SIC
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FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
DMN53D0LV-7 Diodes Incorporated DMN53D0LV-7 0.4400
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMN53 MOSFET (금속 (() 430MW (TA) SOT-563 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 50V 350MA (TA) 1.6ohm @ 500ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 46pf @ 25v -
BSL215PL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL215PL6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 2887 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 BSL215 MOSFET (금속 (() 500MW PG-TSOP6-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.5A 150mohm @ 1.5a, 4.5v 1.2V @ 11µA 3.55NC @ 4.5V 346pf @ 15V 논리 논리 게이트
DMT6015LPDW-13 Diodes Incorporated DMT6015LPDW-13 0.2970
RFQ
 ECAD 9287 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT6015 MOSFET (금속 (() 2.4W (TA), 7.9W (TC) PowerDI5060-8 (유형 UXD) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT6015LPDW-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 9.4A (TA), 17.1A (TC) 18mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 15.7NC @ 10V 808pf @ 30V -
SI5511DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5511DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3247 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5511 MOSFET (금속 (() 3.1W, 2.6W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 4A, 3.6A 55mohm @ 4.8a, 4.5v 2V @ 250µA 7.1NC @ 5V 435pf @ 15V 논리 논리 게이트
FDP15N50F102 Fairchild Semiconductor FDP15N50F102 -
RFQ
 ECAD 4852 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDP15N - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 106 -
SI9936DY onsemi si9936dy -
RFQ
 ECAD 8822 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9936 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 5a 50mohm @ 5a, 10V 1V @ 250µA 35NC @ 10V 525pf @ 15V -
IPG20N04S4L18AATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S4L18AATMA1 1.0900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -T2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn IPG20N MOSFET (금속 (() 26W (TC) PG-TDSON-8-10 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 40V 20A (TC) 18mohm @ 17a, 10V 2.2V @ 8µA 15NC @ 10V 1071pf @ 25v -
DMC2025UFDB-13 Diodes Incorporated DMC2025UFDB-13 0.1096
RFQ
 ECAD 8820 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMC2025 MOSFET (금속 (() 700MW (TA) u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 보완 p 채널 및 20V 6A (TA), 3.5A (TA) 25mohm @ 4a, 4.5v, 75mohm @ 2.9a, 4.5v 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA 12.3nc @ 10v, 15nc @ 8v 486pf @ 10v, 642pf @ 10v -
NX3008PBKS,115 Nexperia USA Inc. NX3008PBKS, 115 0.5000
RFQ
 ECAD 282 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NX3008 MOSFET (금속 (() 445MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 200ma 4.1ohm @ 200ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.75NC @ 4.5V 46pf @ 15V 논리 논리 게이트
NP30N06QDK-E1-AY Renesas Electronics America Inc np30n06qdk-e1-ay 2.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powerldfn NP30N06 MOSFET (금속 (() 1W (TA), 59W (TC) 8-HSON (5x5.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 30A (TC) 14mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 38NC @ 10V 2250pf @ 25V -
FDMC8298 Fairchild Semiconductor FDMC8298 1.0000
RFQ
 ECAD 4977 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 주사위 FDMC82 - - 주사위 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000 - - - - - - - -
AOTS26108 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTS26108 0.1820
RFQ
 ECAD 4627 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 AOTS261 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-aots26108tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 30V, 20V 3.8A (TA), 4.5A (TA) 50mohm @ 3.8a, 10v, 44mohm @ 4.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA, 950MV @ 250µA 16nc @ 10v, 17nc @ 4.5v 340pf @ 15V, 930pf @ 10V 기준
DMC3071LVT-7 Diodes Incorporated DMC3071LVT-7 0.1079
RFQ
 ECAD 6184 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMC3071 MOSFET (금속 (() 700MW (TA) TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 30V 4.6A (TA), 3.3A (TA) 50mohm @ 3.5a, 10v, 95mohm @ 3.8a, 10v 2.5V @ 250µA 4.5NC @ 10V, 6.5NC @ 10V 190pf @ 15v, 254pf @ 15v -
IPG20N06S2L65AAUMA1 Infineon Technologies IPG20N06S2L65AAUMA1 -
RFQ
 ECAD 6223 0.00000000 인피온 인피온 Optimos® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn IPG20N MOSFET (금속 (() 43W (TC) PG-TDSON-8-10 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 55V 20A (TC) 65mohm @ 15a, 10V 2V @ 14µA 12NC @ 10V 410pf @ 25v 논리 논리 게이트
NTLUD3191PZTBG onsemi ntlud3191pztbg -
RFQ
 ECAD 3026 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 ntlud31 MOSFET (금속 (() 500MW 6-UDFN (1.6x1.6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.1a 250mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 250µA 3.5NC @ 4.5V 160pf @ 10V 논리 논리 게이트
FDMS8095AC onsemi FDMS8095AC 2.4838
RFQ
 ECAD 2924 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMS8095 MOSFET (금속 (() 2.3W 8-mlp (5x6), 파워 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 150V 6.2A, 1A 30mohm @ 6.2a, 10V 4V @ 250µA 30NC @ 10V 2020pf @ 75v -
UPA2793GR(0)-E1-AZ Renesas UPA2793GR (0) -E1 -AZ 1.7100
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) UPA2793 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-UPA2793GR (0) -E1-AZ 귀 99 8541.29.0095 1 n 및 p 채널 40V 7A (TA) 15mohm @ 3.5a, 10v, 26mohm @ 3.5a, 10v 2.5V @ 1mA 40nc @ 10v, 45nc @ 10v 2200pf @ 10V -
STL15DN4F5 STMicroelectronics STL15DN4F5 2.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ v 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL15 MOSFET (금속 (() 60W Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 60a 9mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 25NC @ 10V 1550pf @ 25v 논리 논리 게이트
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BOMA1 -
RFQ
 ECAD 3861 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 DF11MR12 실리콘 실리콘 (sic) 20MW Ag-EASY1BM-2 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 24 2 n 채널 (채널) 1200V (1.2kv) 50a 23mohm @ 50a, 15V 5.5V @ 20MA 125NC @ 5V 3950pf @ 800V -
SI4554DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4554DY-T1-GE3 0.7900
RFQ
 ECAD 2207 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4554 MOSFET (금속 (() 3.1W, 3.2W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 8a 24mohm @ 6.8a, 10V 2.2V @ 250µA 20NC @ 10V 690pf @ 20V 논리 논리 게이트
IPG20N06S4L26AATMA1 Infineon Technologies IPG20N06S4L26AATMA1 1.1700
RFQ
 ECAD 5277 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn IPG20N MOSFET (금속 (() 33W PG-TDSON-8-10 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 60V 20A 26mohm @ 17a, 10V 2.2V @ 10µA 20NC @ 10V 1430pf @ 25v 논리 논리 게이트
FDSS2407 onsemi FDSS2407 -
RFQ
 ECAD 4462 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDSS24 MOSFET (금속 (() 2.27W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 62V 3.3a 110mohm @ 3.3a, 10V 3V @ 250µA 4.3NC @ 5V 300pf @ 15V 논리 논리 게이트
EM6M2T2R Rohm Semiconductor EM6M2T2R 0.5300
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EM6M2 MOSFET (금속 (() 150MW EMT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 및 p 채널 20V 200ma 1ohm @ 200ma, 4v 1V @ 1mA - 25pf @ 10V 논리 논리 게이트
GA100SCPL12-227E GeneSiC Semiconductor GA100SCPL12-227E -
RFQ
 ECAD 2987 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 - - - GA100 - - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 - - - - - - - -
AON6932A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6932A 0.5439
RFQ
 ECAD 7661 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn AON693 MOSFET (금속 (() 3.6W, 4.3W 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 교량) 30V 22a, 36a 5MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 22NC @ 10V 1037pf @ 15V 논리 논리 게이트
FD6M016N03 onsemi FD6M016N03 -
RFQ
 ECAD 7343 0.00000000 온세미 Power-SPM ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 EPM15 FD6M016 MOSFET (금속 (() - EPM15 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 19 2 n 채널 (채널) 30V 80a 1.6mohm @ 40a, 10V 3V @ 250µA 295NC @ 10V 11535pf @ 15V -
FQP3N50CTF Fairchild Semiconductor fqp3n50ctf 0.3700
RFQ
 ECAD 1431 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FQP3N - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 724 -
APTC60AM242G Microsemi Corporation APTC60AM242G -
RFQ
 ECAD 9968 0.00000000 Microsemi Corporation Coolmos ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 APTC60 MOSFET (금속 (() 462W - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 600V 95A 24mohm @ 47.5a, 10V 3.9V @ 5MA 300NC @ 10V 14400pf @ 25v -
MSCSM170DUM058AG Microchip Technology MSCSM170DUM058AG 573.5200
RFQ
 ECAD 9786 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM170 실리콘 실리콘 (sic) 1642W (TC) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM170DUM058AG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 1700V (1.7kv) 353A (TC) 7.5mohm @ 180a, 20V 3.3v @ 15ma 1068NC @ 20V 19800pf @ 1000V -
SSM6N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FUTE85LF 0.5000
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N16 MOSFET (금속 (() 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 100ma 3ohm @ 10ma, 4v 1.1V @ 100µa - 9.3pf @ 3v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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