SIC
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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SIT3372AI-4B3-33NC35.328000 SiTime SIT3372AI-4B3-33NC35.328000 8.5400
RFQ
 ECAD 7133 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 35.328 MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 50ppm ± 25ppm - -
SG-8018CA 5.9904M-TJHPA0 EPSON SG-8018CA 5.9904M-TJHPA0 0.7121
RFQ
 ECAD 4642 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 5.9904 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CA5.9904M-TJHPA0CT 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3.5MA 결정 ± 50ppm - - 3.5MA
SIT8208AI-GF-33E-4.000000X SiTime SIT8208AI-GF-33E-4.000000X 4.6880
RFQ
 ECAD 1352 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT3372AI-2E3-30NE10.000000 SiTime SIT3372AI-2E3-30NE10.000000 10.2000
RFQ
 ECAD 8358 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 10MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 50ppm ± 45ppm - -
SIT3372AI-4B9-33NU74.175820 SiTime SIT3372AI-4B9-33NU74.175820 11.2100
RFQ
 ECAD 7371 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 74.17582 MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 35ppm ± 3160ppm - -
SIT9365AC-2E2-28N100.000000 SiTime SIT9365AC-2E2-28N100.000000 13.0100
RFQ
 ECAD 5321 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 100MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm - -
SIT3372AI-2E2-25NB80.000000 SiTime SIT3372AI-2E2-25NB80.000000 13.1600
RFQ
 ECAD 1673 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 80MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 25ppm ± 20ppm - -
SIT3372AI-2B9-25NZ148.425787 SiTime SIT3372AI-2B9-25NZ148.425787 9.2900
RFQ
 ECAD 9582 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 148.425787 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 35ppm ± 1560ppm - -
SIT8208AI-8F-25E-74.175824T SiTime SIT8208AI-8F-25E-74.175824T 4.1097
RFQ
 ECAD 8118 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 74.175824 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
571BAB000544DG Skyworks Solutions Inc. 571BAB000544DG 73.8546
RFQ
 ECAD 2664 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI571 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 VCXO 571BAB 156.25 MHz LVD 2.97V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 108ma 결정 ± 100ppm ± 100ppm -
SIT1602BI-31-33S-37.500000 SiTime SIT1602BI-31-33S-37.500000 1.6000
RFQ
 ECAD 4694 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 37.5 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 20ppm - -
25QHTF21-20.300-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21-20.300-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20.3 MHz LVCMOS 2.5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF21-20.300-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
AX5MBF2-600.0000C Abracon LLC AX5MBF2-600.0000C -
RFQ
 ECAD 8564 0.00000000 Abracon LLC ClearClock ™ AX5 조각 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 600MHz CML 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 활성화/비활성화 85MA 결정 ± 20ppm - 85MA
SIT3372AI-1E9-30NX30.720000 SiTime SIT3372AI-1E9-30NX30.720000 11.2200
RFQ
 ECAD 4555 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 30.72 MHz lvpecl 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 35ppm ± 360ppm - -
SIT9120AI-2B3-25E74.250000 SiTime SIT9120AI-2B3-25E74.250000 4.5300
RFQ
 ECAD 8536 0.00000000 시민 SIT9120 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 74.25 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA MEMS ± 50ppm - -
MVI025HDZH-50.850992MHZ Abracon LLC MVI025HDZH-50.850992MHz -
RFQ
 ECAD 4451 0.00000000 Abracon LLC - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 535-MVI025HDZH-50.850992MHz 쓸모없는 1
TG-5035CJ-18S 26.0000MHZ EPSON TG-5035CJ-18S 26.0000MHz -
RFQ
 ECAD 4155 0.00000000 엡슨 TG-5035CJ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 26 MHz 사인파를 사인파를 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 2MA 결정 ± 500ppb - - -
18QHTF21-24.500-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21-24.500-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.5 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF21-24.500-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
SIT8009AI-12-25E-125.000000 SiTime SIT8009AI-12-25E-125.000000 1.4100
RFQ
 ECAD 8143 0.00000000 시민 SIT8009 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 6.4ma MEMS ± 25ppm - -
SG-8101CA 19.6875M-TBGSA0 EPSON SG-8101CA 19.6875M-TBGSA0 1.6842
RFQ
 ECAD 1304 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 19.6875 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA19.6875M-TBGSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 1.1µA
656L15625I3T CTS-Frequency Controls 656L15625I3T 2.9793
RFQ
 ECAD 7876 0.00000000 cts- 제어 주파수 656L 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.073 "(1.85mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA (유형) 결정 ± 25ppm - 20µA
SIT1602BC-72-30N-50.000000 SiTime SIT1602BC-72-30N-50.000000 1.3800
RFQ
 ECAD 1633 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz HCMOS, LVCMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
AX7MBF4-1350.0000 Abracon LLC AX7MBF4-1350.0000 -
RFQ
 ECAD 8461 0.00000000 Abracon LLC ClearClock ™ AX7 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 1.35GHz CML 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 68ma 결정 ± 25ppm - 67ma
SIT8208AC-83-18E-33.300000 SiTime SIT8208AC-83-18E-33.300000 2.6000
RFQ
 ECAD 3073 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.3 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 50ppm - -
SIT8208AC-31-33S-33.330000 SiTime SIT8208AC-31-33S-33.330000 3.2400
RFQ
 ECAD 3692 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.33 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 20ppm - -
CA32C0803HLT CTS-Frequency Controls CA32C0803HLT 1.2952
RFQ
 ECAD 8945 0.00000000 cts- 제어 주파수 CA32 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8 MHz HCMOS, TTL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 40ma 결정 ± 50ppm - - 10µA
ASGTX-C-50.000MHZ-2 Abracon LLC ASGTX-C-50.000MHz-2 -
RFQ
 ECAD 1284 0.00000000 Abracon LLC ASGTX 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.354 "L x 0.276"W (9.00mm x 7.00mm) 0.088 "(2.24mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 vctcxo 50MHz LVCMOS 3.135V ~ 3.465V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - 45MA 결정 ± 2ppm - -
SIT3372AI-4B2-33NH25.000000 SiTime SIT3372AI-4B2-33NH25.000000 11.0000
RFQ
 ECAD 7212 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 25MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 25ppm ± 170ppm - -
SG-8101CB 23.4375M-TBGPA0 EPSON SG-8101CB 23.4375M-TBGPA0 1.8746
RFQ
 ECAD 5160 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 23.4375 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CB23.4375M-TBGPA0TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
VC-801-EAE-KABN-66M6667000 Microchip Technology VC-801-EAE-KABN-66M6667000 -
RFQ
 ECAD 8548 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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