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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SG-8018CB 4.6453M-TJHSA0 EPSON SG-8018CB 4.6453M-TJHSA0 0.6363
RFQ
 ECAD 6374 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4.6453 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CB4.6453M-TJHSA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3.5MA 결정 ± 50ppm - - 1.1µA
SIT8008BC-73-18S-2.048000 SiTime SIT8008BC-73-18S-2.048000 1.2600
RFQ
 ECAD 4289 0.00000000 시민 SIT8008B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 2.048 MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 1.3µA
TAETCLSANF-10.000000 Taitien taetclsanf-10.000000 28.1824
RFQ
 ECAD 5542 0.00000000 Taitien 고마워 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.083 "(2.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 TCXO 10MHz 사인파를 사인파를 3V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 - 3.5MA 결정 ± 2ppm - -
3QHTF21-98.0304-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21-98.0304-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 98.0304 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF21-98.0304-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 26MA 결정 ± 50ppm - -
545DAB156M250CCG Skyworks Solutions Inc. 545DAB156M250CCG 10.8030
RFQ
 ECAD 8703 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. Ultra ™ SI545 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz CML 1.8V ~ 3.3V 다운로드 2 (1 년) 863-545DAB156M250CCG 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 121ma 결정 ± 20ppm - - 112MA
ASTMHTV-24.576MHZ-XK-E-T Abracon LLC ASTMHTV-24.576MHZ-XK-ET -
RFQ
 ECAD 8975 0.00000000 Abracon LLC astmht 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - MEMS ± 30ppm - -
18QHTF22-50.018-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22-50.018-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50.018 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF22-50.018-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 24MA 결정 ± 50ppm - -
SIT1602BC-72-33E-18.432000 SiTime SIT1602BC-72-33E-18.432000 1.3800
RFQ
 ECAD 4305 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 18.432 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
25QHTF32-138.240-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32-138.240-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 138.24 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF32-138.240-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 28ma 결정 ± 50ppm - -
SIT8209AI-21-28S-133.333300 SiTime SIT8209AI-21-28S-133.33300 3.3000
RFQ
 ECAD 8609 0.00000000 시민 SIT8209 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 133.3333 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 36MA MEMS ± 20ppm - -
SG-8018CG 2.8000M-TJHSAB EPSON SG-8018CG 2.8000m-TJHSAB 1.4908
RFQ
 ECAD 8813 0.00000000 엡슨 SG-8018 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8018 2.8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CG2.8000M-TJHSAB 귀 99 8541.60.0080 1 대기 (다운 전원) 6.8ma 결정 ± 50ppm - - 1.1µA
SIT8209AI-82-25S-148.351648 SiTime SIT8209AI-82-25S-148.351648 3.2900
RFQ
 ECAD 2527 0.00000000 시민 SIT8209 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 148.351648 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 36MA MEMS ± 25ppm - -
DSC6311JI2LA-027.0000T Microchip Technology DSC6311JI2LA-027.0000T -
RFQ
 ECAD 5862 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
25QHTF32-55.500-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32-55.500-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 55.5 MHz LVCMOS 2.5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF32-55.500-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 24MA 결정 ± 50ppm - -
AU26000003 TXC CORPORATION AU26000003 -
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 TXC Corporation au 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 26 MHz CMOS 2.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 - 결정 ± 30ppm - -
18QHTF53-50.1133-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF53-50.1133-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50.1133 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF53-50.1133-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 24MA 결정 ± 50ppm - -
25QHTF21-13.050-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21-13.050-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13.05 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF21-13.050-OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
QVMQF576D25-2.0A-57.850 Mercury United Electronics, Inc. QVMQF576D25-2.0A-57.850 36.7500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.102 "(2.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 vctcxo 57.85 MHz LVD 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-QVMQF576D25-2.0A-57.850 귀 99 8541.60.0050 3 활성화/비활성화 23MA (유형) 결정 ± 2ppm ± 8ppm - 18MA (유형)
SIT1602BC-83-18E-8.192000 SiTime SIT1602BC-83-18E-8.192000 1.1600
RFQ
 ECAD 5616 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8.192 MHz HCMOS, LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 50ppm - -
SIT9001AC-33-33E1-66.666670Y SiTime SIT9001AC-33-33E1-66.666670Y -
RFQ
 ECAD 3330 0.00000000 시민 SIT9001 조각 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) xo (표준) SIT9001 66.66667 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 1 활성화/비활성화 MEMS ± 50ppm - ± 1.00%, 00 스프레드
SG-8018CE 60.0000M-TJHSA0 EPSON SG-8018CE 60.0000M-TJHSA0 0.5909
RFQ
 ECAD 8971 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 60MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CE60.0000M-TJHSA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 1.1µA
18QHTF32-50.3867-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32-50.3867-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50.3867 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF32-50.3867-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 24MA 결정 ± 50ppm - -
SIT5156AICFD-30VT-19.200000 SiTime SIT5156AICFD-30VT-9.200000 40.0200
RFQ
 ECAD 4886 0.00000000 시민 SIT5156, 5 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.042 "(1.06mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 vctcxo SIT5156 19.2 MHz 사인파를 사인파를 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - 57ma MEMS ± 2.5ppm ± 6.25ppm - -
SIT8208AI-3F-28E-24.576000T SiTime SIT8208AI-3F-28E-24.576000T 4.1097
RFQ
 ECAD 9589 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SG-8101CE 83.333333M-TBGSA0 EPSON SG-8101CE 83.3333M-TBGSA0 0.7449
RFQ
 ECAD 1897 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 83.333333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CE83.3333M-TBGSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 1.1µA
SIT3372AI-1B2-30NZ148.351648 SiTime SIT3372AI-1B2-30NZ148.351648 11.0000
RFQ
 ECAD 4107 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 148.351648 MHz lvpecl 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 1570ppm - -
SG-8101CB 45.1580M-TCHSA0 EPSON SG-8101CB 45.1580M-TCHSA0 1.8746
RFQ
 ECAD 2247 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 45.158 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CB45.1580M-TCHSA0TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
SIT3372AI-2B2-28NC70.656000 SiTime SIT3372AI-2B2-28NC70.656000 13.2900
RFQ
 ECAD 5049 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 70.656 MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 25ppm ± 50ppm - -
SG-8101CG 125.0031M-TCHPA0 EPSON SG-8101CG 125.0031M-TCHPA0 2.0796
RFQ
 ECAD 1335 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 125.0031 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CG125.0031M-TCHPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 3.5MA
ECX-H27BN-66.666 ECS Inc. ECX-H27BN-66.666 5.8330
RFQ
 ECAD 5910 0.00000000 ECS Inc. ECX-H ECSPRESSCON ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 66.666 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 10 활성화/비활성화 40ma 결정 ± 50ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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