @ 250µA 18NC @ 10V, 79NC @ 10V 790pf @ 15v, 3655pf @ 15v -
IRF7314PBF International Rectifier IRF7314PBF -
RFQ
 ECAD 9305 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF731 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,800 2 p 채널 (채널) 20V 5.3A 58mohm @ 2.9a, 4.5v 700MV @ 250µA 29NC @ 4.5V 780pf @ 15V 논리 논리 게이트
FDG6302P Fairchild Semiconductor FDG6302P 0.2300
RFQ
 ECAD 257 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FDG6302 MOSFET (금속 (() 300MW SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 25V 140ma 10ohm @ 140ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 0.31NC @ 4.5V 12pf @ 10V 논리 논리 게이트
UPA603T-T2-A Renesas Electronics America Inc UPA603T-T2-A 0.1700
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-59-6 UPA603 MOSFET (금속 (() 300MW SC-59 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 50V 100ma 60ohm @ 10ma, 10V 2.5V @ 1µa - 17pf @ 5V -
UPA2792AGR-E1-AT Renesas Electronics America Inc UPA2792AGR-E1-AT 0.9900
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersoic (0.173 ", 4.40mm 너비) UPA2792 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 10A 12.5mohm @ 5a, 10V - 42NC @ 10V 2200pf @ 10V 논리 논리 게이트
FDW2512NZ Fairchild Semiconductor FDW2512NZ 0.5500
RFQ
 ECAD 213 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) FDW25 MOSFET (금속 (() 1.6W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 6A 28mohm @ 6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 12NC @ 4.5V 670pf @ 10V 논리 논리 게이트
SP8K33TB1 Rohm Semiconductor SP8K33TB1 -
RFQ
 ECAD 1019 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 SP8K33 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-sp8k33tb1tr 쓸모없는 2,500 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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