SIC
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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
QMQF576D25-2.0A-12.688375 Mercury United Electronics, Inc. QMQF576D25-2.0A-12.688375 36.7500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.102 "(2.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 12.688375 MHz LVD 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-QMQF576D25-2.0A-12.688375 귀 99 8541.60.0050 3 - 23MA (유형) 결정 ± 2ppm - -
SIT8208AC-83-33S-12.800000 SiTime SIT8208AC-83-33S-12.800000 2.6000
RFQ
 ECAD 4688 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.8 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 50ppm - -
653P14855I2T CTS-Frequency Controls 653p14855i2t 3.3757
RFQ
 ECAD 2833 0.00000000 cts- 제어 주파수 653 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 148.5 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 88ma 결정 ± 25ppm - -
AX5MCF1-933.1200T Abracon LLC AX5MCF1-933.1200T -
RFQ
 ECAD 6595 0.00000000 Abracon LLC ClearClock ™ AX5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 933.12 MHz CML 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 85MA 결정 ± 20ppm - 85MA
SIT9120AI-1B1-33S75.000000 SiTime SIT9120AI-1B1-33S75.000000 5.5100
RFQ
 ECAD 4749 0.00000000 시민 SIT9120 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 75MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 69ma MEMS ± 20ppm - -
VT-820-EFE-5070-31M2500000 Microchip Technology VT-820-EFE-5070-31M2500000 -
RFQ
 ECAD 3136 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
SIT3372AI-1B3-33NG140.000000 SiTime SIT3372AI-1B3-33NG140.000000 10.1900
RFQ
 ECAD 5052 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 140MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 50ppm ± 95ppm - -
SIT1602BI-72-28S-8.192000 SiTime SIT1602BI-72-28S-8.192000 1.4100
RFQ
 ECAD 8409 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8.192 MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
SIT3809AI-D2-33EG-125.000000 SiTime SIT3809AI-D2-33EG-125.000000 6.9100
RFQ
 ECAD 3345 0.00000000 시민 SIT3809 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO SIT3809 125MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 36MA MEMS ± 25ppm - -
QTM750-125.000MBE-T QST QTM750-125.000mbe-t 1.2663
RFQ
 ECAD 1680 0.00000000 QST QTM750 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.056 "(1.42mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0060 1,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - -
AX7MCF2-910.0000 Abracon LLC AX7MCF2-910.0000 -
RFQ
 ECAD 6100 0.00000000 Abracon LLC ClearClock ™ AX7 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 910 MHz CML 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 68ma 결정 ± 25ppm - 67ma
SG-8101CB 23.9200M-TBGSA0 EPSON SG-8101CB 23.9200M-TBGSA0 1.8746
RFQ
 ECAD 4978 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 23.92 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CB23.9200M-TBGSA0TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 1.1µA
SIT8208AI-G1-33E-19.200000T SiTime SIT8208AI-G1-33E-199200000T 1.8792
RFQ
 ECAD 8139 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 19.2 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 20ppm - - 31MA
25QHTF53-53.96841-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53-53.96841-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 53.96841 MHz LVCMOS 2.5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF53-53.96841-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 24MA 결정 ± 50ppm - -
570NCA002426DG Skyworks Solutions Inc. 570NCA002426DG 90.9908
RFQ
 ECAD 8391 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI570 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 1.288 GHz LVD 3.3v - Rohs3 준수 1 (무제한) 863-570NCA002426DG 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 108ma 결정 ± 7ppm - - 75MA
3QHTF32-11.985-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32-11.985-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 11.985 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF32-11.985-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
SIT3372AI-2E2-33NG74.175820 SiTime SIT3372AI-2E2-33NG74.175820 13.1600
RFQ
 ECAD 8235 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 74.17582 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 25ppm ± 120ppm - -
SIT3372AI-2B9-28NH163.840000 SiTime SIT3372AI-2B9-28NH163.840000 11.2100
RFQ
 ECAD 7562 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 163.84 MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 35ppm ± 160ppm - -
SIT3372AC-4B9-25NY216.000000 SiTime SIT3372AC-4B9-25NY216.000000 10.9200
RFQ
 ECAD 2354 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 216 MHz HCSL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 35ppm ± 760ppm - -
SIT3372AC-1B2-33NG135.000000 SiTime SIT3372AC-1B2-33NG135.000000 13.0000
RFQ
 ECAD 2898 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 135 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 120ppm - -
SIT3372AC-1B9-30NG128.000000 SiTime SIT3372AC-1B9-30NG128.000000 10.9200
RFQ
 ECAD 9490 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 128 MHz lvpecl 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 35ppm ± 110ppm - -
SIT3372AC-1E3-28NY148.500000 SiTime SIT3372AC-1E3-28NY148.500000 9.9000
RFQ
 ECAD 6636 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 148.5 MHz lvpecl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 50ppm ± 745ppm - -
AMPMAGA-11.0590 Abracon LLC AMPMAGA-11.0590 -
RFQ
 ECAD 7004 0.00000000 Abracon LLC AMPM 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 11.059 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - -
QTT252-25.000MBN-T QST QTT252-25.000MBN-T 0.9720
RFQ
 ECAD 9265 0.00000000 QST QTT252 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 25MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0060 3,000 - 2MA 결정 ± 2ppm - - -
SIT9120AI-1C1-XXS200.000000 SiTime SIT9120AI-1C1-XXS200.000000 5.5200
RFQ
 ECAD 6204 0.00000000 시민 SIT9120 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 200MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 69ma MEMS ± 20ppm - -
SIT3373AC-4E3-30NZ223.000000 SiTime SIT3373AC-4E3-30NZ23.000000 9.9000
RFQ
 ECAD 7698 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 223 MHz HCSL 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm ± 1545ppm -
VT-822-EAE-5060-30M2090600 Microchip Technology VT-822-EAE-5060-30M2090600 -
RFQ
 ECAD 4594 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1121DI2-024.0000T Microchip Technology DSC1121DI2-024.0000T 1.0100
RFQ
 ECAD 9199 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 24 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
SIT3372AC-1B3-28NG216.000000 SiTime SIT3372AC-1B3-28NG216.000000 9.9000
RFQ
 ECAD 4807 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 216 MHz lvpecl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 50ppm ± 95ppm - -
SG-615P 10.0000MC: ROHS EPSON SG-615P 10.0000MC : ROHS -
RFQ
 ECAD 9765 0.00000000 엡슨 SG-615P 대부분 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.551 "LX 0.341"W (14.00mm x 8.65mm) 0.185 "(4.70mm) 표면 표면 4-SOJ, 5.08mm 피치 xo (표준) 10MHz CMOS, TTL 5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 45MA 결정 ± 100ppm - 30ma
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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