SIC
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FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
ALD1107SBL Advanced Linear Devices Inc. ALD1107SBL 6.0100
RFQ
 ECAD 94 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD1107 MOSFET (금속 (() 500MW 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 4 p 채널, 채널 쌍 10.6v - 1800ohm @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5v -
AO4828L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4828L -
RFQ
 ECAD 9828 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO482 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 60V - 56MOHM @ 4.5A, 10V 3V @ 250µA 10.5nc @ 10v 540pf @ 30V 논리 논리 게이트
IRF7319PBF Infineon Technologies IRF7319PBF -
RFQ
 ECAD 4284 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF731 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 및 p 채널 30V - 29mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250µA 33NC @ 10V 650pf @ 25V -
FDMA2002NZ_F130 onsemi FDMA2002NZ_F130 -
RFQ
 ECAD 5393 0.00000000 온세미 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 FDMA2002 MOSFET (금속 (() 650MW 6 x 2 (2x2) - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 2 n 채널 (채널) 30V 2.9A 123mohm @ 2.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 220pf @ 15V 논리 논리 게이트
FQS4901TF onsemi FQS4901TF -
RFQ
 ECAD 7692 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FQS4901 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 400V 450ma 4.2ohm @ 225ma, 10V 4V @ 250µA 7.5NC @ 10V 210pf @ 25V -
IRF7306TR Infineon Technologies irf7306tr -
RFQ
 ECAD 2490 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF73 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001551228 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 30V 3.6a 100mohm @ 1.8a, 10V 1V @ 250µA 25NC @ 10V 440pf @ 25V 논리 논리 게이트
CSD88599Q5DC Texas Instruments CSD88599Q5DC 4.1700
RFQ
 ECAD 547 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 22-powertfdfn CSD88599Q5 MOSFET (금속 (() 12W 22-VSON-CLIP (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 60V - 2.1MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 27NC @ 4.5V 4840pf @ 30V -
ISL6605CR-TR5151 Intersil ISL6605CR-TR5151 1.6200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 인터 인터 * 대부분 활동적인 ISL6605 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 6,000 -
APTM10AM02FG Microchip Technology aptm10am02fg 346.5000
RFQ
 ECAD 7390 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM10 MOSFET (금속 (() 1250W SP6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 100V 495A 2.5mohm @ 200a, 10V 4V @ 10MA 1360NC @ 10V 40000pf @ 25V -
DMP2040USD-13 Diodes Incorporated DMP2040USD-13 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP2040 MOSFET (금속 (() 1.1W (TA) 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 20V 6.5A (TA), 12A (TC) 33mohm @ 8.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 19NC @ 8V 834pf @ 10V -
ECH8660-TL-H onsemi ECH8660-TL-H 0.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 ech8660 MOSFET (금속 (() 1.5W 8- 초 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 4.5A 59mohm @ 2a, 10V - 4.4NC @ 10V 240pf @ 10V 논리 논리 게이트
IRF7750TR Infineon Technologies IRF7750TR -
RFQ
 ECAD 6590 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) IRF7750 MOSFET (금속 (() 1W 8-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.7a 30mohm @ 4.7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 39NC @ 5V 1700pf @ 15V 논리 논리 게이트
SIZ998BDT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ998BDT-T1-GE3 0.9400
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz998 MOSFET (금속 (() 3.8W (TA), 20W (TC), 4.8W (TA), 32.9W (TC) 8-PowerPair® (6x5) - 1 (무제한) 742-SIZ998BDT-T1-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 23.7A (TA), 54.8A (TC), 36.2A (TA), 94.6A (TC) 4.39mohm @ 15a, 10v, 2.4mohm @ 19a, 10v 2.2V @ 250µA 18NC @ 10V, 46.7NC @ 10V 790pf @ 15v, 2130pf @ 15v -
TT8K2TR Rohm Semiconductor tt8k2tr 0.8900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TT8K2 MOSFET (금속 (() 1.25W 8-TSST 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 2.5A 90mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 3.2NC @ 4.5V 180pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI4816BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4816BDY-T1-E3 1.6400
RFQ
 ECAD 4884 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4816 MOSFET (금속 (() 1W, 1.25W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널 교량) 30V 5.8A, 8.2A 18.5mohm @ 6.8a, 10V 3V @ 250µA 10nc @ 5v - 논리 논리 게이트
DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated DMP3085LSD-13 0.3700
RFQ
 ECAD 298 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP3085 MOSFET (금속 (() 1.1W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 3.9a 70mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 10V 563pf @ 25v 논리 논리 게이트
DMP2004VK-7 Diodes Incorporated DMP2004VK-7 0.4500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMP2004 MOSFET (금속 (() 400MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 530ma 900mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA - 175pf @ 16v 논리 논리 게이트
IRF7311PBF Infineon Technologies IRF7311PBF -
RFQ
 ECAD 6047 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF731 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001572034 귀 99 8541.29.0095 95 2 n 채널 (채널) 20V 6.6a 29mohm @ 6a, 4.5v 700MV @ 250µA 27NC @ 4.5V 900pf @ 15V 논리 논리 게이트
ZXMC3AM832TA Diodes Incorporated ZXMC3AM832TA -
RFQ
 ECAD 6208 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8-vdfn d 패드 ZXMC3 MOSFET (금속 (() 1.7W 8MLP (3x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 2.9a, 2.1a 120mohm @ 2.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 3.9NC @ 10V 190pf @ 25V 논리 논리 게이트
FDMB3800N onsemi FDMB3800N 1.3400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMB3800 MOSFET (금속 (() 750MW 8-mlp,, 펫 (3x1.9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 4.8a 4.8A, 10V 40mohm 3V @ 250µA 5.6NC @ 5V 465pf @ 15V 논리 논리 게이트
SI4931DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4931DY-T1-E3 1.2300
RFQ
 ECAD 8988 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4931 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 12V 6.7a 18mohm @ 8.9a, 4.5v 1V @ 350µA 52NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
AON5802BG Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON5802BG -
RFQ
 ECAD 2188 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-Wfdfn d 패드 패드 AON5802 MOSFET (금속 (() 3.1W (TA) 6-DFN-EP (2x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-AON5802BGTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 30V 10A (TA) 18mohm @ 7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 32NC @ 10V 1050pf @ 15V -
NTMFD4901NFT1G onsemi NTMFD4901NFT1G -
RFQ
 ECAD 4879 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NTMFD4901 MOSFET (금속 (() 1.1W, 1.2W 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8fl-dual-Asymmetrical) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 10.3a, 17.9a 6.5mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 9.7NC @ 4.5V 1150pf @ 15V 논리 논리 게이트
FDMA6023PZT onsemi FDMA6023PZT 0.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 FDMA6023 MOSFET (금속 (() 700MW 6 x 2 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 3.6a 60mohm @ 3.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 17NC @ 4.5V 885pf @ 10V 논리 논리 게이트
SI1034CX-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1034CX-T1-GE3 0.3700
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1034 MOSFET (금속 (() 220MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 610MA (TA) 396mohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 250µA 2NC @ 8V 43pf @ 10V 논리 논리 게이트
AON7812 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7812 -
RFQ
 ECAD 1622 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AON781 MOSFET (금속 (() 4.1W 8-DFN (3x3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 비대칭 30V 6A 14.5mohm @ 6a, 10V 2.2V @ 250µA 15NC @ 10V 600pf @ 15V -
IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon Technologies IAUC60N04S6N031HATMA1 2.5900
RFQ
 ECAD 5217 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IAUC60 MOSFET (금속 (() 75W (TC) PG-TDSON-8-56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널 교량) 40V 60A (TJ) 3.1mohm @ 30a, 10V 3V @ 25µA 30NC @ 10V 1922pf @ 25v -
CAB320M17XM3 Wolfspeed, Inc. CAB320M17XM3 1.0000
RFQ
 ECAD 8481 0.00000000 Wolfspeed, Inc. - 상자 활동적인 - 섀시 섀시 기준 기준 CAB320 실리콘 실리콘 (sic) - - 다운로드 적용 적용 수 할 1697-CAB320M17XM3 귀 99 8541.29.0095 1 - 1700V 320A (TC) - - - - -
PMV27UPEA,215 Nexperia USA Inc. PMV27UPEA, 215 -
RFQ
 ECAD 9374 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 PMV27 - 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1 -
IRFR220119 Harris Corporation IRFR220119 -
RFQ
 ECAD 2647 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 IRFR220 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 675 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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