SIC
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알루미늄 알루미늄 커패시터 (128163)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
ALC70A302EH200 KEMET ALC70A302EH200 8.3335
RFQ
 ECAD 8459 0.00000000 케멧 ALC70 대부분 활동적인 3000 µF ± 20% 200 v 81mohm @ 100Hz 18000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 5.67 A @ 100 Hz 9.3 a @ 10 kHz 53 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.575 "DIA (40.00mm) 2.441 "(62.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 ALC70A 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0055 36
ELXZ100ELL562ML25S United Chemi-Con ELXZ100ELL562ML25S 1.0965
RFQ
 ECAD 8295 0.00000000 United Chemi-Con lxz 대부분 활동적인 5600 µF ± 20% 10 v - 8000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 2.176 A @ 120 Hz 2.56 A @ 100 kHz 22 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.043 "(26.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 565-1916 귀 99 8532.22.0020 500
106BPA050M Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 106bpa050m 1.0200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 BPA 대부분 활동적인 10 µF ± 20% 50 v 23.21ohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 양극성 - 오디오 68 ma @ 120 Hz 115.6 ma @ 50 kHz - 0.236 "dia x 0.630"L (6.00mm x 16.00mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
B43640A5477M007 EPCOS - TDK Electronics B43640A5477M007 -
RFQ
 ECAD 9870 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43640 대부분 쓸모없는 470 µF ± 20% 450 v 210mohm @ 100Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.01 A @ 100 Hz 320 Mohms 0.394 "(10.00mm) - - - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 160
101282U100BB2A Cornell Dubilier Electronics (CDE) 101282U100BB2A 206.6200
RFQ
 ECAD 6770 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 101 대부분 활동적인 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 5
B43540A5397M67 EPCOS - TDK Electronics B43540A5397M67 -
RFQ
 ECAD 6205 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43540 대부분 활동적인 390 µF ± 20% 450 v 250mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.77 a @ 100 Hz 390 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 120
KY50VB561M18X15LL Chemi-Con KY50VB561M18X15LL 0.3553
RFQ
 ECAD 8207 0.00000000 화학 화학 ky 대부분 활동적인 560 µF ± 20% 50 v - 10000 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 965 ma @ 120 Hz 1.93 A @ 100 kHz 54 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 0.591 "(15.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 - rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
MAL205871103E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL205871103E3 16.5900
RFQ
 ECAD 2908 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 058 PLL-SI 테이프 & t (TB) 활동적인 10000 µf ± 20% 50 v 38mohm @ 100Hz 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 5.04 a @ 100 Hz 24 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 50
MAL205723681E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL205723681E3 10.0500
RFQ
 ECAD 2495 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 057 PSM-SI 테이프 & t (TB) 활동적인 680 µF ± 20% 250 v 240mohm @ 100Hz 12000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 오디오 2.6 A @ 100 Hz 145 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
UHM0J222MPD6 Nichicon UHM0J222MPD6 -
RFQ
 ECAD 6583 0.00000000 니치콘 음 대부분 쓸모없는 2200 µF ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 16 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.787 "(20.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
LLG2W271MELA40 Nichicon LLG2W271MELA40 7.5800
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 니치콘 llg 대부분 활동적인 270 µF ± 20% 450 v - 2000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.8 A @ 120 Hz 2.574 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 493-6110 귀 99 8532.22.0040 250
UMT1C100MDD1TP Nichicon UMT1C100MDD1TP -
RFQ
 ECAD 6981 0.00000000 니치콘 음 컷 컷 (CT) 쓸모없는 10 µF ± 20% 16 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 18 MA @ 120 Hz 27 ma @ 10 kHz 0.059 "(1.50mm) 0.157 "DIA (4.00mm) 0.236 "(6.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
UFG1A471MPM1TD Nichicon ufg1a471mpm1td 1.0500
RFQ
 ECAD 159 0.00000000 니치콘 UFG 컷 컷 (CT) 마지막으로 마지막으로 470 µF ± 20% 10 v - 1000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 오디오 330 ma @ 120 Hz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
MAL205858152E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL205858152E3 6.3535
RFQ
 ECAD 9874 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 058 PLL-SI 테이프 & t (TB) 활동적인 1500 µF ± 20% 63 v 137mohm @ 100Hz 10000 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.76 A @ 100 Hz 85 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
MAL219890008E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL219890008E3 9.5645
RFQ
 ECAD 6734 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 198 phr-si 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 400 v 434mohm @ 100Hz 15000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.75 A @ 100 Hz 280 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
63VXG3300MEFC30X30 Rubycon 63VXG3300MEFC30X30 3.7551
RFQ
 ECAD 3447 0.00000000 루비콘 VXG 대부분 활동적인 3300 µF ± 20% 63 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.15 a @ 120 Hz 2.4725 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
UVZ2V330MHH Nichicon UVZ2V330MHH -
RFQ
 ECAD 6636 0.00000000 니치콘 UVZ 대부분 쓸모없는 33 µF ± 20% 350 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 195 MA @ 120 Hz 312 ma @ 10 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 50
B41043A7567M EPCOS - TDK Electronics B41043A7567M -
RFQ
 ECAD 8101 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41043 대부분 쓸모없는 560 µF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 928 ma @ 120 Hz 1.16 A @ 100 kHz 41 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 B41043A7567M000 귀 99 8532.22.0020 750
EKZE100ELL392MK30S Chemi-Con EKZE100ELL392MK30S 1.8900
RFQ
 ECAD 8063 0.00000000 화학 화학 kze 대부분 활동적인 3900 µF ± 20% 10 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.4675 A @ 120 Hz 3.29 a @ 100 kHz 16 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.181 "(30.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 565-1652 귀 99 8532.22.0020 1,000
SLP103M010A1P3 Cornell Dubilier Electronics (CDE) SLP103M010A1P3 0.8726
RFQ
 ECAD 6955 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) SLP0712TE (750W) 대부분 활동적인 10000 µf ± 20% 10 v 73mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.8 A @ 120 Hz 2.25 a @ 20 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 0.984 "(25.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
UPM1J151MHD6 Nichicon UPM1J151MHD6 1.1300
RFQ
 ECAD 7853 0.00000000 니치콘 UPM 대부분 새로운 새로운 아닙니다 150 µF ± 20% 63 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 590 ma @ 120 Hz 845 ma @ 10 kHz 95 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.669 "(17.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,200
B43508C9337M87 EPCOS - TDK Electronics B43508C9337M87 -
RFQ
 ECAD 2974 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43508 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 400 v 370mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.18 A @ 100 Hz 530 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.071 "(27.20mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43508C9337M 87 귀 99 8532.22.0040 120
UUH1H221MNQ1MS Nichicon uuh1h221mnq1ms -
RFQ
 ECAD 4539 0.00000000 니치콘 어 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 220 µF ± 20% 50 v - 5000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 250 ma @ 120 Hz 375 ma @ 10 kHz - 0.630 "dia (16.00mm) 0.689 "(17.50mm) 0.673 "L x 0.673"W (17.10mm x 17.10mm) 표면 표면 방사형, s -smd - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 250
B43540B2128M87 EPCOS - TDK Electronics B43540B2128M87 -
RFQ
 ECAD 3993 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43540 대부분 활동적인 1200 µF ± 20% 200 v 75mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 4.05 a @ 100 Hz 100 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.465 "(37.20mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 120
KMH50VS822M30X45T2 Chemi-Con KMH50VS822M30X45T2 -
RFQ
 ECAD 3049 0.00000000 화학 화학 KMH 쟁반 쓸모없는 8200 µF ± 20% 50 v 40mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.6 A @ 120 Hz 3.888 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.772 "(45.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
381LX123M016K012 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 381LX123M016K012 -
RFQ
 ECAD 4059 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 381lx 대부분 활동적인 12000 µF ± 20% 16 v - 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.9 a @ 120 Hz 3.3 a @ 20 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
EKY-250ELL681MJ20S Chemi-Con EKY-250ELL681MJ20S 0.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 화학 화학 ky 대부분 활동적인 680 µF ± 20% 25 v - 7000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 840 ma @ 120 Hz 1.4 a @ 100 kHz 46 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.846 "(21.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
EKZE250ETD331MJC5S Chemi-Con ekze250etd331mjc5s 0.8500
RFQ
 ECAD 5761 0.00000000 화학 화학 kze 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 25 v - 4000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 515 ma @ 120 Hz 1.03 a @ 100 kHz 53 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 800
EMHS630ARA241MKE0S Chemi-Con EMHS630ARA241MKE0 1.6200
RFQ
 ECAD 511 0.00000000 화학 화학 ALCHIP ™ -MHS 테이프 & tr (TR) 활동적인 240 µF ± 20% 63 v 170mohm @ 100khz 5000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 460 ma @ 120 Hz 920 ma @ 100 kHz - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.539 "L x 0.512"W (13.70mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 250
ALS71H104NS100 KEMET ALS71H104NS100 63.6856
RFQ
 ECAD 4670 0.00000000 케멧 ALS71 대부분 활동적인 100000 µF ± 20% 100 v 8mohm @ 100Hz 20000 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 32.5 a @ 100 Hz 34.3 a @ 10 kHz 9 Mohms 1.252 "(31.80mm) 3.031 "DIA (77.00mm) 7.717 "(196.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 ALS71H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 12
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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