전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 프로그래밍 프로그래밍 유형 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 사용 사용 주파수 가능한 | 주파수 주파수 (안정성) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 502pce-adag | - | ![]() | 2825 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI502 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 502pce | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | SG-8018CA-TJHSC | 1.0500 | ![]() | 2545 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 3.5MA | 결정 | ± 50ppm | - | 3.5 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | ||
![]() | SG-9101CG-C20SGCCB | 5.1000 | ![]() | 4275 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 2.00%, 00 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | ||
![]() | SG-9101CA-C02PHDAC | 5.1000 | ![]() | 6442 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | ||
![]() | SG-9101CB-D05PGCCA | 8.2800 | ![]() | 3812 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -0.50%, 50 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | ||
![]() | dsc6102ci2a 프로그래밍 가능 | - | ![]() | 9722 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 3MA (유형) | MEMS | - | - | 1MHz ~ 100MHz | ± 25ppm | |||
![]() | SG-9101CE-C15PGBAB | 6.2200 | ![]() | 1808 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 1.50%, 50 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | ||
![]() | SG-9101CE-C02PGABA | 6.2200 | ![]() | 8455 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | ||
![]() | dsc6102he1a 프로그램 가능 | - | ![]() | 8824 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 대부분 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 3MA (유형) | MEMS | - | - | 1MHz ~ 100MHz | ± 50ppm | |||
![]() | SG-9101CB-D15SHDAC | 8.2800 | ![]() | 2780 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -1.50%, 50 확산 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | ||
![]() | SG-9101CG-D15SGCAC | 5.1000 | ![]() | 6364 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -1.50%, 50 확산 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | ||
![]() | 502GCE-ABAF | - | ![]() | 1664 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI502 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 502GCE | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | DSC8124CI2 | 4.5200 | ![]() | 674 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC8124 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC8124 | HCSL | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | 42MA | MEMS | ± 25ppm | - | 22 MA | 10MHz ~ 460 MHz | - | |
![]() | 501EBG-ABAG | - | ![]() | 5649 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501ebg | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 30ppm | |||
![]() | 501HCJ-ABAG | - | ![]() | 2928 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501hcj | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | 504NAA-ACAF | - | ![]() | 8492 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI504 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 504NAA | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 80MHz | ± 50ppm | |||
![]() | SG-9101CE-C05SGAAC | 7.7100 | ![]() | 7937 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | ± 0.50%, 50 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 20MHz | - | ||
![]() | 501HCH-ABAG | - | ![]() | 8912 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501hch | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | 502GCC-ACAG | - | ![]() | 6681 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI502 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 502GCC | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | 501EBC-ACAF | - | ![]() | 4528 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501EBC | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 30ppm | |||
![]() | 501MAB-ABAF | - | ![]() | 8828 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501MAB | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 50ppm | |||
![]() | 501HCM-ABAF | - | ![]() | 9958 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.157 "LX 0.126"W (4.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501HCM | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | SG-9101CA-D20SHCBB | 5.1000 | ![]() | 9902 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-9101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | - | 결정 | - | -2.00%,, 스프레드 | 3.7 MA | 670 kHz ~ 170 MHz | - | ||
![]() | 501NCF-ACAG | - | ![]() | 5655 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501NCF | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | 503NCB-ACAG | - | ![]() | 3668 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI503 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 503NCB | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 8.9ma | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | 504GCA-BDAF | - | ![]() | 2567 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI504 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 504GCA | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | 501EC 자산 | - | ![]() | 8725 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501ech | LVCMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | 502CCA-ADAF | - | ![]() | 2014 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI502 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 502CCA | LVCMOS | 2.5V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | 501DCB-ACAF | - | ![]() | 5355 | 0.00000000 | 실리콘 실리콘 | CMEMS® SI501 | 쟁반 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | CMEMS® | 501DCB | LVCMOS | 1.8V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 6.5MA | MEMS | - | - | 1 µA | 32 kHz ~ 100MHz | ± 20ppm | |||
![]() | 510GAB-BAAG | 14.0000 | ![]() | 4856 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI510 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 510GAB | CMOS | 2.5V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 26MA | 결정 | ± 50ppm | - | 18 MA | 125 MHz ~ 169.999 MHz | ± 100ppm |
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