SIC
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FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
APTM10DHM09T3G Microsemi Corporation APTM10DHM09T3G -
RFQ
 ECAD 1107 0.00000000 Microsemi Corporation MOS V® 대부분 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTM10 MOSFET (금속 (() 390W SP3 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 비대칭 100V 139a 10mohm @ 69.5a, 10V 4V @ 2.5MA 350NC @ 10V 9875pf @ 25v -
APTM50DHM35G Microsemi Corporation APTM50DHM35G -
RFQ
 ECAD 4534 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM50 MOSFET (금속 (() 781W SP6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 비대칭 500V 99a 39mohm @ 49.5a, 10V 5V @ 5MA 280NC @ 10V 14000pf @ 25V -
CSD87313DMST Texas Instruments CSD87313DMST 2.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn CSD87313 MOSFET (금속 (() 2.7W 8-wson (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 30V - - 1.2V @ 250µA 28NC @ 4.5V 4290pf @ 15V -
FDMD8680 onsemi FDMD8680 3.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMD86 MOSFET (금속 (() 39W 8 파워 5x6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 80V 66A (TC) 4.7mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 73NC @ 10V 5330pf @ 40v -
STL36DN6F7 STMicroelectronics STL36DN6F7 1.1000
RFQ
 ECAD 4024 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL36 MOSFET (금속 (() 58W Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 33A (TC) 27mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 8NC @ 10V 420pf @ 30V -
AON7932_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7932_101 -
RFQ
 ECAD 1515 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-wdfn n 패드 AON793 MOSFET (금속 (() 1.4W 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 30V 6.6a, 8.1a 20mohm @ 6.6a, 10V 2.4V @ 250µA 6.5NC @ 10V 460pf @ 15V 논리 논리 게이트
PHC21025,118 Nexperia USA Inc. PHC21025,118 -
RFQ
 ECAD 3345 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PHC21025 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 3.5a, 2.3a 100mohm @ 2.2a, 10V 2.8V @ 1MA 30NC @ 10V 250pf @ 20V 논리 논리 게이트
NVMFD5853NLT1G onsemi NVMFD5853NLT1G -
RFQ
 ECAD 5086 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMFD5853 MOSFET (금속 (() 3W 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 12a 10mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 23NC @ 10V 1100pf @ 25V 논리 논리 게이트
AOD661 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD661 0.3319
RFQ
 ECAD 3178 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD AOD66 MOSFET (금속 (() 15.6W, 31W TO-252-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 12A (TC) 16.5mohm @ 12a, 10v, 22.5mohm @ 9.7a, 10v 2.5V @ 250µA 10nc @ 4.5v, 15nc @ 4.5v 760pf @ 15V -
DMS3017SSD-13 Diodes Incorporated DMS3017SSD-13 -
RFQ
 ECAD 1902 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMS3017 MOSFET (금속 (() 1.19W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8A, 6A 12MOHM @ 9.5A, 10V 2.5V @ 250µA 30.6NC @ 10V 1276pf @ 15V 논리 논리 게이트
SQJ990EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ990EP-T1_GE3 1.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ990 MOSFET (금속 (() 48W PowerPak® SO-8 듀얼 비대칭 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 100V 34A (TC) 40mohm @ 6a, 10v, 19mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250µA 30NC @ 10V, 15NC @ 10V 1390pf @ 25v, 650pf @ 25v -
UPA2381T1P-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA2381T1P-E1-A -
RFQ
 ECAD 1265 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 쟁반 쓸모 쓸모 UPA2381 - - 559-UPA2381T1P-E1-A 쓸모없는 1 -
DMN5L06VKQ-13 Diodes Incorporated DMN5L06VKQ-13 -
RFQ
 ECAD 2417 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMN5L06 MOSFET (금속 (() 250MW SOT-563 다운로드 31-DMN5L06VKQ-13 쓸모없는 1 2 n 채널 (채널) 50V 280MA (TA) 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA - 50pf @ 25V -
IRF8513TRPBF Infineon Technologies IRF8513TRPBF -
RFQ
 ECAD 6736 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF8513 MOSFET (금속 (() 1.5W, 2.4W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 8a, 11a 15.5mohm @ 8a, 10V 2.35V @ 25µA 8.6NC @ 4.5V 766pf @ 15V 논리 논리 게이트
SIZ346DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ346DT-T1-GE3 0.7300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix PowerPair®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz346 MOSFET (금속 (() 16W, 16.7W 8-power33 (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 17A (TC), 30A (TC) 28.5mohm @ 10a, 10v, 11.5mohm @ 14.4a, 10v 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA 5nc @ 4.5v, 9nc @ 4.5v 325pf @ 15v, 650pf @ 15v -
DMC3730UVT-7 Diodes Incorporated dmc3730uvt-7 0.1076
RFQ
 ECAD 2100 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMC3730 MOSFET (금속 (() 700MW TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 25V 680ma (TA), 460ma (TA) 450mohm @ 500ma, 4.5v, 1.1ohm @ 500ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 1.64nc @ 4.5v, 1.1nc @ 4.5v 50pf @ 10V, 63pf @ 10V -
SLA5212 Sanken SLA5212 -
RFQ
 ECAD 7074 0.00000000 산켄 - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 15-sip 탭 노출 노출, 형성 된 리드 SLA52 MOSFET (금속 (() - 15- 지퍼 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) SLA5212 DK 귀 99 8541.29.0095 18 6 n 채널 (3 채널 교량) 35V 8a - - - - -
APTM50DDA10T3G Microchip Technology APTM50DDA10T3G 79.3100
RFQ
 ECAD 7316 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTM50 MOSFET (금속 (() 312W SP3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 500V 37a 120mohm @ 18.5a, 10V 5V @ 1MA 96NC @ 10V 4367pf @ 25v -
STC5DNF30V STMicroelectronics STC5DNF30V -
RFQ
 ECAD 8238 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) STC5DNF MOSFET (금속 (() 1.3W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 4.5A 35mohm @ 2.3a, 4.5v 600MV @ 250µA 11.5NC @ 4.5V 460pf @ 25V 논리 논리 게이트
AOC2806 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC2806 0.6100
RFQ
 ECAD 391 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 알파모 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-xdfn AOC280 MOSFET (금속 (() 700MW 4-DFN (1.7x1.7) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 - - - - 12.5NC @ 4.5V - -
SI4944DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4944DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1152 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4944 MOSFET (금속 (() 1.3W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 9.3a 9.5mohm @ 12.2a, 10V 3V @ 250µA 21NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
NTMD6P02R2 onsemi NTMD6P02R2 -
RFQ
 ECAD 7688 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모 쓸모 ntmd6p 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500
BSC076N04NDATMA1 Infineon Technologies BSC076N04NDATMA1 1.8600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ -T2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn BSC076 MOSFET (금속 (() 2.3W (TA), 65W (TC) PG-TDSON-8-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 40V 20A (TC) 7.6mohm @ 17a, 10V 4V @ 30µA 38NC @ 10V 2950pf @ 20V -
SP8M24MB4TB1 Rohm Semiconductor SP8M24MB4TB1 -
RFQ
 ECAD 1017 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 SP8M24 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-sp8m24mb4tb1tr 쓸모없는 2,500 -
SP8M3FU7TB1 Rohm Semiconductor SP8M3FU7TB1 -
RFQ
 ECAD 9955 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M3 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-sp8m3fu7tb1tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 5A (TA), 4.5A (TA) 51mohm @ 5a, 10v, 56mohm @ 4.5a, 10v 2.5V @ 1mA 3.9nc @ 5v, 8.5nc @ 5v 230pf @ 10v, 850pf @ 10v -
TSM250NB06LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06LDCR RLG 1.0500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TSM250 MOSFET (금속 (() 2W (TA), 48W (TC) 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 6A (TA), 29A (TC) 25mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 23NC @ 10V 1314pf @ 30v -
AOCA24106E Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOCA24106E 0.9900
RFQ
 ECAD 1175 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 AOCA24106 MOSFET (금속 (() 2.7W (TA) 6- 알파드프 (alphadfn) (1.9x1.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 8,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 12V 20A (TA) 5.6mohm @ 4a, 4.5v 1.1V @ 250µA 18NC @ 4.5V - -
UPA1874BGR-9JG-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA1874BGR-9JG-E1-A 0.7300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모 쓸모 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) UPA1874 MOSFET (금속 (() 2W 8-tssop - Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 8a 14mohm @ 4a, 4.5v 1.5V @ 1mA 10nc @ 4v 930pf @ 10V 논리 논리 게이트
NTE2960 NTE Electronics, Inc NTE2960 8.6300
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 NTE29 MOSFET (금속 (() 40W TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE2960 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 900V 7a 2ohm @ 3a, 10V 4V @ 1MA - 1380pf @ 25V -
CMSBN4615-HF Comchip Technology CMSBN4615-HF 0.3169
RFQ
 ECAD 2064 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 4-SMD,, 없음 CMSBN4615 MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) CSPB1515-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 7A (TA) 26mohm @ 3a, 4.5v 1.3V @ 250µA 11nc @ 10V - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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