전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 프로그래밍 프로그래밍 유형 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 사용 사용 주파수 가능한 | 주파수 주파수 (안정성) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 502CAA-ADAF | - | ![]() | 8897 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI502 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 502CAA | LVCMOS | 2.5V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 50ppm | |||
![]() | dsc6003me1a 프로그램 가능 | - | ![]() | 4396 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 대부분 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 1.3MA (유형) | MEMS | - | - | 1MHz ~ 80MHz | ± 50ppm | |||
![]() | 501EAC-ABAF | - | ![]() | 9182 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501EAC | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 50ppm | |||
![]() | 501mcj-acag | - | ![]() | 2763 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501mcj | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | 501jaa-adag | - | ![]() | 6930 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501Jaa | LVCMOS | 3.3v | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 50ppm | |||
![]() | SG-9101CB-C15PGABA | 8.2800 | ![]() | 5891 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 1.50%, 50 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | ||
![]() | SG-9101CG-C10PHACC | 5.1000 | ![]() | 6157 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 1.00%, 00 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | ||
![]() | 502FCD-ABAF | - | ![]() | 8451 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI502 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 502FCD | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | SG-9101CE-D05PGDAA | 7.7100 | ![]() | 1899 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -0.50%, 50 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | ||
![]() | SG-9101CB-C02SHCAA | 8.2800 | ![]() | 3389 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | ||
![]() | 501PBH-ACAF | - | ![]() | 5183 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501pbh | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 30ppm | |||
![]() | 510SBB-AAAG | 21.8700 | ![]() | 3528 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI510 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 510SBB | CMOS, 듀얼 (보완) | 1.8V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 26MA | 결정 | ± 25ppm | - | 18 MA | 100 kHz ~ 124.999 MHz | ± 50ppm | |||
![]() | SG-9101CB-C02PGBBC | 8.2800 | ![]() | 2997 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | ||
![]() | SG-9101CG-C07SGBCB | 5.1000 | ![]() | 7015 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 0.75%, 센터 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | ||
![]() | SG-9101CA-C07PHCA | 5.1000 | ![]() | 3049 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 0.75%, 센터 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | ||
![]() | SG-9101CG-C05PGAAC | 5.1000 | ![]() | 9780 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 0.50%, 50 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | ||
![]() | SG-9101CA-D15SHBBB | 5.1000 | ![]() | 9049 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -1.50%, 50 확산 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | ||
![]() | 501ebl-adaf | - | ![]() | 2669 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501ebl | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 30ppm | |||
![]() | SG-9101CG-C10SGAAC | 5.1000 | ![]() | 5776 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 1.00%, 00 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | ||
![]() | SG-9101CE-D10SGBBC | 7.7100 | ![]() | 3372 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -1.00%, 00 확산 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | ||
![]() | 501ACH-ABAF | - | ![]() | 4567 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501ACH | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | 590ja-adg | 25.2800 | ![]() | 1921 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI590 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 590JA | CMOS | 1.8V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 90ma | 결정 | ± 50ppm | - | 75 MA | 10 MHz ~ 124.999 MHz | ± 100ppm | |||
![]() | 502AAA-ADAG | - | ![]() | 7331 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI502 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 502AAA | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 50ppm | |||
![]() | 501LBD-ADAG | - | ![]() | 4536 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501lbd | LVCMOS | 1.8V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 30ppm | |||
![]() | 510qca-cbag | 19.5600 | ![]() | 3139 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI510 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.050 "(1.28mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 510QCA | CMOS, 듀얼 (보완) | 2.5V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 26MA | 결정 | ± 20ppm | - | 18 MA | 170 MHz ~ 212.5 MHz | ± 30ppm | |||
![]() | 504DBA 조작 | - | ![]() | 5507 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI504 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 504DBA | LVCMOS | 1.8V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 80MHz | ± 30ppm | |||
![]() | 502GBA-ADAF | - | ![]() | 9045 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI502 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 502GBA | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 30ppm | |||
![]() | 501CCF-ABAF | - | ![]() | 8074 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501ccf | LVCMOS | 2.5V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | 502mbe 조작 | - | ![]() | 1885 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI502 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 502mbe | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 30ppm | |||
![]() | 504LBA-ABAF | - | ![]() | 1067 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI504 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 504LBA | LVCMOS | 1.8V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 80MHz | ± 30ppm |
일일 평균 RFQ 볼륨
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