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발진기 (651585)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
AX7PBF1-320.0000	-	RFQ	1556	Abracon LLC	ClearClock ™ AX7	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	8-smd,, 없음	xo (표준)		320 MHz	lvpecl	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	94ma	결정	± 25ppm	-		86MA
SIT3372AC-2B2-33NU184.320000	13.0000	RFQ	2196	시민	Sit3372, 7 플랫폼 ™	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO		184.32 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	-	84ma	MEMS	± 25ppm	± 3170ppm	-	-
3QHTF22-56.400-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		56.4 MHz	LVCMOS	3.3v	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF22-56.400-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	24MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF32-107.37182-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		107.37182 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF32-107.37182-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	28ma	결정	± 50ppm	-	-
SIT8008AI-33-33E-59.000000	1.1800	RFQ	8601	시민	SIT8008	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		59MHz	HCMOS, LVCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	4.5MA	MEMS	± 50ppm	-	-	4MA
8WL-66.6660MBD-T	0.9737	RFQ	7994	TXC Corporation	8wl	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		66.666 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		887-8WL-66.6660MBD-TTR	귀 99	8541.60.0080	3,000	활성화/비활성화	30ma	결정	± 25ppm	-	-	-
SG-8018CB 58.8000M-TJHSA0	0.6363	RFQ	9914	엡슨	SG-8018	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		58.8 MHz	CMOS	1.62V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8018CB58.8000M-TJHSA0	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8.1ma	결정	± 50ppm	-	-	1.1µA
18QHTF22-57.385-PD	20.2500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		57.385 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF22-57.385-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	24MA	결정	± 50ppm	-	-
SIT3372AI-2E2-33NU216.000000	13.1600	RFQ	6562	시민	Sit3372, 7 플랫폼 ™	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	VCXO		216 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	-	84ma	MEMS	± 25ppm	± 3170ppm	-	-
18QHTF57-66.658-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		66.658 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF57-66.658-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	26MA	결정	± 50ppm	-	-
OS400-2505-012	236.6600	RFQ	7294	RFX Limited	OS400	대부분	활동적인	0 ° C ~ 50 ° C		0.817 "L x 0.817"W (20.75mm x 20.75mm)	0.394 "(10.00mm)	구멍을 구멍을		OCXO		25MHz	사인파	5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		4203-OS400-2505-012	귀 99	8542.39.0001	1			결정	± 5ppb
FCO3C012285A3CCU00	0.5902	RFQ	5796	후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한	FCO-3C	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.043 "(1.10mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		12.285543 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	4972-FCO3C012285A3CCU00tr	귀 99		3,000	활성화/비활성화	6.8ma (유형)	결정	± 20ppm	-	-	-
SIT3373AI-4B2-25NX256.000000	11.0000	RFQ	4975	시민	SIT3373, 7 플랫폼 ™	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO		256 MHz	HCSL	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	-		MEMS	± 25ppm	± 370ppm	-
18QHTF53-50.2733-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		50.2733 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF53-50.2733-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	24MA	결정	± 50ppm	-	-
SIT3373AC-2E9-28NB622.080000	10.9200	RFQ	4322	시민	SIT3373, 7 플랫폼 ™	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	VCXO		622.08 MHz	LVD	2.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	-		MEMS	± 35ppm	± 10ppm	-
SG-8018CA 11.2280M-TJHPA0	0.7121	RFQ	3828	엡슨	SG-8018	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		11.228 MHz	CMOS	1.62V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8018CA11.2280M-TJHPA0	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	3.5MA	결정	± 50ppm	-	-	3.5MA
3QHTF32-40.830-OE	20.2500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		40.83 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF32-40.830-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
AK5DAF1-125.0000T2	6.2500	RFQ	4597	Abracon LLC	ClearClock ™ AK5	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		125MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	활성화/비활성화	27ma	결정	± 25ppm	-	-	10µA
3QHTF21-22.279-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		22.279 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF21-22.279-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	22MA	결정	± 50ppm	-	-
SG-8101CE 57.2000M-TBGSA0	0.7449	RFQ	4016	엡슨	SG-8101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	SG-8101	57.2 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8101CE57.2000M-TBGSA0TR	귀 99	8541.60.0080	1,000	대기 (다운 전원)	6.8ma (유형)	결정	± 15ppm	-	-	1.1µA
25QHTF32-19.657812-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		19.657812 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF32-19.657812-OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
SIT8209AI-23-28E-150.000000	2.5000	RFQ	4320	시민	SIT8209	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		150MHz	lvcmos, lvttl	2.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	36MA	MEMS	± 50ppm	-	-
526T14420CTR	1.9416	RFQ	5987	cts- 제어 주파수	526	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	TCXO	526	14.4 MHz	HCMOS	2.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		110-526T14420CTR	귀 99	8541.60.0080	3,000	대기 (다운 전원)	10MA	결정	± 2ppm	-	-	10µA
SG-8018CG 25.5625M-TJHSA0	0.5606	RFQ	7813	엡슨	SG-8018	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		25.5625 MHz	CMOS	1.62V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8018CG25.5625M-TJHSA0	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8.1ma	결정	± 50ppm	-	-	1.1µA
25QHTF57-142.5408 -OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		142.5408 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF57-142.5408 -OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	29ma	결정	± 50ppm	-	-
SIT3372AI-2B2-25NU148.351648	13.2900	RFQ	9685	시민	Sit3372, 7 플랫폼 ™	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO		148.351648 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	-	84ma	MEMS	± 25ppm	± 3170ppm	-	-
570FAA000115DG	67.5142	RFQ	2345	Skyworks Solutions Inc.	SI570	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)		표면 표면	8-smd,, 없음	xo (표준)	570faa	125MHz	LVD	2.5V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	50	활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능)	108ma	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF21-150.360-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		150.36 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF21-150.360-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	29ma	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF21-27.13438-PD	20.2500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		27.13438 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF21-27.13438-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF57-125.200-PD	20.2500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		125.2 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF57-125.200-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	28ma	결정	± 50ppm	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (651585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²