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알루미늄 알루미늄 커패시터 (128163)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
UVK2D3R3MED1TD Nichicon uvk2d3r3med1td 0.3100
RFQ
 ECAD 7970 0.00000000 니치콘 UVK 컷 컷 (CT) 쓸모없는 3.3 µF ± 20% 200 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 40 ma @ 120 Hz 64 ma @ 10 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
EKZE101ELL391MK40S Chemi-Con ekze101ELL391MK40S 1.1827
RFQ
 ECAD 3976 0.00000000 화학 화학 kze 대부분 활동적인 390 µF ± 20% 100 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 900 ma @ 120 Hz 1.8 A @ 100 kHz 32 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.634 "(41.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
381LQ823M010A452 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 381LQ823M010A452 4.2925
RFQ
 ECAD 2605 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 381lq 대부분 활동적인 82000 µf ± 20% 10 v 21mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 6.1 A @ 120 Hz 7.02 a @ 20 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 40
LAQ2G560MELZ25 Nichicon LAQ2G560MELZ25 2.5554
RFQ
 ECAD 6561 0.00000000 니치콘 LAQ 대부분 활동적인 56 µF ± 20% 400 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 450 ma @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 493-7565 귀 99 8532.22.0040 250
B43508C9227M82 EPCOS - TDK Electronics B43508C9227M82 -
RFQ
 ECAD 9797 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43508 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 400 v 560mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 980 ma @ 100 Hz 790 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.071 "(27.20mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43508C9227M 82 귀 99 8532.22.0040 160
ALS70A822QW550 KEMET ALS70A822QW550 108.5410
RFQ
 ECAD 4550 0.00000000 케멧 ALS70 대부분 활동적인 8200 µF ± 20% 550 v 57mohm @ 100Hz 20000 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 21.7 A @ 100 Hz 29.7 a @ 10 kHz 50 Mohms 1.252 "(31.80mm) 3.543 "DIA (90.00mm) 6.732 "(171.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 ALS70A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 8
PEH200PH4680MU2 KEMET PEH200PH4680MU2 36.7371
RFQ
 ECAD 5639 0.00000000 케멧 * 상자 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 24
ALS70A274QW063 KEMET ALS70A274QW063 66.6394
RFQ
 ECAD 9740 0.00000000 케멧 ALS70 대부분 활동적인 270000 µF ± 20% 63 v 100Hz @ 6ohm 20000 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 40 a @ 100 Hz 41.8 a @ 10 kHz 7 Mohms 1.252 "(31.80mm) 3.543 "DIA (90.00mm) 6.732 "(171.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 ALS70A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 8
PEG130MH3900QE4 KEMET PEG130MH3900QE4 -
RFQ
 ECAD 2810 0.00000000 케멧 PEG130 대부분 활동적인 900 µF -10%, +30% 63 v 94mohm @ 100Hz 45000 10 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.06 a @ 100 Hz 7.2 a @ 5 kHz - 0.787 "DIA X 1.142"L (20.00mm x 29.00mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 399-PEG130MH3900QE4 귀 99 8532.22.0040 1
ESMH401VSN820MP25U United Chemi-Con ESMH401VSN820MP25U -
RFQ
 ECAD 9990 0.00000000 United Chemi-Con smh 대부분 활동적인 82 µF ± 20% 400 v 3.032ohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 780 ma @ 120 Hz 1.1154 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 565-ESMH401VSN820MP25U 귀 99 8532.22.0040 200
B43252A9686M EPCOS - TDK Electronics B43252A9686M -
RFQ
 ECAD 6060 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43252 대부분 활동적인 68 µF ± 20% 400 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 440 ma @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43252A9686M000 귀 99 8532.22.0040 320
PL2S181MND2535 Chinsan (Elite) PL2S181MND2535 4.7400
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 Chinsan (엘리트) Pl 대부분 활동적인 180 µF ± 20% 420 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 970 ma @ 120 Hz 1.387 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-PL2S181MND2535 귀 99 8532.22.0020 180
NPR47M100 NTE Electronics, Inc NPR47M100 1.1100
RFQ
 ECAD 648 0.00000000 NTE Electronics, Inc NPR 가방 활동적인 47 µF ± 20% 100 v 1000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 양극성 - 범용 0.197 "(5.00mm) 0.512 "DIA (13.00mm) 0.906 "(23.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 2368-NPR47M100 귀 99 8532.10.0000 1
EEE-FK1E151GP Panasonic Electronic Components EEE-FK1E151GP 0.4144
RFQ
 ECAD 3999 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 FK 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 25 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 450 ma @ 120 Hz 600 ma @ 100 kHz 160 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd EEE-FK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 EEEFK1E151GP 귀 99 8532.22.0020 500
UFW1A471MED Nichicon ufw1a471med 0.3400
RFQ
 ECAD 4137 0.00000000 니치콘 UFW 대부분 쓸모없는 470 µF ± 20% 10 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 오디오 330 ma @ 120 Hz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.433 "(11.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
UPM1K271MHD6 Nichicon UPM1K271MHD6 0.9981
RFQ
 ECAD 9172 0.00000000 니치콘 UPM 대부분 새로운 새로운 아닙니다 270 µF ± 20% 80 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 920 ma @ 120 Hz 1.24 a @ 10 kHz 110 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0020 50
UMV1HR47MFD1TE Nichicon UMV1HR47MFD1TE 0.1370
RFQ
 ECAD 5892 0.00000000 니치콘 음 테이프 & t (TB) 새로운 새로운 아닙니다 0.47 µF ± 20% 50 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.8 ma @ 120 Hz 5.7 ma @ 10 kHz 0.059 "(1.50mm) 0.157 "DIA (4.00mm) 0.236 "(6.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
UHN0J472MHD Nichicon UHN0J472MHD -
RFQ
 ECAD 6863 0.00000000 니치콘 uhn 대부분 쓸모없는 4700 µF ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 9 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.846 "(21.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 100
ESE106M063AC3FA KEMET ESE106M063AC3FA 0.0396
RFQ
 ECAD 2885 0.00000000 케멧 * 테이프 & t (TB) 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
B43545A9187M000 EPCOS - TDK Electronics B43545A9187M000 3.5352
RFQ
 ECAD 9336 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43545 쟁반 활동적인 180 µF ± 20% 400 v 330mohm @ 100Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.18 A @ 100 Hz 460 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 260
TE1509-E3 Vishay Sprague TE1509-E3 6.6400
RFQ
 ECAD 377 0.00000000 Vishay Sprague 테 대부분 활동적인 20 µF -10%, +50% 150 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 - 0.354 "dia x 1.496"L (9.00mm x 38.00mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8532.22.0020 380
E36D401HPN252TEM9U United Chemi-Con E36D401HPN252TEM9U -
RFQ
 ECAD 9867 0.00000000 United Chemi-Con U36D 대부분 활동적인 2500 µF -10%, +50% 400 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 - 3.000 "dia (76.20mm) - - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 565-E36D401HPN252TEM9U 귀 99 8532.22.0085 16
220MXG820MEFCSN35X25 Rubycon 220MXG820MEFCSN35X25 6.7488
RFQ
 ECAD 9094 0.00000000 루비콘 MXG 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 220 v - 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.93 A @ 120 Hz 2.895 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
35ML4.7MEFC4X5 Rubycon 35ml4.7mefc4x5 0.0594
RFQ
 ECAD 9665 0.00000000 루비콘 ML 대부분 쓸모없는 4.7 µF ± 20% 35 v - 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 0.059 "(1.50mm) 0.157 "DIA (4.00mm) 0.256 "(6.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 5,000
ALC40D331DC350 KEMET ALC40D331DC350 3.8454
RFQ
 ECAD 5161 0.00000000 케멧 * 상자 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
DCMX134U050CD2E Cornell Dubilier Electronics (CDE) DCMX134U050CD2E 105.4053
RFQ
 ECAD 9168 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) DCMX 대부분 활동적인 130000 µF -10%, +75% 50 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.125 "(28.58mm) 2.500 "DIA (63.50mm) 4.687 "(119.05mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 30
450MXK820MEFCSN30X60 Rubycon 450MXK820MEFCSN30X60 19.4200
RFQ
 ECAD 3570 0.00000000 루비콘 MXK 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 450 v - 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.77 a @ 120 Hz 3.878 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 2.441 "(62.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 1189-4034 귀 99 8532.22.0040 100
B42822A4476M000 EPCOS - TDK Electronics B42822A4476M000 -
RFQ
 ECAD 6589 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 - 대부분 마지막으로 마지막으로 - 495-B42822A4476M000 1
B41231A8478M000 EPCOS - TDK Electronics B41231A8478M000 4.0700
RFQ
 ECAD 412 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41231 대부분 활동적인 4700 µF ± 20% 63 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 4.19 a @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
CGS103U035V2C Cornell Dubilier Electronics (CDE) CGS103U035V2C 52.5300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) CGS 대부분 활동적인 10000 µf -10%, +75% 35 v 38mohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 5.5 A @ 120 Hz 7.15 a @ 10 kHz - 2.000 "50 (50.80mm) 2.125 "(53.98mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0055 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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