SIC
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FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
SQ4282EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4282EY-T1_GE3 1.5100
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4282 MOSFET (금속 (() 3.9W 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8A (TC) 12.3mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 47NC @ 10V 2367pf @ 15V -
BSM600D12P3G001 Rohm Semiconductor BSM600D12P3G001 1.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 BSM600 실리콘 실리콘 (sic) 2450W (TC) 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-BSM600D12P3G001 귀 99 8541.29.0095 4 2 n 채널 (채널 교량) 1200V (1.2kv) 600A (TC) - 5.6v @ 182ma - 31000pf @ 10V -
VKM40-06P1 IXYS vkm40-06p1 -
RFQ
 ECAD 2551 0.00000000 ixys - 상자 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Eco-PAC2 VHM40 MOSFET (금속 (() - Eco-PAC2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 4 n 채널 (채널 교량) 600V 38a 70mohm @ 25a, 10V 5.5V @ 3MA 220NC @ 10V - -
GSFQ6806 Good-Ark Semiconductor GSFQ6806 0.6600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 2.1W (TC) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 n 채널 60V 20A (TC) 28mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 42NC @ 10V 2440pf @ 20V 기준
PJQ5846-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5846-AU_R2_000A1 0.5346
RFQ
 ECAD 5364 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn PJQ5846 MOSFET (금속 (() 2W (TA), 38.5W (TC) DFN5060B-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq5846-au_r2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 9.5A (TA), 40A (TC) 10.5mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 22NC @ 10V 1258pf @ 25v -
CTLDM7120-M832DS TR Central Semiconductor Corp CTLDM7120-M832DS TR -
RFQ
 ECAD 6730 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-tdfn n 패드 CTLDM7120 MOSFET (금속 (() 1.65W TLM832DS 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 1A (TA) 100mohm @ 500ma, 4.5v 1.2v @ 1ma 2.4NC @ 4.5V 220pf @ 10V 논리 논리 게이트
BSL306NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL306NH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 BSL306 MOSFET (금속 (() 500MW PG-TSOP6-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 2.3a 57mohm @ 2.3a, 10V 2V @ 11µA 1.6NC @ 5V 275pf @ 15V 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브
APTSM120AM25CT3AG Microsemi Corporation APTSM120AM25CT3AG -
RFQ
 ECAD 6362 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTSM120 실리콘 실리콘 (sic) 937W SP3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널), Schottky 1200V (1.2kv) 148A (TC) 25mohm @ 80a, 20V 3V @ 4MA 544NC @ 20V 10200pf @ 1000V -
FDS6984AS Fairchild Semiconductor FDS6984AS 0.4200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench®, SyncFet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS69 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 2 n 채널 (채널) 30V 5.5A, 8.5A 31mohm @ 5.5a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 10V 420pf @ 15V 논리 논리 게이트
GSF7002DW Good-Ark Semiconductor GSF7002DW 0.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() 150MW (TA) SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 n 채널 60V 340MA (TA) 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA - 40pf @ 10V 기준
SQJB70EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb70ep-t1_ge3 0.9600
RFQ
 ECAD 8970 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB70 MOSFET (금속 (() 27W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 100V 11.3A (TC) 95mohm @ 4a, 10V 3.5V @ 250µA 7NC @ 10V 220pf @ 25V -
NVMFWD016N06CT1G onsemi NVMFWD016N06CT1G 1.2195
RFQ
 ECAD 9923 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMFWD016 MOSFET (금속 (() 3.1W (TA), 36W (TC) 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-nvmfwd016n06ct1gtr 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 9A (TA), 32A (TC) 16.3mohm @ 5a, 10V 4V @ 25µA 6.9NC @ 10V 489pf @ 30v -
IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7313trpbfxtma1 0.3739
RFQ
 ECAD 8553 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 2W (TA) PG-DSO-8-902 - Rohs3 준수 448-irf7313trpbfxtma1tr 4,000 2 n 채널 30V 6.5A (TA) 29mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250µA 33NC @ 10V 650pf @ 25V 기준
APTC60AM35T1G Microchip Technology APTC60AM35T1G 78.2600
RFQ
 ECAD 7399 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 APTC60 MOSFET (금속 (() 416W SP1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 600V 72A 35mohm @ 72a, 10V 3.9V @ 5.4ma 518NC @ 10V 14000pf @ 25V -
STC5NF20V STMicroelectronics STC5NF20V -
RFQ
 ECAD 6736 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) STC5NF MOSFET (금속 (() 1.5W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 5a 40mohm @ 2.5a, 4.5v 600MV @ 250µA 11.5NC @ 4.5V 460pf @ 15V 논리 논리 게이트
BUK9K5R1-30EX Nexperia USA Inc. BUK9K5R1-30EX 1.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk9k5 MOSFET (금속 (() 68W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 30V 40a 5.3MOHM @ 10A, 5V 2.1v @ 1ma 26.7NC @ 5V 3065pf @ 25V 논리 논리 게이트
DMC3028LSDXQ-13 Diodes Incorporated DMC3028LSDXQ-13 0.7500
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMC3028 MOSFET (금속 (() 1.2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 5.5A, 5.8A 27mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 13.2NC @ 5V 641pf @ 15V -
AO4850L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4850L -
RFQ
 ECAD 7413 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO485 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 75V 2.3a 130mohm @ 3.1a, 10V 3V @ 250µA 7NC @ 10V 380pf @ 30V 논리 논리 게이트
NVMFD5489NLWFT1G onsemi NVMFD5489NLWFT1G -
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMFD5483 MOSFET (금속 (() 3W 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 4.5A 65mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 12.4NC @ 10V 330pf @ 25V 논리 논리 게이트
FF6MR12W2M1B70BPSA1 Infineon Technologies FF6MR12W2M1B70BPSA1 355.8300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™+ 쟁반 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF6MR12 실리콘 실리콘 (sic) 20MW (TC) Ag-Easy2b 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 2 n 채널 (채널 교량) 1200V (1.2kv) 200a (TJ) 5.63mohm @ 200a, 15V 5.55V @ 80MA 496NC @ 15V 14700pf @ 800V -
SI7958DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7958DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4831 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7958 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 7.2A 16.5mohm @ 11.3a, 10V 3V @ 250µA 75NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SSM6N37FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37FE, LM 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6N37 MOSFET (금속 (() 150MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 250ma 2.2ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 1mA - 12pf @ 10V 논리 논리 게이트
ALD110804PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110804PCL 6.5006
RFQ
 ECAD 6154 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD110804 MOSFET (금속 (() 500MW 16-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1022 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 4.4v 420MV @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
MCB30P1200LB-TUB IXYS MCB30P1200LB-TUB -
RFQ
 ECAD 4554 0.00000000 ixys MCB30P1200LB 튜브 활동적인 - 표면 표면 9-powersmd MCB30P1200 실리콘 실리콘 (sic) - 9-SMPD-B - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-MCB30P1200LB-TUB 귀 99 8541.29.0095 20 4 n 채널 (채널 교량) 1200V (1.2kv) - - - - - -
DMTH10H038SPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H038SPDWQ-13 0.4154
RFQ
 ECAD 4671 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH10 MOSFET (금속 (() 2.7W (TA), 39W (TC) PowerDI5060-8 (유형 UXD) 다운로드 31-DMTH10H038SPDWQ-13 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 100V 25A (TC) 33mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 8NC @ 10V 544pf @ 50V 기준
SIA923AEDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA923AEDJ-T1-GE3 0.6500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA923 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.5A 54mohm @ 3.8a, 4.5v 900MV @ 250µA 25NC @ 8V 770pf @ 10V 논리 논리 게이트
MSCSM120AM50CT1AG Microchip Technology MSCSM120AM50CT1AG 89.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM120 실리콘 실리콘 (sic) 245W (TC) SP1F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120AM50CT1AG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 1200V (1.2kv) 55A (TC) 50mohm @ 40a, 20V 2.7v @ 1ma 137NC @ 20V 1990pf @ 1000V -
UPA675T-T1-A Renesas Electronics America Inc UPA675T-T1-A 0.1700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모 쓸모 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UPA675 MOSFET (금속 (() 200MW SC-88 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 16V 100ma 12ohm @ 10ma, 4v 1.1V @ 10µA - 10pf @ 3v -
MSCMC120AM02CT6LIAG Microchip Technology MSCMC120AM02CT6LIAG -
RFQ
 ECAD 8444 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCMC120 실리콘 실리콘 (sic) 3200W (TC) SP6C Li 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-MSCMC120AM02CT6LIAG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 1200V (1.2kv) 742A (TC) 2.85mohm @ 600a, 20V 4V @ 180ma 1932NC @ 20V 33500pf @ 1000V -
FW274-TL-E onsemi FW274-TL-E -
RFQ
 ECAD 9436 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) FW274 MOSFET (금속 (() 2.2W 8-SOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 2 n 채널 (채널) 30V 6A 37mohm @ 6a, 10V 2.6v @ 1ma 9.1NC @ 10V 490pf @ 10V 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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