SIC
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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
AMPMEDD-50.0000T Abracon LLC AMPMEDD-50.0000T -
RFQ
 ECAD 7720 0.00000000 Abracon LLC AMPM 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 50MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - 160µA
SIT8208AI-G1-28S-66.000000T SiTime SIT8208AI-G1-28S-66.000000T 1.8792
RFQ
 ECAD 1803 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 66MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 20ppm - - 70µA
SIT3372AI-4E3-33NG148.425750 SiTime SIT3372AI-4E3-33NG148.425750 10.2000
RFQ
 ECAD 3436 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 148.42575 MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 50ppm ± 95ppm -
AMPMAEA-33.3300 Abracon LLC AMPMAEA-33.3300 -
RFQ
 ECAD 2640 0.00000000 Abracon LLC AMPM 대부분 sic에서 중단되었습니다 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.33 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - -
358C148BB3I3T CTS-Frequency Controls 358C148BB3I3T 2.5183
RFQ
 ECAD 3121 0.00000000 cts- 제어 주파수 358C 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 148.351648 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 65MA 결정 ± 50ppm ± 50ppm - 22MA
SG-8101CG 68.1818M-TBGSA0 EPSON SG-8101CG 68.1818M-TBGSA0 2.0796
RFQ
 ECAD 3855 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 68.1818 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CG68.1818M-TBGSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 1.1µA
25QHTF32-13.490-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32-13.490-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13.49 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF32-13.490-OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
3QHTF22-61.875-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-61.875-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 61.875 MHz LVCMOS 3.3v - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-61.875-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 24MA 결정 ± 50ppm - -
SG-8018CE 26.451250M-TJHSA0 EPSON SG-8018CE 26.451250M-TJHSA0 0.5909
RFQ
 ECAD 1895 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 26.45125 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CE26.451250M-TJHSA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 1.1µA
AX7MBF1-400.0000T Abracon LLC AX7MBF1-400.0000T -
RFQ
 ECAD 1160 0.00000000 Abracon LLC ClearClock ™ AX7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 400MHz CML 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 68ma 결정 ± 25ppm - 67ma
SG-8018CG 112.4400M-TJHSA0 EPSON SG-8018CG 112.4400M-TJHSA0 0.5606
RFQ
 ECAD 8714 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 112.44 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CG112.4400M-TJHSA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 1.1µA
SG-8101CA 61.8750M-TBGSA0 EPSON SG-8101CA 61.8750M-TBGSA0 1.6842
RFQ
 ECAD 6117 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 61.875 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA61.8750M-TBGSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 1.1µA
511FAA156M250BAG Skyworks Solutions Inc. 511FAA156M250 백 5.5517
RFQ
 ECAD 6091 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI511 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.050 "(1.28mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 511faa 156.25 MHz LVD 2.5V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 200 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - - 18MA
511BCA33M3330BAGR Skyworks Solutions Inc. 511BCA33M3330BAGR 4.5824
RFQ
 ECAD 9680 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI511 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.052 "(1.33mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 33.333 MHz LVD 3.3v 다운로드 1 (무제한) 863-511BCA33M3330BAGRTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 20ppm - - 18MA
SIT8208AI-3F-25E-6.000000T SiTime SIT8208AI-3F-25E-6.000000T 4.1097
RFQ
 ECAD 6490 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 6MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
VCC1-B3D-14M3181800 Microchip Technology VCC1-B3D-14M3181800 -
RFQ
 ECAD 2187 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
18QHTF53-36.000-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF53-36.000-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 36 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF53-36.000-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
SIT9365AI-4E3-33N50.000000 SiTime SIT9365AI-4E3-33N50.000000 10.2000
RFQ
 ECAD 1095 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 50MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm - -
SIT5356AECFN-30N0-48.000000 SiTime SIT5356AECFN-30N0-48.000000 94.4500
RFQ
 ECAD 1087 0.00000000 시민 SIT5356, 5 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO 48MHz 사인파를 사인파를 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 250ppb - -
SIT5156AE-FA-33E0-48.000000 SiTime SIT5156AE-FA-33E0-48.000000 53.1800
RFQ
 ECAD 7407 0.00000000 시민 SIT5156, 5 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.042 "(1.06mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO SIT5156 48MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 53MA MEMS ± 1ppm - - 51MA
18QHTF57-15.7286-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57-15.7286-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 15.7286 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF57-15.7286-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
25QHTF21-166.556-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21-166.556-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 166.556 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF21-166.556-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 29ma 결정 ± 50ppm - -
SIT8208AC-G2-18S-33.333000Y SiTime SIT8208AC-G2-18S-33.333000Y 1.5196
RFQ
 ECAD 4232 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 33.333 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 25ppm - - 10µA
SIT3372AI-4B3-33NC35.328000 SiTime SIT3372AI-4B3-33NC35.328000 8.5400
RFQ
 ECAD 7133 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 35.328 MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 50ppm ± 25ppm - -
SG-8018CA 5.9904M-TJHPA0 EPSON SG-8018CA 5.9904M-TJHPA0 0.7121
RFQ
 ECAD 4642 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 5.9904 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CA5.9904M-TJHPA0CT 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3.5MA 결정 ± 50ppm - - 3.5MA
SIT8208AI-GF-33E-4.000000X SiTime SIT8208AI-GF-33E-4.000000X 4.6880
RFQ
 ECAD 1352 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT3372AI-2E3-30NE10.000000 SiTime SIT3372AI-2E3-30NE10.000000 10.2000
RFQ
 ECAD 8358 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 10MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 50ppm ± 45ppm - -
SIT3372AI-4B9-33NU74.175820 SiTime SIT3372AI-4B9-33NU74.175820 11.2100
RFQ
 ECAD 7371 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 74.17582 MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 35ppm ± 3160ppm - -
SIT9365AC-2E2-28N100.000000 SiTime SIT9365AC-2E2-28N100.000000 13.0100
RFQ
 ECAD 5321 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 100MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm - -
SIT3372AI-2E2-25NB80.000000 SiTime SIT3372AI-2E2-25NB80.000000 13.1600
RFQ
 ECAD 1673 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 80MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 25ppm ± 20ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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