SIC
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FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
BSS8402DW-7-F Diodes Incorporated BSS8402DW-7-F 0.5000
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS8402 MOSFET (금속 (() 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 60V, 50V 115ma, 130ma 7.5ohm @ 50ma, 5V 2.5V @ 250µA - 50pf @ 25V 논리 논리 게이트
2SK2631-TL-E Sanyo 2SK2631-TL-E 0.8200
RFQ
 ECAD 665 0.00000000 Sanyo * 대부분 활동적인 2SK2631 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 700 -
BUK7V4R2-40HX Nexperia USA Inc. BUK7V4R2-40HX 3.1100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk7v4 MOSFET (금속 (() 85W (TA) LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널 교량) 40V 98A (TA) 4.2MOHM @ 20A, 10V 3.6v @ 1ma 37NC @ 10V 2590pf @ 25v -
DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated DMG6602SVT-7 0.3800
RFQ
 ECAD 193 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMG6602 MOSFET (금속 (() 840MW TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 3.4a, 2.8a 60mohm @ 3.1a, 10V 2.3V @ 250µA 13NC @ 10V 400pf @ 15V 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브
AON2802 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON2802 0.1855
RFQ
 ECAD 5291 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 AON280 MOSFET (금속 (() 2.1W 6-DFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 2A 60mohm @ 2a, 10V 1.5V @ 250µA 10nc @ 10v 245pf @ 15V 논리 논리 게이트
EM6K6T2R Rohm Semiconductor EM6K6T2R 0.5000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EM6K6 MOSFET (금속 (() 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 2 n 채널 (채널) 20V 300ma 1ohm @ 300ma, 4v 1V @ 1mA - 25pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI5935DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5935DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5810 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5935 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 3A 86mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 250µA 8.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
SI4388DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4388DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2382 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4388 MOSFET (금속 (() 3.3W, 3.5W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 10.7a, 11.3a 16mohm @ 8a, 10V 3V @ 250µA 27NC @ 10V 946pf @ 15V -
TPCP8401(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8401 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 5604 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TPCP8401 MOSFET (금속 (() 1W PS-8 (2.9x2.4) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V, 12V 100MA, 5.5A 3ohm @ 10ma, 4v 1.1V @ 100µa - 9.3pf @ 3v 논리 논리 게이트
USB10H onsemi USB10H -
RFQ
 ECAD 4012 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 USB10 MOSFET (금속 (() 700MW SUPERSOT ™ -6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.9a 170mohm @ 1.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 4.2NC @ 4.5V 441pf @ 10V 논리 논리 게이트
CPH6340-TL-E Sanyo CPH6340-TL-E -
RFQ
 ECAD 8911 0.00000000 Sanyo * 대부분 활동적인 CPH6340 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1 -
BUK9MJJ-65PLL,518 Nexperia USA Inc. buk9mjj-65pll, 518 -
RFQ
 ECAD 8617 0.00000000 Nexperia USA Inc. 트렌치 트렌치 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) buk9m MOSFET (금속 (() 4.4W (TC) 20- 의자 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934063229518 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 65V 11.6A (TC) 15.5mohm @ 10a, 10V 2V @ 1mA 30.8NC @ 5V 2660pf @ 25V 논리 논리 게이트
APTM100A13DG Microchip Technology APTM100A13DG 280.3700
RFQ
 ECAD 6924 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM100 MOSFET (금속 (() 1250W SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 1000V (1KV) 65A 156mohm @ 32.5a, 10V 5V @ 6MA 562NC @ 10V 15200pf @ 25V -
SI9926BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9926BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7743 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9926 MOSFET (금속 (() 1.14W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 6.2A 20mohm @ 8.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 20NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
AON7810 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7810 0.5700
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AON781 MOSFET (금속 (() 3.1W 8-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 30V 6A 14mohm @ 6a, 10V 2.3V @ 250µA 12.2NC @ 10V 542pf @ 15V 논리 논리 게이트
SI4230DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4230DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8668 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4230 MOSFET (금속 (() 3.2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8a 20.5mohm @ 8a, 10V 3V @ 250µA 25NC @ 10V 950pf @ 15V 논리 논리 게이트
DMG4822SSDQ-13 Diodes Incorporated DMG4822SSDQ-13 0.8900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMG4822 MOSFET (금속 (() 1.42W (TA) 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 10A (TA) 21mohm @ 8.5a, 10V 3V @ 250µA 5NC @ 4.5V 478.9pf @ 16V -
BUK9K6R2-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K6R2-40E, 115 1.8700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk9k6 MOSFET (금속 (() 68W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 40V 40a 6MOHM @ 25A, 10V 2.1v @ 1ma 35.4NC @ 10V 3281pf @ 25v 논리 논리 게이트
FDMS3660AS onsemi FDMS3660AS -
RFQ
 ECAD 9684 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS3660 MOSFET (금속 (() 1W 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 13a, 30a 8mohm @ 13a, 10V 2.7V @ 250µA 30NC @ 10V 2230pf @ 15V 논리 논리 게이트
APTM100A40FT1G Microsemi Corporation APTM100A40FT1G -
RFQ
 ECAD 2624 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 APTM100 MOSFET (금속 (() 390W SP1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 1000V (1KV) 21a 480mohm @ 18a, 10V 5V @ 2.5MA 305NC @ 10V 7868pf @ 25v -
IRFI4212H-117P International Rectifier IRFI4212H-117p 1.0000
RFQ
 ECAD 8719 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 5 팩 IRFI4212 MOSFET (금속 (() 18W TO-220-5 Full-Pak 다운로드 0000.00.0000 1 2 n 채널 (채널) 100V 11a 72.5mohm @ 6.6a, 10V 5V @ 250µA 18NC @ 10V 490pf @ 50V -
G4953S Goford Semiconductor G4953S 0.0970
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) G4953 MOSFET (금속 (() 2.5W (TC) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 30V 5A (TC) 60mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 10V 520pf @ 15V -
AON6924 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6924 -
RFQ
 ECAD 9839 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-wdfn n 패드 AON692 MOSFET (금속 (() 2W, 2.2W 8-DFN-EP (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 15a, 28a 5.2MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 21NC @ 10V 1560pf @ 15V 논리 논리 게이트
SQJB80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb80ep-t1_ge3 1.3100
RFQ
 ECAD 3706 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB80 MOSFET (금속 (() 48W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 80V 30A (TC) 19mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 32NC @ 10V 1400pf @ 25V -
FDG6303N onsemi FDG6303N 0.4900
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FDG6303 MOSFET (금속 (() 300MW SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 25V 500ma 450mohm @ 500ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 2.3NC @ 4.5V 50pf @ 10V 논리 논리 게이트
NX3008NBKS,115 Nexperia USA Inc. NX3008NBKS, 115 0.5000
RFQ
 ECAD 937 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NX3008 MOSFET (금속 (() 445MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 350ma 1.4ohm @ 350ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.68NC @ 4.5V 50pf @ 15V 논리 논리 게이트
BUK9K13-60EX Nexperia USA Inc. BUK9K13-60EX 1.6000
RFQ
 ECAD 7233 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK9K13 MOSFET (금속 (() 64W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 40a 12.5mohm @ 10a, 5V 2.1v @ 1ma 22.4NC @ 5V 2953pf @ 25v 논리 논리 게이트
CAB650M17HM3 Wolfspeed, Inc. CAB650M17HM3 4.0000
RFQ
 ECAD 8816 0.00000000 Wolfspeed, Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 CAB650 실리콘 실리콘 (sic) 50MW 기준 기준 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.21.0095 1 2 n 채널 (채널) 1700V (1.7kv) 916A (TC) 1.86MOHM @ 650A, 15V 3.6v @ 305ma 2988NC @ 15V 97300pf @ 1200V -
HUFA76504DK8T onsemi hufa76504dk8t -
RFQ
 ECAD 5793 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HUFA76504 MOSFET (금속 (() 2.5W 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 80V - 200mohm @ 2.5a, 10V 3V @ 250µA 10nc @ 10v 270pf @ 25V 논리 논리 게이트
IRF7530TR Infineon Technologies irf7530tr -
RFQ
 ECAD 3741 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) IRF7530 MOSFET (금속 (() 1.3W Micro8 ™ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 5.4A 30mohm @ 5.4a, 4.5v 1.2V @ 250µA 26NC @ 4.5V 1310pf @ 15V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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