SIC
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FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
PJL9836A_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9836A_R2_00001 0.2987
RFQ
 ECAD 5429 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9836 MOSFET (금속 (() 1.7W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9836A_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 6A (TA) 21mohm @ 5.5a, 10V 2.5V @ 250µA 28NC @ 10V 1680pf @ 20V -
APTM10HM19FT3G Microchip Technology aptm10hm19ft3g 89.0600
RFQ
 ECAD 9756 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTM10 MOSFET (금속 (() 208W SP3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 (채널 교량) 100V 70A 21mohm @ 35a, 10V 4V @ 1MA 200nc @ 10v 5100pf @ 25V -
FS30ASJ-2-T13#B00 Renesas Electronics America Inc FS30ASJ-2-T13#B00 0.9700
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 fs30asj - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000 -
SK3065 Harris Corporation SK3065 1.7900
RFQ
 ECAD 295 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 SK306 MOSFET (금속 (() 330MW To-72 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1 2 n 채널 (채널) 20V 50ma - - - - -
FDMA1025P onsemi FDMA1025P 0.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 Powertrench® 컷 컷 (CT) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 FDMA1025 MOSFET (금속 (() 700MW 6 x 2 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 2 p 채널 (채널) 20V 3.1a 155mohm @ 3.1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 4.8nc @ 4.5v 450pf @ 10V 논리 논리 게이트
DMHC3025LSD-13 Diodes Incorporated DMHC3025LSD-13 0.8700
RFQ
 ECAD 6192 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMHC3025 MOSFET (금속 (() 1.5W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 및 2 p 및 (하프 브리지) 30V 6A, 4.2A 25mohm @ 5a, 10V 2V @ 250µA 11.7NC @ 10V 590pf @ 15V 논리 논리 게이트
DMC2053UVTQ-7 Diodes Incorporated DMC2053UVTQ-7 0.4900
RFQ
 ECAD 225 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMC2053 MOSFET (금속 (() 700MW (TA) TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 20V 4.6A (TA), 3.2A (TA) 35mohm @ 5a, 4.5v, 74mohm @ 3.5a, 4.5v 1V @ 250µA 3.6nc @ 4.5v, 5.9nc @ 4.5v 369pf @ 10v, 440pf @ 10v -
SQJB46EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb46ep-t1_ge3 1.2200
RFQ
 ECAD 4536 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJB46 MOSFET (금속 (() 34W (TC) PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 2 n 채널 40V 30A (TC) 8mohm @ 8a, 10V 3.3V @ 250µA 32NC @ 10V 1800pf @ 25V -
QJD1210SA2 Powerex Inc. QJD1210SA2 -
RFQ
 ECAD 6979 0.00000000 Powerex Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 QJD1210 MOSFET (금속 (() 415W 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 1200V (1.2kv) 100A 17mohm @ 100a, 15V 1.6V @ 34ma 330NC @ 15V 8200pf @ 10V -
SIZF920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZF920DT-T1-GE3 1.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Sizf920 MOSFET (금속 (() 3.9W (TA), 28W (TC), 4.5W (TA), 74W (TC) 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널), Schottky 30V 28A (TA), 76A (TC), 49A (TA), 197A (TC) 3.07mohm @ 10a, 10v, 1.05mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 29NC @ 10V, 125NC @ 10V 1300pf @ 15V, 5230pf @ 15V -
AO4620 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4620 0.2619
RFQ
 ECAD 3701 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO462 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V - 24mohm @ 7.2a, 10V 2.6V @ 250µA 11nc @ 10V 448pf @ 15V 논리 논리 게이트
ALD110908PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110908PAL 5.7472
RFQ
 ECAD 9978 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ALD110908 MOSFET (금속 (() 500MW 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1040 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 4.8V 820mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
NTZD3155CT2G onsemi NTZD3155CT2G 0.4200
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 NTZD3155 MOSFET (금속 (() 250MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 및 p 채널 20V 540ma, 430ma 550mohm @ 540ma, 4.5V 1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 150pf @ 16V 논리 논리 게이트
DMG4511SK4-13 Diodes Incorporated DMG4511SK4-13 0.7600
RFQ
 ECAD 6716 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-5, DPAK (4 리드 + 탭), TO-252AD DMG4511 MOSFET (금속 (() 1.54W TO-252-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 공통 p 채널, 공통 배수 35V 5.3A, 5A 35mohm @ 8a, 10V 3V @ 250µA 18.7NC @ 10V 850pf @ 25v 논리 논리 게이트
SI6967DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6967DQ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7554 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6967 MOSFET (금속 (() 1.1W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 8V - 30mohm @ 5a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 40nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
SIZF5302DT-T1-RE3 Vishay Siliconix SIZF5302DT-T1-RE3 1.7500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 12-PowerPair ™ SIZF5302 MOSFET (금속 (() 3.8W (TA), 48.1W (TC) PowerPair® 3x3fs 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIZF5302DT-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 28.1A (TA), 100A (TC) 3.2mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA 22.2NC @ 10V 1030pf @ 15V -
UPA1857GR-9JG-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA1857GR-9JG-E1-A 0.3808
RFQ
 ECAD 5828 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) UPA1857 MOSFET (금속 (() 1.7W 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 3.8a 67mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 1mA 12NC @ 10V 580pf @ 10V 논리 논리 게이트
ZXMN6A25DN8TA Diodes Incorporated zxmn6a25dn8ta 1.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMN6 MOSFET (금속 (() 1.8W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 2 n 채널 (채널) 60V 3.8a 50mohm @ 3.6a, 10V 1V @ 250µA (Min) 20.4NC @ 10V 1063pf @ 30v 논리 논리 게이트
AO4629 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4629 0.4400
RFQ
 ECAD 243 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO462 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 공통 p 채널, 공통 배수 30V 6A, 5.5A 30mohm @ 6a, 10V 2.4V @ 250µA 6.3NC @ 10V 310pf @ 15V 논리 논리 게이트
MMDF2C03HDR2G onsemi MMDF2C03HDR2G -
RFQ
 ECAD 3806 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MMDF2 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 4.1a, 3a 70mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 16NC @ 10V 630pf @ 24V 논리 논리 게이트
PJQ5850_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5850_R2_00001 0.2707
RFQ
 ECAD 6250 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn PJQ5850 MOSFET (금속 (() 1.7W (TA), 12W (TC) DFN5060B-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5850_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 5A (TA), 14A (TC) 33mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 4.4nc @ 4.5v 425pf @ 25v -
VWM270-0075X2 IXYS VWM270-0075X2 -
RFQ
 ECAD 4808 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 v2-pak VWM270 MOSFET (금속 (() - v2-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 6 n 채널 (3 채널 교량) 75V 270A 2.1MOHM @ 100A, 10V 4V @ 500µA 360NC @ 10V - -
SH8M2TB1 Rohm Semiconductor Sh8m2tb1 0.3719
RFQ
 ECAD 3569 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) Sh8m2 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 3.5a 83mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 3.5NC @ 5V 140pf @ 10V -
AON4807_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON4807_001 -
RFQ
 ECAD 4458 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 AON480 MOSFET (금속 (() 1.9W 8-DFN (3x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 p 채널 (채널) 30V 4a 68mohm @ 4a, 10V 2.3V @ 250µA 10nc @ 10v 290pf @ 15V 논리 논리 게이트
SI1557DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1557DH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4689 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1557 MOSFET (금속 (() 470MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 12V 1.2a, 770ma 235mohm @ 1.2a, 4.5v 1V @ 100µA 1.2NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
HUFA76429D3ST_QF085 Fairchild Semiconductor HUFA76429D3ST_QF085 -
RFQ
 ECAD 5621 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 HUFA76429 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 300 -
FDS8949-F085 Fairchild Semiconductor FDS8949-F085 -
RFQ
 ECAD 8513 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS89 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 2 n 채널 (채널) 40V 6A 29mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 5v 955pf @ 20V 논리 논리 게이트
SI7949DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7949DP-T1-E3 1.6400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7949 MOSFET (금속 (() 1.5W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 60V 3.2A 64mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 40NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SIA936EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA936EDJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3349 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA936 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4.5A 34mohm @ 4a, 4.5v 1.3V @ 250µA 17nc @ 10V - 논리 논리 게이트
TPS1120D Texas Instruments TPS1120D 1.6926
RFQ
 ECAD 6836 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TPS1120 MOSFET (금속 (() 840MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 75 2 p 채널 (채널) 15V 1.17a 180mohm @ 1.5a, 10V 1.5V @ 250µA 5.45NC @ 10V - 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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