SIC
close

FET, MOSFET et (6056)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능
SP8K3TB Rohm Semiconductor SP8K3TB -
RFQ
 ECAD 4980 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8K3 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 7a 24mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 11.8NC @ 5V 600pf @ 10V 논리 논리 게이트
FMP26-02P IXYS FMP26-02p -
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 ixys Polar ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 i4 -pac ™ -5 FMP26 MOSFET (금속 (() 125W Isoplus i4-Pac ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 FMP2602P 귀 99 8541.29.0095 25 n 및 p 채널 200V 26a, 17a 60mohm @ 25a, 10V 5V @ 250µA 70NC @ 10V 2720pf @ 25V -
QH8MA4TCR Rohm Semiconductor QH8MA4TCR 0.9000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 QH8MA4 MOSFET (금속 (() 1.5W TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 9a, 8a 16mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 15.5NC @ 10V 640pf @ 15V -
LN60A01ES-C313-LF-Z Monolithic Power Systems Inc. LN60A01ES-C313-LF-Z -
RFQ
 ECAD 5782 0.00000000 Monolithic Power Systems Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LN60A - 8-SOIC - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 1589-LN60A01ES-C313-LF-ZTR 쓸모없는 2,500 -
ALD212904SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212904SAL 5.6228
RFQ
 ECAD 1634 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Zero Threshold ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD212904 MOSFET (금속 (() 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 2 n 채널 (채널) 일치 한 쌍 쌍 10.6v 80ma - 20MV @ 10µA - - 논리 논리 게이트
FDPC4044 onsemi FDPC4044 -
RFQ
 ECAD 5278 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDPC4 MOSFET (금속 (() 1W 파워 파워 -33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 - - 4.3mohm @ 27a, 10V 3V @ 250µA 49NC @ 10V 3215pf @ 15V 논리 논리 게이트
ZXMN10A08DN8TC Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TC -
RFQ
 ECAD 7217 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMN10 MOSFET (금속 (() 1.25W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 100V 1.6a 250mohm @ 3.2a, 10V 2V @ 250µA (Min) 7.7NC @ 10V 405pf @ 50V 논리 논리 게이트
IRF8910TRPBF Infineon Technologies IRF8910TRPBF 0.9400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF89 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 10A 13.4mohm @ 10a, 10V 2.55V @ 250µA 11nc @ 4.5v 960pf @ 10V 논리 논리 게이트
DMP2900UDW-13 Diodes Incorporated DMP2900UDW-13 0.0510
RFQ
 ECAD 2287 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMP2900 MOSFET (금속 (() 370MW (TA) SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP2900UDW-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 p 채널 (채널) 20V 630MA (TA) 750mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 49pf @ 16v -
FW811-TL-E onsemi FW811-TL-E -
RFQ
 ECAD 5872 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) FW811 MOSFET (금속 (() 2.2W 8-SOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 2 n 채널 (채널) 35V 8a 24mohm @ 8a, 10V 2.6v @ 1ma 13NC @ 10V 660pf @ 20V 논리 논리 게이트
NTMFD4C20NT1G onsemi ntmfd4c20nt1g 2.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NTMFD4 MOSFET (금속 (() 1.09W, 1.15W 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8fl-dual-Asymmetrical) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 30V 9.1a, 13.7a 7.3mohm @ 10a, 10V 2.1V @ 250µA 9.3NC @ 4.5V 970pf @ 15V -
BSZ0907NDXTMA2 Infineon Technologies BSZ0907NDXTMA2 -
RFQ
 ECAD 4456 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn BSZ0907 MOSFET (금속 (() 700MW (TA), 860MW (TA) PG-Wison-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-BSZ0907NDXTMA2TR 귀 99 8541.21.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 30V 6.7A (TA), 8.5A (TA) 9.5mohm @ 9a, 10v, 7.2mohm @ 9a, 10v 2V @ 250µA 6.4nc @ 4.5v, 7.9nc @ 4.5v 730pf @ 15V, 900pf @ 15V 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브
ZXMD63C03XTC Diodes Incorporated ZXMD63C03XTC -
RFQ
 ECAD 3633 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) ZXMD63 MOSFET (금속 (() 1.04W 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 및 p 채널 30V - 135mohm @ 1.7a, 10V 1V @ 250µA (Min) 8NC @ 10V 290pf @ 25V 논리 논리 게이트
QS6J3TR Rohm Semiconductor qs6j3tr 0.2436
RFQ
 ECAD 2116 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 QS6J3 MOSFET (금속 (() 1.25W TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.5A 215mohm @ 1.5a, 4.5v 2V @ 1mA 3NC @ 4.5V 270pf @ 10V 논리 논리 게이트
MCS2010-TP Micro Commercial Co MCS2010-TP -
RFQ
 ECAD 9986 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MCS2010 MOSFET (금속 (() - 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 353-MCS2010-TPTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 20V 10A 9.5mohm @ 10a, 4.5v 1V @ 250µA 15NC @ 4.5V 1510pf @ 10V -
NXH010P120MNF1PG onsemi NXH010P120MNF1PG -
RFQ
 ECAD 5883 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 NXH010 실리콘 실리콘 (sic) 250W (TJ) - 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NXH010P120MNF1PG 귀 99 8541.29.0095 28 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 1200V (1.2kv) 114A (TC) 14mohm @ 100a, 20V 4.3V @ 40MA 454NC @ 20V 4707pf @ 800V -
FDMS7700S onsemi FDMS7700S 1.9132
RFQ
 ECAD 8984 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMS7700 MOSFET (금속 (() 1W 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 12a, 22a 7.5mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 28NC @ 10V 1750pf @ 15V 논리 논리 게이트
AOD604 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD604 -
RFQ
 ECAD 3507 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-6, DPAK (5 리드 + 탭) AOD60 MOSFET (금속 (() 1.6W, 1.7W TO-252-5 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 40V 8a 33mohm @ 8a, 10V 3V @ 250µA 9.2NC @ 10V 404pf @ 20V 논리 논리 게이트
FMP36-015P IXYS FMP36-015P -
RFQ
 ECAD 1142 0.00000000 ixys Polar ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 i4 -pac ™ -5 FMP36 MOSFET (금속 (() 125W Isoplus i4-Pac ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 및 p 채널 150V 36a, 22a 40mohm @ 31a, 10V 5.5V @ 250µA 70NC @ 10V 2250pf @ 25V -
2N7002DW-TP Micro Commercial Co 2N7002DW-TP 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 MOSFET (금속 (() 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 115ma 7.5ohm @ 50ma, 5V 2V @ 250µA - 50pf @ 25V -
IRF7901D1TRPBF Infineon Technologies IRF7901D1TRPBF -
RFQ
 ECAD 4841 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7901 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 6.2A 38mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 10.5nc @ 5v 780pf @ 16V 논리 논리 게이트
MSCSM120DUM31TBL1NG Microchip Technology MSCSM120DUM31TBL1NG 140.4500
RFQ
 ECAD 9941 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM120 실리콘 실리콘 (sic) 310W - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM120DUM31TBL1NG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 1200V (1.2kv) 79a 31mohm @ 40a, 20V 2.8V @ 3MA 232NC @ 20V 3020pf @ 1000V -
APTM100H45STG Microchip Technology APTM100H45STG 189.8514
RFQ
 ECAD 2999 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTM100 MOSFET (금속 (() 357W SP4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 4 n 채널 (채널 교량) 1000V (1KV) 18a 540mohm @ 9a, 10V 5V @ 2.5MA 154NC @ 10V 4350pf @ 25V -
APTM50AM38STG Microchip Technology APTM50AM38STG 175.7900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTM50 MOSFET (금속 (() 694W SP4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 500V 90A 45mohm @ 45a, 10V 5V @ 5MA 246NC @ 10V 11200pf @ 25V -
DMC6070LND-7 Diodes Incorporated DMC6070LND-7 0.3045
RFQ
 ECAD 3740 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMC6070 MOSFET (금속 (() 1.4W PowerDI3333-8 (유형 UXB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 및 p 채널 60V 3.1a, 2.4a 85mohm @ 1.5a, 10V 3V @ 250µA 11.5NC @ 10V 731pf @ 20V -
FDS8947A onsemi FDS8947A -
RFQ
 ECAD 8777 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS89 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 4a 52mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 27NC @ 10V 730pf @ 15V 논리 논리 게이트
DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated DMN6040SSD-13 0.5800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMN6040 MOSFET (금속 (() 1.3W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 5a 4.5A, 10V 40mohm 3V @ 250µA 22.4NC @ 10V 1287pf @ 25v 논리 논리 게이트
DMN1001UCA10-7 Diodes Incorporated DMN1001UCA10-7 0.3222
RFQ
 ECAD 4340 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-smd,, 없음 DMN1001 MOSFET (금속 (() 1W X2-TSN1820-10 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN1001UCA10-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 12V 20A (TA) 3.55mohm @ 5a, 4.5v 1.4V @ 870µA 29NC @ 4V 2865pf @ 6v -
SI1035X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1035X-T1-GE3 0.4600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1035 MOSFET (금속 (() 250MW SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 180ma, 145ma 5ohm @ 200ma, 4.5v 400MV @ 250µA (최소) 0.75NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
FDS8984 onsemi FDS8984 0.7400
RFQ
 ECAD 2248 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS89 MOSFET (금속 (() 1.6W 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 7a 23mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 250µA 13NC @ 10V 635pf @ 15V 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다