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발진기 (651585)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SG-8101CA 16.3200M-TCHPA0 | 1.6842 |  | 2530 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | SG-8101 | 16.32 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8101CA16.3200M-TCHPA0TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 6.8ma (유형) | 결정 | ± 20ppm | - | - | 3.5MA | |
 | SIT8208AC-23-33S-77.760000 | 2.4400 | | 1072 | 0.00000000 | 시민 | SIT8208 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 77.76 MHz | lvcmos, lvttl | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 (다운 전원) | 33MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | |||||
 | SIT3372AI-4B2-28NB80.000000 | 11.1100 | | 5007 | 0.00000000 | 시민 | Sit3372, 7 플랫폼 ™ | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 80MHz | HCSL | 2.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 97ma | MEMS | ± 25ppm | ± 20ppm | - | - | |||||
| SIT3372AC-4B2-28NE148.500000 | 13.0000 | | 1184 | 0.00000000 | 시민 | Sit3372, 7 플랫폼 ™ | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 148.5 MHz | HCSL | 2.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 97ma | MEMS | ± 25ppm | ± 70ppm | - | - | |||||
 | SIT3372AC-2E9-33NC50.000000 | 10.9200 | | 2371 | 0.00000000 | 시민 | Sit3372, 7 플랫폼 ™ | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | VCXO | 50MHz | LVD | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 84ma | MEMS | ± 35ppm | - | - | - | |||||
| SIT8209AC-22-18E-155.520000 | 3.1000 | | 2670 | 0.00000000 | 시민 | SIT8209 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 155.52 MHz | lvcmos, lvttl | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 33MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | |||||
 | 3QHTF32-49.570-OE | 20.2500 | | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 3QHTF32 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 49.57 MHz | LVCMOS | 3.3v | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-3QHTF32-49.570-OE | 귀 99 | 8541.60.0060 | 5 | 활성화/비활성화 | 23MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
 | AMPMGDD-33.3330T | - | | 2532 | 0.00000000 | Abracon LLC | AMPM | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 33.333 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | 160µA | ||||
 | 3QHTF22-144.015-PD | 20.2500 | | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 3QHTF22 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 144.015 MHz | LVCMOS | 3.3v | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-3QHTF22-144.015-PD | 귀 99 | 8541.60.0060 | 5 | 대기 (다운 전원) | 29ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
 | SIT8208AI-3F-25S-199.440000Y | 4.1097 | | 4452 | 0.00000000 | 시민 | SIT8208 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 19.44 MHz | lvcmos, lvttl | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 33MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 70µA | |||
| SG-8101CE 14.7450M-TCHPA0 | 0.7449 | | 1895 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | SG-8101 | 14.745 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8101CE14.7450M-TCHPA0TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 6.8ma (유형) | 결정 | ± 20ppm | - | - | 3.5MA | |
| SIT9365AC-2B3-28N250.000000 | 9.8000 | | 1104 | 0.00000000 | 시민 | SIT9365, 6 플랫폼 ™ | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 250MHz | LVD | 2.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | MEMS | ± 50ppm | - | - | |||||||
 | 530CC000340DGR | 16.6435 | | 9781 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | SI530 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 530cc | 340 kHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 88ma | 결정 | ± 7ppm | - | - | 75MA | ||||
 | ASTMHTV-50.000MHz-XJ-E | - | | 7698 | 0.00000000 | Abracon LLC | astmht | 조각 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 50MHz | LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | - | MEMS | ± 20ppm | - | - | ||||
| SG-8101CB 16.3330M-TBGSA0 | 1.8746 | | 1591 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | SG-8101 | 16.333 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8101CB16.3330M-TBGSA0TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.8ma (유형) | 결정 | ± 15ppm | - | - | 1.1µA | |
| SIT3373AI-4B9-25NU240.000000 | 11.2100 | | 4099 | 0.00000000 | 시민 | SIT3373, 7 플랫폼 ™ | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 240 MHz | HCSL | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | MEMS | ± 35ppm | ± 3160ppm | - | |||||||
| SIT3373AI-4B3-28NH312.500000 | 10.1900 | | 4100 | 0.00000000 | 시민 | SIT3373, 7 플랫폼 ™ | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 312.5 MHz | HCSL | 2.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | MEMS | ± 50ppm | ± 145ppm | - | |||||||
 | 8W-50.000mbe-t | 0.9191 | | 3321 | 0.00000000 | TXC Corporation | 8W | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 50MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 15MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||||
 | SIT1602BI-71-XXE-74.175824 | 1.5100 | | 6480 | 0.00000000 | 시민 | SIT1602B | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 74.175824 MHz | HCMOS, LVCMOS | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 4.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | |||||
 | MXO45HS-3C-4M915200 | 2.2000 | | 425 | 0.00000000 | cts- 제어 주파수 | MXO45HS | 쟁반 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.520 "L x 0.520"W (13.20mm x 13.20mm) | 0.240 "(6.10mm) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기, 금속 캔 캔) | xo (표준) | 4.9152 MHz | HCMOS, TTL | 5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 26MA | 결정 | ± 50ppm | - | 10µA | ||||
| SIT9365AC-2B1-30E133.333333 | 13.5800 | | 3423 | 0.00000000 | 시민 | SIT9365, 6 플랫폼 ™ | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 133.333333 MHz | LVD | 3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | MEMS | ± 20ppm | - | - | |||||||
 | SIT5356AECFP-25N0-16.384000 | 102.6900 | | 1676 | 0.00000000 | 시민 | SIT5356, 5 플랫폼 ™ | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 10-smd,, 없음 | TCXO | 16.384 MHz | 사인파를 사인파를 | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | MEMS | ± 200ppb | - | - | ||||||
 | SIT1602BC-81-25N-66.660000 | 1.5700 | | 5901 | 0.00000000 | 시민 | SIT1602B | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 66.66 MHz | HCMOS, LVCMOS | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 4.2MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | ||||
| DSC6013CE1A-006.1440 | - | | 5456 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 튜브 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 6.144 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 1 (무제한) | 150-DSC6013CE1A-006.1440 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | ||||
| SIT5156AI-FK-28VT-48.000000 | 51.5800 | | 3505 | 0.00000000 | 시민 | SIT5156, 5 플랫폼 ™ | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.042 "(1.06mm) | 표면 표면 | 10-smd,, 없음 | vctcxo | SIT5156 | 48MHz | LVCMOS | 2.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 57ma | MEMS | ± 500ppb | ± 6.25ppm | - | - | ||
 | 25QHTF32-184.000-PD | 20.2500 | | 500 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 25QHTF32 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 184 MHz | LVCMOS | 2.5V | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-25QHTF32-184.000-PD | 귀 99 | 8541.60.0060 | 5 | 대기 (다운 전원) | 29ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
 | 25QHTF57-18.280-OE | 20.2500 | | 250 | 0.00000000 | Mercury United Electronics, Inc. | 25QHTF57 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 18.28 MHz | LVCMOS | 2.5V | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2425-25QHTF57-18.280-OE | 귀 99 | 8541.60.0050 | 5 | 활성화/비활성화 | 22MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
| 353LB3I100R | - | | 8154 | 0.00000000 | cts- 제어 주파수 | 353 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 10MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 25MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||||
| DSC6332HA3AB-002.4576T | - | | 8030 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6332 | 2.4576 MHz | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6332HA3AB-002.4576TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | - | |||
 | SG-8018CA 11.2896M-TJHSA0 | 0.7121 | | 8789 | 0.00000000 | 엡슨 | SG-8018 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 11.2896 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 114-SG-8018CA11.2896M-TJHSA0 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3.5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 1.1µA |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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