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FET, MOSFET et (6056)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI6966EDQ-T1-GE3 | - |  | 6456 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | SI6966 | MOSFET (금속 (() | 1.25W | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | - | 30mohm @ 5.2a, 4.5v | 600MV @ 250µa (최소) | 25NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||
 | RFD14N05S2515 | 0.3100 | | 1023 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | * | 대부분 | 활동적인 | RFD14 | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 900 | - | ||||||||||||||||
| FF8MR12W1M1HB70BPSA1 | 207.7600 | | 2878 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | FF8MR12 | - | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 24 | - | |||||||||||||||||
 | CMLDM7484 TR PBFREE | 0.6300 | | 81 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | CMLDM7484 | MOSFET (금속 (() | 150MW | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 보완 p 채널 및 | 30V | 450ma | 460mohm @ 200ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.79NC @ 4.5V | 45pf @ 25V | - | ||
 | NTQD6968N | - | | 1200 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | NTQD69 | MOSFET (금속 (() | 1.39W | 8-tssop | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 6.2A | 22mohm @ 7a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 17NC @ 4.5V | 630pf @ 16v | 논리 논리 게이트 | ||
 | zxmp3f37dn8ta | - | | 3624 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ZXMP3F37 | MOSFET (금속 (() | 1.81W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | zxmp3f37dn8tadi | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 5.7a | 25mohm @ 7.1a, 10V | 3V @ 250µA | 31.6NC @ 10V | 1678pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |
 | Siz320DT-T1-GE3 | 0.9400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | PowerPair®, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | Siz320 | MOSFET (금속 (() | 16.7W, 31W | 8-power33 (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 25V | 30A (TC), 40A (TC) | 8.3mohm @ 8a, 10v, 4.24mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250µA | 8.9nc @ 4.5v, 11.9nc @ 4.5v | 660pf @ 12.5v, 1370pf @ 12.5v | - | |||
 | G120P03S2 | 0.8000 | | 4 | 0.00000000 | goford 반도체 | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | G120 | MOSFET (금속 (() | 1.4W (TC) | 8-SOP | 다운로드 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0000 | 4,000 | 30V | 16A (TC) | 14mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 35NC @ 10V | 2835pf @ 15V | 기준 | ||||
 | SI1926DL-T1-GE3 | 0.4100 | | 112 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1926 | MOSFET (금속 (() | 510MW | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 370ma | 1.4ohm @ 340ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 1.4NC @ 10V | 18.5pf @ 30V | 논리 논리 게이트 | ||
| APTM20DHM16T3G | - | | 1995 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 7® | 대부분 | 쓸모 쓸모 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTM20 | MOSFET (금속 (() | 390W | SP3 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) 비대칭 | 200V | 104a | 19mohm @ 52a, 10V | 5V @ 2.5MA | 140NC @ 10V | 7220pf @ 25v | - | |||
 | DMN3270UVT-7 | 0.1366 | | 1849 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | DMN3270 | MOSFET (금속 (() | 760MW (TA) | TSOT-26 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 1.6A (TA) | 270mohm @ 650ma, 4.5v | 900MV @ 40µA | 3.07NC @ 4.5V | 161pf @ 15V | - | ||
 | SSM6P35AFU, LF | 0.4300 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-MOSVII | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SSM6P35 | MOSFET (금속 (() | 285MW (TA) | US6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 250MA (TA) | 1.4ohm @ 150ma, 4.5v | 1V @ 100µA | - | 42pf @ 10V | 로직 로직 게이트, 1.2v 드라이브 | |||
| SIZ340DT-T1-GE3 | 0.9200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | PowerPair®, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | Siz340 | MOSFET (금속 (() | 16.7W, 31W | 8-power33 (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 교량) | 30V | 30A, 40A | 9.5mohm @ 15.6a, 10V | 2.4V @ 250µA | 19NC @ 10V | 760pf @ 15V | - | |||
| aote21115c | 0.2619 | | 4625 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | AoTe21115 | MOSFET (금속 (() | 1.5W (TA) | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-aote21115ctr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 20V | 5.1A (TA) | 40mohm @ 5.1a, 4.5v | 950MV @ 250µA | 17NC @ 4.5V | 930pf @ 10V | - | |
 | sq3585ev-t1_ge3 | 3.6700 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SQ3585 | MOSFET (금속 (() | 1.67W | 6TSOP | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 3.57A (TC), 2.5A (TC) | 77mohm @ 1a, 4.5v, 166mohm @ 1a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 2.5nc @ 4.5v, 3.5nc @ 4.5v | - | - | ||||
 | NVMFD5485NLT3G | - | | 2733 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | NVMFD5483 | MOSFET (금속 (() | 2.9W | 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 5.3A | 44mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 20NC @ 10V | 560pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||
| APTMC120AM20CT1AG | - | | 6497 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | APTMC120 | 실리콘 실리콘 (sic) | 600W | SP1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 다리) | 1200V (1.2kv) | 143A (TC) | 17mohm @ 100a, 20V | 2.3V @ 2MA (유형) | 360NC @ 20V | 5960pf @ 1000V | - | ||
| MCH3360-TL-E-ON | - | | 7675 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | MCH3360 | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3,000 | - | ||||||||||||||||
| IRF7751TRPBF | - | | 3926 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | IRF775 | MOSFET (금속 (() | 1W | 8-tssop | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 4.5A | 35mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 44NC @ 10V | 1464pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | |||
 | dmp22d5udj | - | | 2648 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-963 | DMP22 | - | 380MW | SOT-963 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-dmp22d5udj | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 360MA (TA) | 1.9ohm @ 100ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.3NC @ 4.5V | 17pf @ 15V | - | |||
 | NTJD1155LT1 | - | | 2418 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NTJD1155 | MOSFET (금속 (() | 400MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 8V | 1.3a | 175mohm @ 1.2a, 4.5v | 1V @ 250µA | - | - | - | ||
 | AOC2802 | - | | 9826 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-UFBGA, WLCSP | AOC280 | MOSFET (금속 (() | 1.3W | 4-WLCSP (1.57x1.57) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | - | - | - | - | 10.4nc @ 4.5v | - | 논리 논리 게이트 | |||
 | DMN67D8LDW-7 | 0.0756 | | 3181 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN67 | MOSFET (금속 (() | 320MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 230ma | 5ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 0.82NC @ 10V | 25V @ 25V | - | ||
 | CSD87335Q3D | 1.6000 | | 4 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerldfn | CSD87335Q3 | MOSFET (금속 (() | 6W | 8-LSON (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) 비대칭 | 30V | - | - | 1.9V @ 250µA | 7.4NC @ 4.5V | 1050pf @ 15V | - | ||
 | SP8M31HZGTB | 2.2500 | | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SP8M3 | MOSFET (금속 (() | 2W (TA) | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 및 p 채널 | 60V | 4.5A (TA) | 65mohm @ 4.5a, 10v, 70mohm @ 4.5a, 10v | 3V @ 1mA | 7NC @ 5V, 40NC @ 10V | 500pf @ 10V, 2500pf @ 10V | - | ||
 | NX6008NBKSX | 0.3700 | | 25 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NX6008 | MOSFET (금속 (() | 260MW (TA), 1.3W (TC) | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 220MA (TA) | 2.7ohm @ 300ma, 4.5v | 900MV @ 250µA | 0.7NC @ 4.5V | 27pf @ 30V | - | ||
 | DMN2023UCB4-7 | 0.2375 | | 3725 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-XFBGA, WLBGA | DMN2023 | MOSFET (금속 (() | 1.45W | X1-WLB1818-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 24V | 6A (TA) | - | 1.3v @ 1ma | 37NC @ 4.5V | 3333pf @ 10v | - | ||
| FW344A-TL-2WX | - | | 9618 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모 쓸모 | - | - | - | FW344 | - | - | - | - | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
 | ALD110914PAL | 5.7472 | | 7987 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | ALD110914 | MOSFET (금속 (() | 500MW | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1014-1042 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 | 10.6v | 12MA, 3MA | 500ohm @ 5.4v | 1.42V @ 1µa | - | 2.5pf @ 5V | - | |
 | PJT7872B_R1_00001 | 0.4900 | | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PJT7872 | MOSFET (금속 (() | 350MW (TA) | SOT-363 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJT7872B_R1_00001DKR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 250MA (TA) | 3ohm @ 600ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 0.82NC @ 4.5V | 34pf @ 25v | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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