전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 프로그래밍 프로그래밍 유형 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 사용 사용 주파수 가능한 | 주파수 주파수 (안정성) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | dsc6003je1a 프로그램 가능 | - | ![]() | 6823 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 대부분 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 1.3MA (유형) | MEMS | - | - | 1MHz ~ 80MHz | ± 50ppm | ||||
![]() | TCXO-250.1MHZ-500MHz | 617.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 일반 일반 장치 | - | 가방 | 활동적인 | - | rohs 준수 | 4556-TCXO-250.1MHZ-500MHz | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 502kcc-acag | - | ![]() | 5819 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI502 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 502KCC | LVCMOS | 2.5V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | ||||
![]() | 502JCB-ACAF | - | ![]() | 6491 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI502 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 502JCB | LVCMOS | 3.3v | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | ||||
![]() | SG-9101CB-C07SHACB | 8.2800 | ![]() | 4793 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 0.75%, 센터 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | |||
![]() | SG-9101CA-C15PGABB | 5.1000 | ![]() | 2143 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 1.50%, 50 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | |||
![]() | dsc6101ji1a-000.0000t | - | ![]() | 2385 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | 3MA (유형) | MEMS | - | - | 1MHz ~ 100MHz | ± 50ppm | ||||
dsc8104di5 프로그래밍 가능 | 11.7400 | ![]() | 1342 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC8104 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | HCSL | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 576-4711 프로그래밍 가능 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 42MA | MEMS | - | - | 95 µA | 10MHz ~ 460 MHz | ± 10ppm | |||
DSC8001BL5 프로그래밍 가능 | - | ![]() | 7356 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC8001 | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 576-4660 프로그램 가능 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 12.2MA | MEMS | - | - | 15 µA | 1MHz ~ 150MHz | ± 10ppm | |||
![]() | 501BAC-ACAF | - | ![]() | 8396 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501bac | LVCMOS | 3.3v | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 50ppm | ||||
![]() | SG-9101CA-C07SHBBA | 5.1000 | ![]() | 9435 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 0.75%, 센터 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | |||
![]() | SG-9101CB-C10SGDBC | 8.2800 | ![]() | 7907 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 1.00%, 00 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | |||
![]() | SG-9101CB-D05PGDAA | 8.2800 | ![]() | 9462 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -0.50%, 50 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | |||
![]() | 501mcd-adag | - | ![]() | 3766 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501MCD | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | ||||
![]() | SG-9101CE-C10SHDCA | 7.7100 | ![]() | 7477 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 1.00%, 00 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | |||
![]() | SG-9101CA-D10SHDAC | 5.1000 | ![]() | 2523 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -1.00%, 00 확산 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | |||
![]() | 501CAJ-ACAG | - | ![]() | 2262 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501caj | LVCMOS | 2.5V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 50ppm | ||||
![]() | 510Jaa-cbag | 19.5600 | ![]() | 4574 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI510 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.050 "(1.28mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 510jaa | LVD | 1.8V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 23MA | 결정 | ± 50ppm | - | 18 MA | 170 MHz ~ 250 MHz | ± 100ppm | ||||
![]() | SG-9101CE-C05SHDBA | 6.2200 | ![]() | 1413 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 0.50%, 50 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | |||
![]() | 511baa-bbag | 19.5600 | ![]() | 6098 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI511 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.050 "(1.28mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 511baa | LVD | 3.3v | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 23MA | 결정 | ± 50ppm | - | 18 MA | 125 MHz ~ 169.999 MHz | ± 100ppm | ||||
![]() | SG-8003CA-SDL | - | ![]() | 6687 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8003 | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 15MA | 결정 | ± 50ppm | - | 50 µA | 1MHz ~ 166MHz | - | ||||
![]() | DSC1100CL5-Progt | 3.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | - | DSC1100 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | - | - | - | - | - | ||||
![]() | SG-9101CG-D40PHBCB | 5.1000 | ![]() | 3155 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -4.00%,, 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | |||
![]() | SG-9101CE-C07PGBAB | 7.7100 | ![]() | 2975 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 0.75%, 센터 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | |||
![]() | 504EAA-ABAF | - | ![]() | 2539 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI504 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 504EAA | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 80MHz | ± 50ppm | ||||
![]() | SG-9101CB-D05PGDBC | 8.2800 | ![]() | 4739 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -0.50%, 50 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | |||
![]() | 504PBA-BDAF | - | ![]() | 8252 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI504 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 504pba | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 30ppm | ||||
![]() | ASSFLP1-C12 | 4.9300 | ![]() | 1584 | 0.00000000 | Abracon LLC | Assflp | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | Assflp | CMOS | 2.5V | 다운로드 | rohs 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 30ma | 결정 | - | ± 1.50%, 50 스프레드 | 8 MHz ~ 160MHz | ± 50ppm | |||
![]() | 502ABD-ADAG | - | ![]() | 6917 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI502 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 502ABD | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 30ppm | ||||
![]() | 503maa-abag | - | ![]() | 3929 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI503 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 503MAA | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 50ppm |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고