SIC
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FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
TT8K2TR Rohm Semiconductor tt8k2tr 0.8900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TT8K2 MOSFET (금속 (() 1.25W 8-TSST 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 2.5A 90mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 3.2NC @ 4.5V 180pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI4816BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4816BDY-T1-E3 1.6400
RFQ
 ECAD 4884 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4816 MOSFET (금속 (() 1W, 1.25W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 5.8A, 8.2A 18.5mohm @ 6.8a, 10V 3V @ 250µA 10nc @ 5v - 논리 논리 게이트
DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated DMP3085LSD-13 0.3700
RFQ
 ECAD 298 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP3085 MOSFET (금속 (() 1.1W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 3.9a 70mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 10V 563pf @ 25v 논리 논리 게이트
DMP2004VK-7 Diodes Incorporated DMP2004VK-7 0.4500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMP2004 MOSFET (금속 (() 400MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 530ma 900mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA - 175pf @ 16v 논리 논리 게이트
IRF7311PBF Infineon Technologies IRF7311PBF -
RFQ
 ECAD 6047 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF731 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001572034 귀 99 8541.29.0095 95 2 n 채널 (채널) 20V 6.6a 29mohm @ 6a, 4.5v 700MV @ 250µA 27NC @ 4.5V 900pf @ 15V 논리 논리 게이트
ZXMC3AM832TA Diodes Incorporated ZXMC3AM832TA -
RFQ
 ECAD 6208 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8-vdfn d 패드 ZXMC3 MOSFET (금속 (() 1.7W 8MLP (3x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 2.9a, 2.1a 120mohm @ 2.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 3.9NC @ 10V 190pf @ 25V 논리 논리 게이트
FDMB3800N onsemi FDMB3800N 1.3400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMB3800 MOSFET (금속 (() 750MW 8-mlp,, 펫 (3x1.9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 4.8a 4.8A, 10V 40mohm 3V @ 250µA 5.6NC @ 5V 465pf @ 15V 논리 논리 게이트
SI4931DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4931DY-T1-E3 1.2300
RFQ
 ECAD 8988 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4931 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 12V 6.7a 18mohm @ 8.9a, 4.5v 1V @ 350µA 52NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
AON5802BG Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON5802BG -
RFQ
 ECAD 2188 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-Wfdfn d 패드 패드 AON5802 MOSFET (금속 (() 3.1W (TA) 6-DFN-EP (2x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-AON5802BGTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 30V 10A (TA) 18mohm @ 7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 32NC @ 10V 1050pf @ 15V -
NTMFD4901NFT1G onsemi NTMFD4901NFT1G -
RFQ
 ECAD 4879 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NTMFD4901 MOSFET (금속 (() 1.1W, 1.2W 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8fl-dual-Asymmetrical) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 10.3a, 17.9a 6.5mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 9.7NC @ 4.5V 1150pf @ 15V 논리 논리 게이트
FDMA6023PZT onsemi FDMA6023PZT 0.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 FDMA6023 MOSFET (금속 (() 700MW 6 x 2 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 3.6a 60mohm @ 3.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V 885pf @ 10V 논리 논리 게이트
2N7002KDW-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. 2N7002KDW-AU_R1_000A1 0.3000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-2n7002kdw-au_r1_000a1tr 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 250MA (TA) 3ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.8NC @ 5V 35pf @ 25V -
SI1034CX-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1034CX-T1-GE3 0.3700
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1034 MOSFET (금속 (() 220MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 610MA (TA) 396mohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 250µA 2NC @ 8V 43pf @ 10V 논리 논리 게이트
AON7812 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7812 -
RFQ
 ECAD 1622 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AON781 MOSFET (금속 (() 4.1W 8-DFN (3x3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 비대칭 30V 6A 14.5mohm @ 6a, 10V 2.2V @ 250µA 15NC @ 10V 600pf @ 15V -
IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon Technologies IAUC60N04S6N031HATMA1 2.5900
RFQ
 ECAD 5217 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IAUC60 MOSFET (금속 (() 75W (TC) PG-TDSON-8-56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널 교량) 40V 60A (TJ) 3.1mohm @ 30a, 10V 3V @ 25µA 30NC @ 10V 1922pf @ 25v -
CAB320M17XM3 Wolfspeed, Inc. CAB320M17XM3 1.0000
RFQ
 ECAD 8481 0.00000000 Wolfspeed, Inc. - 상자 활동적인 - 섀시 섀시 기준 기준 CAB320 실리콘 실리콘 (sic) - - 다운로드 적용 적용 수 할 1697-CAB320M17XM3 귀 99 8541.29.0095 1 - 1700V 320A (TC) - - - - -
PMV27UPEA,215 Nexperia USA Inc. PMV27UPEA, 215 -
RFQ
 ECAD 9374 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 PMV27 - 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1 -
IRFR220119 Harris Corporation IRFR220119 -
RFQ
 ECAD 2647 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 IRFR220 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 675 -
IRFP250S2453 Harris Corporation IRFP250S2453 1.6000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 IRFP250 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1 -
EFC6611R-TF onsemi EFC6611R-TF -
RFQ
 ECAD 4831 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 EFC6611 MOSFET (금속 (() 2.5W 6CSP (1.77x3.54) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 - - - - 100NC @ 4.5V - 로직 로직 게이트, 2.5V 드라이브
NTLGD3502NT2G onsemi NTLGD3502NT2G -
RFQ
 ECAD 3167 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 NTLGD3502 MOSFET (금속 (() 1.74W 6-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4.3a, 3.6a 60mohm @ 4.3a, 4.5v 2V @ 250µA 4NC @ 4.5V 480pf @ 10V 논리 논리 게이트
NX7002BKW,115 Nexperia USA Inc. NX7002BKW, 115 -
RFQ
 ECAD 6511 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 NX7002 - 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 -
SI1034X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1034X-T1-GE3 0.4600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1034 MOSFET (금속 (() 250MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 180ma 5ohm @ 200ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 0.75NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
NTZD3154NT1G onsemi NTZD3154NT1G 0.4600
RFQ
 ECAD 458 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 NTZD3154 MOSFET (금속 (() 250MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 540ma 550mohm @ 540ma, 4.5V 1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 150pf @ 16V -
MSCSM120DUM08T3AG Microchip Technology MSCSM120DUM08T3AG 395.6500
RFQ
 ECAD 1707 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM120 실리콘 실리콘 (sic) 1409W (TC) SP3F - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120DUM08T3AG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 1200V (1.2kv) 337A (TC) 7.8mohm @ 80a, 20V 2.8V @ 4MA 928NC @ 20V 12100pf @ 1000V -
IRF7104PBF Infineon Technologies IRF7104PBF -
RFQ
 ECAD 8767 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF71 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 2 p 채널 (채널) 20V 2.3a 250mohm @ 1a, 10V 3V @ 250µA 25NC @ 10V 290pf @ 15V 논리 논리 게이트
CMLDM8005 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMLDM8005 TR PBFREE 0.7600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 CMLDM8005 MOSFET (금속 (() 350MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 650ma 360mohm @ 350ma, 4.5v 1V @ 250µA 1.2NC @ 4.5V 100pf @ 16V 논리 논리 게이트
AO4614B Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4614B 0.6300
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO4614 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 40V 6a, 5a 30mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 10.8nc @ 10v 650pf @ 20V 논리 논리 게이트
AON6978 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6978 -
RFQ
 ECAD 5840 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. SRFET ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn AON697 MOSFET (금속 (() 3.6W, 4.3W 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 20a, 28a 5.7mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 25NC @ 10V 1010pf @ 15V 논리 논리 게이트
NTQD6968NR2G onsemi NTQD6968NR2G -
RFQ
 ECAD 8822 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) NTQD69 MOSFET (금속 (() 1.39W 8-tssop 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 6.2A 22mohm @ 7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 17NC @ 4.5V 630pf @ 16v 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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