SIC
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FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
PJQ5850_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5850_R2_00001 0.2707
RFQ
 ECAD 6250 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn PJQ5850 MOSFET (금속 (() 1.7W (TA), 12W (TC) DFN5060B-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5850_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 5A (TA), 14A (TC) 33mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 4.4nc @ 4.5v 425pf @ 25v -
VWM270-0075X2 IXYS VWM270-0075X2 -
RFQ
 ECAD 4808 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 v2-pak VWM270 MOSFET (금속 (() - v2-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 6 n 채널 (3 채널 교량) 75V 270A 2.1MOHM @ 100A, 10V 4V @ 500µA 360NC @ 10V - -
SH8M2TB1 Rohm Semiconductor Sh8m2tb1 0.3719
RFQ
 ECAD 3569 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) Sh8m2 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 3.5a 83mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 3.5NC @ 5V 140pf @ 10V -
AON4807_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON4807_001 -
RFQ
 ECAD 4458 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 AON480 MOSFET (금속 (() 1.9W 8-DFN (3x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 p 채널 (채널) 30V 4a 68mohm @ 4a, 10V 2.3V @ 250µA 10nc @ 10v 290pf @ 15V 논리 논리 게이트
SI1557DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1557DH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4689 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1557 MOSFET (금속 (() 470MW SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 12V 1.2a, 770ma 235mohm @ 1.2a, 4.5v 1V @ 100µA 1.2NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
HUFA76429D3ST_QF085 Fairchild Semiconductor HUFA76429D3ST_QF085 -
RFQ
 ECAD 5621 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 HUFA76429 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 300 -
FDS8949-F085 Fairchild Semiconductor FDS8949-F085 -
RFQ
 ECAD 8513 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS89 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 2 n 채널 (채널) 40V 6A 29mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 11nc @ 5v 955pf @ 20V 논리 논리 게이트
SI7949DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7949DP-T1-E3 1.6400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SI7949 MOSFET (금속 (() 1.5W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 60V 3.2A 64mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 40NC @ 10V - 논리 논리 게이트
DMN601VK-7 Diodes Incorporated DMN601VK-7 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMN601 MOSFET (금속 (() 250MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 305MA 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA - 50pf @ 25V 논리 논리 게이트
SIA936EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA936EDJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3349 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA936 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 4.5A 34mohm @ 4a, 4.5v 1.3V @ 250µA 17nc @ 10V - 논리 논리 게이트
TPS1120D Texas Instruments TPS1120D 1.6926
RFQ
 ECAD 6836 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TPS1120 MOSFET (금속 (() 840MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 75 2 p 채널 (채널) 15V 1.17a 180mohm @ 1.5a, 10V 1.5V @ 250µA 5.45NC @ 10V - 논리 논리 게이트
BUK98150-55/CU Nexperia USA Inc. BUK98150-55/CU -
RFQ
 ECAD 9814 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BUK98150 - 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 -
UT6JC5TCR Rohm Semiconductor ut6jc5tcr 0.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn UT6JC5 MOSFET (금속 (() 2W (TA) HUML2020L8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-ut6jc5tcrtr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 60V 2.5A (TA) 280mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 1mA 6.3NC @ 10V 265pf @ 30V -
AO6800L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6800L -
RFQ
 ECAD 4771 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 AO680 MOSFET (금속 (() 1.15W 6TSOP - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 3.4A (TA) 60mohm @ 3.4a, 10V 1.5V @ 250µA 10nc @ 10v 235pf @ 15V -
UPA1602GS-E1-A Renesas UPA1602GS-E1-A 1.5500
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) UPA1602 MOSFET (금속 (() 1W (TA) 16-SOP - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-UPA1602GS-E1-A 귀 99 8542.39.0001 1 7 n 채널 30V 430MA (TA) 5.3ohm @ 150ma, 4.5v 1V @ 150mA - 10pf -
IRF7311PBF International Rectifier IRF7311PBF 0.2900
RFQ
 ECAD 6902 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF731 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 40 2 n 채널 (채널) 20V 6.6a 29mohm @ 6a, 4.5v 700MV @ 250µA 27NC @ 4.5V 900pf @ 15V 논리 논리 게이트
FDMD8280 Fairchild Semiconductor FDMD8280 -
RFQ
 ECAD 1017 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 12-powerwdfn FDMD82 MOSFET (금속 (() 1W 12-power3.3x5 다운로드 0000.00.0000 1 2 n 채널 (채널) 80V 11a 8.2mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 44NC @ 10V 3050pf @ 40v -
EPC2101 EPC EPC2101 9.2000
RFQ
 ECAD 550 0.00000000 EPC Egan® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 EPC210 Ganfet ((갈륨) - 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 2 n 채널 (채널 교량) 60V 9.5A, 38A 11.5mohm @ 20a, 5V, 2.7mohm @ 20a, 5v 2.5V @ 3MA, 2.5V @ 12mA 2.7nc @ 5v, 12nc @ 5v 300pf @ 30v, 1200pf @ 30v -
IRF5852TRPBF Infineon Technologies IRF5852TRPBF -
RFQ
 ECAD 9590 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 IRF58 MOSFET (금속 (() 960MW 6TSOP 다운로드 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 2.7a 90mohm @ 2.7a, 4.5v 1.25V @ 250µA 6NC @ 4.5V 400pf @ 15V 논리 논리 게이트
FDMJ1023PZ Fairchild Semiconductor FDMJ1023PZ 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-Wfdfn d 패드 패드 FDMJ1023 MOSFET (금속 (() 700MW SC-75,, 펫 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.9A 112mohm @ 2.9a, 4.5v 1V @ 250µA 6.5NC @ 4.5V 400pf @ 10V 논리 논리 게이트
PMZB290UNE2315 NXP USA Inc. PMZB290UN2315 -
RFQ
 ECAD 1067 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PMZB290 - 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 10,000 -
FF1MR12KM1H Infineon Technologies FF1MR12KM1H -
RFQ
 ECAD 5591 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 FF1MR12 - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 448-FF1MR12KM1H 귀 99 8541.29.0095 1 -
SIZ902DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz902DT-T1-GE3 1.4900
RFQ
 ECAD 6870 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn Siz902 MOSFET (금속 (() 29W, 66W 8-PowerPair® (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 16A 12MOHM @ 13.8A, 10V 2.2V @ 250µA 21NC @ 10V 790pf @ 15V 논리 논리 게이트
NTHD4401PT1 onsemi nthd4401pt1 -
RFQ
 ECAD 3955 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 nthd44 MOSFET (금속 (() 1.1W Chipfet ™ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.1a 155mohm @ 2.1a, 4.5v 1.2V @ 250µA 6NC @ 4.5V 300pf @ 10V 논리 논리 게이트
NDM3000 onsemi NDM3000 -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NDM300 MOSFET (금속 (() 1.4W 16- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 3 n 및 3 p 및 (3 상 브리지) 30V 3A 90mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 25NC @ 10V 360pf @ 10V 논리 논리 게이트
NX3008NBKSH NXP Semiconductors NX3008NBKSH -
RFQ
 ECAD 3171 0.00000000 nxp 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() 280MW (TA), 990MW (TC) 6-TSSOP - 2156-NX3008NBKSH 1 2 n 채널 30V 350MA (TA) 1.4ohm @ 350ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.68NC @ 4.5V 50pf @ 15V 기준
TSM4925DCS Taiwan Semiconductor Corporation TSM4925DCS 1.1704
RFQ
 ECAD 5194 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TSM4925 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM4925DCSTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 p 채널 30V 7.1A (TA) 25mohm @ 7.1a, 10V 3V @ 250µA 70NC @ 10V 1900pf @ 15V 기준
IRF1404PBF-EL International Rectifier IRF1404PBF-EL -
RFQ
 ECAD 6734 0.00000000 국제 국제 * 대부분 활동적인 IRF1404 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 0000.00.0000 1 -
CTLDM7120-M832D BK Central Semiconductor Corp CTLDM7120-M832D BK -
RFQ
 ECAD 8278 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모 쓸모 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-tdfn n 패드 CTLDM7120 MOSFET (금속 (() 1.65W tlm832d 다운로드 1514-CTLDM7120-M832DBK 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 20V 1A 100mohm @ 500ma, 4.5v 1.2v @ 1ma 2.4NC @ 4.5V 220pf @ 10V 논리 논리 게이트
MSCSM120HM50CT3AG Microchip Technology MSCSM120HM50CT3AG 181.3700
RFQ
 ECAD 4076 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM120 실리콘 실리콘 (sic) 245W (TC) SP3F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120HM50CT3AG 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 1200V (1.2kv) 55A (TC) 50mohm @ 40a, 20V 2.7v @ 1ma 137NC @ 20V 1990pf @ 1000V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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